技术摘要：
本发明提供具有高热导率并且粘接性良好的有机硅组合物。有机硅组合物，其含有：(A)在1分子中具有至少2个脂肪族不饱和烃基、25℃下的运动粘度为60～100,000mm2/s的有机聚硅氧烷50～99.9质量份；(B)在1分子中具有至少1个脂肪族不饱和烃基的有机硅树脂：0.1～50质量份(其 全部
背景技术：
众所周知，半导体元件在使用中发热并且其引起性能的降低，作为用于解决其的 手段，使用了各种散热技术。一般地，通过在发热部的附近配置冷却构件(散热片等)，使两 者密接后从冷却构件有效率地除热，从而进行了散热。此时，如果在发热构件与冷却构件之 间具有间隙，由于导热性差的空气介于其间，因此热导率降低，发热构件的温度不再充分地 降低。为了防止这样的现象，使用了热导率良好、与构件的表面具有追随性的散热材料例如 液体散热材料、散热片(专利文献1～13)。 在散热材料中，有为了使半导体芯片与散热片牢固地粘接而对散热材料赋予了粘 接性能的散热材料。这是因为，如果半导体芯片与散热片经由散热材料没有充分地密合，则 由于空气介于其间，带来散热性能的降低。因此，利用散热材料使半导体芯片与散热片之间 牢固地粘接是重要的。但是，为了提高散热材料的热导率，必须大量地填充导热性填充材 料。如果在组合物中大量地填充导热性填料，存在得到的固化物的粘接性降低的问题。如果 粘接性降低，则固化物不再能够追随使用时的半导体芯片的变形、偏移，发生剥离，有可能 引起性能的降低。在专利文献11中记载了包含含有烯基的有机聚硅氧烷、有机硅树脂、含有 烯基的水解性有机聚硅氧烷、导热性填料、有机氢聚硅氧烷、铂系催化剂和控制剂作为必要 成分的导热性有机硅组合物。在专利文献12中记载了可提供与现有的导热性有机硅组合物 相比具有高热导率且粘接性良好的有机硅组合物。专利文献13记载了包含10小时半衰期温 度为80℃以上且不到130℃的过氧化物作为固化剂的导热性有机硅组合物，记载了该组合 物能够提供在具有金等贵金属层的基材表面上能够容易地固化的散热材料。 现有技术文献 专利文献 专利文献1：日本专利第2938428号公报 专利文献2：日本专利第2938429号公报 专利文献3：日本专利第3580366号公报 专利文献4：日本专利第3952184号公报 专利文献5：日本专利第4572243号公报 专利文献6：日本专利第4656340号公报 专利文献7：日本专利第4913874号公报 专利文献8：日本专利第4917380号公报 专利文献9：日本专利第4933094号公报 专利文献10：日本特开2008-260798号公报 专利文献11：日本特开2009-209165号公报 4 CN 111601853 A 说 明 书 2/15 页 专利文献12：日本特开2012-102283号公报 专利文献13：日本特开2012-96361号公报
技术实现要素：
发明要解决的课题 近年来，在高品位机种的半导体装置中工作时的发热量增大。另一方面，进行了小 型化引起的部件的削减，需要开发具有高热导率和高粘接能力的散热材料。 本发明鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供与现有的有机硅组合物相比具有 高热导率并且粘接性良好的有机硅组合物。 用于解决课题的手段 本发明人为了实现上述目的进行了深入研究，结果发现：通过制成分别含有特定 量的含有脂肪族不饱和烃基的有机聚硅氧烷、具有脂肪族不饱和烃基的有机硅树脂、具有 特定结构的有机氢聚硅氧烷、特定的有机过氧化物、导热性填料的有机硅组合物，从而能够 提供即使大量地含有导热性填料也具有良好的粘接性的有机硅组合物，完成了本发明。 即，本发明提供下述有机硅组合物。 1.有机硅组合物，其含有： (A)在1分子中具有至少2个脂肪族不饱和烃基、25℃下的运动粘度为60～100 , 000mm2/s的有机聚硅氧烷：50～99.9质量份， (B)在1分子中具有至少1个脂肪族不饱和烃基的有机硅树脂：0.1～50质量份(其 中，(A)成分与(B)成分的合计量为100质量份。)