技术摘要：
提供了一种发光器件和制造该发光器件的方法。所述发光器件包括：阳极；阴极，面对阳极；发射层，位于阳极与阴极之间；以及电子控制层，位于发射层与阴极之间，其中，电子控制层包括由式5表示的电子控制化合物：式5其中，A51和n51与说明书中定义的相同。所述方法包括：  全部
背景技术：
发光器件是将电能转换为光能的器件。这样的发光器件的示例可以包括在发射层 中使用有机材料的有机发光器件和在发射层中使用量子点的量子点发光器件，而没有限 制。 这样的发光器件的示例可以包括：第一电极，设置(放置或定位)在基底上；以及空 穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极，顺序地设置在第一电极上。从第一电极提 供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可以通过电 子传输区域朝向发射层移动。然后，诸如空穴和电子的载流子可以在发射层中复合以产生 激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。 例如，有机发光器件是产生全色图像的自发射器件，并且还具有宽视角、高对比 度、短响应时间以及/或者在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的优异特性。 在一个或更多个实施例中，量子点发光器件可以具有高的色纯度和/或高的发射 效率，并且可以产生全色图像。
技术实现要素：
本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种包括电子控制层的发光器件和一 种制造该发光器件的方法。 另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者 可以通过实践所呈现的实施例而获知。 本公开的一个或更多个实施例提供一种发光器件，所述发光器件包括：阳极；阴 极，面对阳极；发射层，位于阳极与阴极之间；以及电子控制层，位于发射层与阴极之间，其 中，电子控制层包括由式5表示的电子控制化合物： 式5 11 CN 111554818 A 说　明　书 2/58 页 式6 ＊-(L61)a61-(R61)b61。 在式5、式5A至式5C和式6中， A51可以由从式5A至式5C中选择的一者表示， A51的n51个数的氢原子可以被-OH(羟基)取代， n51可以为1至20的整数， X51可以为N或C(R51)，X52可以为N或C(R52)，X53可以为N或C(R53)，X54可以为N或C (R54)，X55可以为N或C(R55)，X56可以为N或C(R56)，X57可以为N或C(R57)，X58可以为N或C(R58)， X59可以为N或C(R59)，X60可以为N或C(R60)， R51至R60可以均独立地选自于由式6表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰 基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或 未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C1-C60醚基、取代或未 取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代 或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取 代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的C1-C60杂芳氧 基、取代或未取代的C1-C60杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取 代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C (＝O)(Q1)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)和-P(＝S)(Q1)(Q2)， L61可以为取代或未取代的C5-C60碳环基或者取代或未取代的C1-C60杂环基， a61可以为0至6的整数， R61可以选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或 未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取 代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C1-C60醚基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取 代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代 或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代 或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的C1-C60杂芳氧基、取代或未取代的C1-C60杂芳硫 基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、- 12 CN 111554818 A 说　明　书 3/58 页 Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2 (Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)和-P(＝S)(Q1)(Q2)， b61可以为1至10的整数， Q1至Q3可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、 腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3- C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、C1-C60杂 芳氧基、C1-C60杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联 苯基，并且 *表示与相邻原子的结合位。 本公开的另一实施例提供一种制造发光器件的方法，所述方法包括：提供阳极；在 阳极上形成发射层；以及在发射层上形成电子控制层，其中，电子控制层包括由式5表示的 电子控制化合物： 式5 式6 ＊-(L61)a61-(R61)b61。 在式5、式5A至式5C和式6中， A51可以由从式5A至式5C中选择的一者表示， A51的n51个数的氢原子可以被-OH(羟基)取代， n51可以为1至20的整数， X51可以为N或C(R51)，X52可以为N或C(R52)，X53可以为N或C(R53)，X54可以为N或C (R54)，X55可以为N或C(R55)，X56可以为N或C(R56)，X57可以为N或C(R57)，X58可以为N或C(R58)， X59可以为N或C(R59)，X60可以为N或C(R60)， R51至R60可以均独立地选自于由式6表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰 基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或 未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C1-C60醚基、取代或未 取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代 或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取 代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的C1-C60杂芳氧 13 CN 111554818 A 说　明　书 4/58 页 基、取代或未取代的C1-C60杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取 代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C (＝O)(Q1)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)和-P(＝S)(Q1)(Q2)， L61可以为取代或未取代的C5-C60碳环基或者取代或未取代的C1-C60杂环基， a61可以为0至6的整数， R61可以选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或 未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取 代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C1-C60醚基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取 代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代 或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代 或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的C1-C60杂芳氧基、取代或未取代的C1-C60杂芳硫 基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、- Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2 (Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)和-P(＝S)(Q1)(Q2)， b61可以为1至10的整数， Q1至Q3可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、 腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3- C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、C1-C60杂 芳氧基、C1-C60杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联 苯基，并且 *表示与相邻原子的结合位。 附图说明 通过以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显并且更容易 理解，在附图中： 图1是根据实施例的有机发光器件的示意性剖视图； 图2是根据实施例的有机发光器件的示意性剖视图； 图3是根据实施例的有机发光器件的示意性剖视图；以及 图4是根据实施例的有机发光器件的示意性剖视图。