， (C)由下述结构式(1)表示的有机氢聚硅氧烷， [化1] (式中，R1相互独立地为碳原子数1～6的烷基或氢原子。m、n为满足5.0≤m n≤ 100、且n/(m n)≤0.6的数。不过，在分子中具有SiH基，R1的全部不会都为氢原子。) (D)10小时半衰期温度为40℃以上的有机过氧化物：相对于(A)成分和(B)成分的 合计100质量份，为0.01～10质量份，和 (E)具有10W/(m·℃)以上的热导率的导热性填料：相对于(A)成分和(B)成分的合 计100质量份，为100～3,000质量份。 2.1所述的有机硅组合物，其还含有(F)由下述结构式(2) [化2] (式中，R2相互独立地为碳原子数1～6的烷基，R3为碳原子数2～6的烯基，p、q为满 足5.0≤p q≤100的数。) 5 CN 111601853 A 说 明 书 3/15 页 表示的水解性有机聚硅氧烷：相对于所述(A)成分和所述(B)成分的合计100质量 份，为1～50质量份。 3.1或2所述的有机硅组合物，其还含有(G)由下述通式(3) [化3] (式中，R4相互独立地为碳原子数1～6的烷基，r为5～100的整数。) 表示的水解性有机聚硅氧烷：相对于所述(A)成分和所述(B)成分的合计100质量 份，为1～50质量份。 4.1～3中任一项所述的有机硅组合物，其还含有(H)具有选自环氧基、(甲基)丙烯 酰氧基、烷氧基甲硅烷基和羰基中的至少1个官能团的有机氢聚硅氧烷。 5 .1～4中任一项所述的有机硅组合物，其还含有(I)铂族金属催化剂：有效量和 (J)反应控制剂：相对于所述(A)成分和所述(B)成分的合计100质量份，为0.05～5.0质量 份。 发明的效果 本发明的有机硅组合物即使大量地含有导热性填料，也能够具有良好的粘接性。
本发明提供具有高热导率并且粘接性良好的有机硅组合物。有机硅组合物，其含有：(A)在1分子中具有至少2个脂肪族不饱和烃基、25℃下的运动粘度为60～100,000mm2/s的有机聚硅氧烷50～99.9质量份；(B)在1分子中具有至少1个脂肪族不饱和烃基的有机硅树脂：0.1～50质量份(其 全部
背景技术：
众所周知，半导体元件在使用中发热并且其引起性能的降低，作为用于解决其的 手段，使用了各种散热技术。一般地，通过在发热部的附近配置冷却构件(散热片等)，使两 者密接后从冷却构件有效率地除热，从而进行了散热。此时，如果在发热构件与冷却构件之 间具有间隙，由于导热性差的空气介于其间，因此热导率降低，发热构件的温度不再充分地 降低。为了防止这样的现象，使用了热导率良好、与构件的表面具有追随性的散热材料例如 液体散热材料、散热片(专利文献1～13)。 在散热材料中，有为了使半导体芯片与散热片牢固地粘接而对散热材料赋予了粘 接性能的散热材料。这是因为，如果半导体芯片与散热片经由散热材料没有充分地密合，则 由于空气介于其间，带来散热性能的降低。因此，利用散热材料使半导体芯片与散热片之间 牢固地粘接是重要的。但是，为了提高散热材料的热导率，必须大量地填充导热性填充材 料。如果在组合物中大量地填充导热性填料，存在得到的固化物的粘接性降低的问题。如果 粘接性降低，则固化物不再能够追随使用时的半导体芯片的变形、偏移，发生剥离，有可能 引起性能的降低。在专利文献11中记载了包含含有烯基的有机聚硅氧烷、有机硅树脂、含有 烯基的水解性有机聚硅氧烷、导热性填料、有机氢聚硅氧烷、铂系催化剂和控制剂作为必要 成分的导热性有机硅组合物。在专利文献12中记载了可提供与现有的导热性有机硅组合物 相比具有高热导率且粘接性良好的有机硅组合物。专利文献13记载了包含10小时半衰期温 度为80℃以上且不到130℃的过氧化物作为固化剂的导热性有机硅组合物，记载了该组合 物能够提供在具有金等贵金属层的基材表面上能够容易地固化的散热材料。 现有技术文献 专利文献 专利文献1：日本专利第2938428号公报 专利文献2：日本专利第2938429号公报 专利文献3：日本专利第3580366号公报 专利文献4：日本专利第3952184号公报 专利文献5：日本专利第4572243号公报 专利文献6：日本专利第4656340号公报 专利文献7：日本专利第4913874号公报 专利文献8：日本专利第4917380号公报 专利文献9：日本专利第4933094号公报 专利文献10：日本特开2008-260798号公报 专利文献11：日本特开2009-209165号公报 4 CN 111601853 A 说 明 书 2/15 页 专利文献12：日本特开2012-102283号公报 专利文献13：日本特开2012-96361号公报
技术实现要素：
发明要解决的课题 近年来，在高品位机种的半导体装置中工作时的发热量增大。另一方面，进行了小 型化引起的部件的削减，需要开发具有高热导率和高粘接能力的散热材料。 本发明鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供与现有的有机硅组合物相比具有 高热导率并且粘接性良好的有机硅组合物。 用于解决课题的手段 本发明人为了实现上述目的进行了深入研究，结果发现：通过制成分别含有特定 量的含有脂肪族不饱和烃基的有机聚硅氧烷、具有脂肪族不饱和烃基的有机硅树脂、具有 特定结构的有机氢聚硅氧烷、特定的有机过氧化物、导热性填料的有机硅组合物，从而能够 提供即使大量地含有导热性填料也具有良好的粘接性的有机硅组合物，完成了本发明。 即，本发明提供下述有机硅组合物。 1.有机硅组合物，其含有： (A)在1分子中具有至少2个脂肪族不饱和烃基、25℃下的运动粘度为60～100 , 000mm2/s的有机聚硅氧烷：50～99.9质量份， (B)在1分子中具有至少1个脂肪族不饱和烃基的有机硅树脂：0.1～50质量份(其 中，(A)成分与(B)成分的合计量为100质量份。)， (C)由下述结构式(1)表示的有机氢聚硅氧烷， [化1] (式中，R1相互独立地为碳原子数1～6的烷基或氢原子。m、n为满足5.0≤m n≤ 100、且n/(m n)≤0.6的数。不过，在分子中具有SiH基，R1的全部不会都为氢原子。) (D)10小时半衰期温度为40℃以上的有机过氧化物：相对于(A)成分和(B)成分的 合计100质量份，为0.01～10质量份，和 (E)具有10W/(m·℃)以上的热导率的导热性填料：相对于(A)成分和(B)成分的合 计100质量份，为100～3,000质量份。 2.1所述的有机硅组合物，其还含有(F)由下述结构式(2) [化2] (式中，R2相互独立地为碳原子数1～6的烷基，R3为碳原子数2～6的烯基，p、q为满 足5.0≤p q≤100的数。) 5 CN 111601853 A 说 明 书 3/15 页 表示的水解性有机聚硅氧烷：相对于所述(A)成分和所述(B)成分的合计100质量 份，为1～50质量份。 3.1或2所述的有机硅组合物，其还含有(G)由下述通式(3) [化3] (式中，R4相互独立地为碳原子数1～6的烷基，r为5～100的整数。) 表示的水解性有机聚硅氧烷：相对于所述(A)成分和所述(B)成分的合计100质量 份，为1～50质量份。 4.1～3中任一项所述的有机硅组合物，其还含有(H)具有选自环氧基、(甲基)丙烯 酰氧基、烷氧基甲硅烷基和羰基中的至少1个官能团的有机氢聚硅氧烷。 5 .1～4中任一项所述的有机硅组合物，其还含有(I)铂族金属催化剂：有效量和 (J)反应控制剂：相对于所述(A)成分和所述(B)成分的合计100质量份，为0.05～5.0质量 份。 发明的效果 本发明的有机硅组合物即使大量地含有导热性填料，也能够具有良好的粘接性。
