技术摘要：
本发明提供一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置。所述制备方法包括步骤：提供一衬底基板；在所述衬底基板上制备第一阻挡层；在所述第一阻挡层上制备导电层；在所述导电层上制备第二阻挡层；在所述第二阻挡层上形成光阻图案；对所述第一阻挡层、所述导电层、以  全部
背景技术：
随着平板显示技术的发展，人们对显示器尺寸、分辨率和画面刷新速率的追求越 来越高，因此采用铜取代铝作为导电金属材料。但是铜膜作为导电层时，与玻璃基板以及二 氧化硅介电层之间的附着力较差，尤其是低温沉积二氧化硅介电层，再经过退火等高温制 程后，容易出现剥落现象。 现有技术的TFT半导体制程，为了提高铜膜与其他膜层的附着力，通常采用三层铜 结构，在铜膜的顶部和底部沉积阻挡层。但在实际蚀刻过程中，由于阻挡层与铜的蚀刻选择 比较大，导致蚀刻后锥形的顶部阻挡层和中间的铜界面产生帽檐，在后续制备介电层时，介 电层对锥形铜的覆盖性不佳，进而出现断裂。故，有必要改善这一缺陷。
技术实现要素：
本发明实施例提供一种显示面板的制备方法，用于解决现有技术的显示面板，其 导电层采用三层铜结构，在蚀刻过程中，由于阻挡层与铜的蚀刻选择比较大，导致蚀刻后顶 部阻挡层与中间铜膜的界面处产生帽檐，在后续制备介电层时，导致介电层对导电层覆盖 性不佳，以致出现介电层断裂的技术问题。 本发明实施例提供一种显示面板的制备方法，包括步骤：提供一衬底基板；在所述 衬底基板上制备第一阻挡层；在所述第一阻挡层上制备导电层；在所述导电层上制备第二 阻挡层；在所述第二阻挡层上涂布光阻，对所述光阻进行曝光、显影，形成光阻图案；对所述 第一阻挡层、所述导电层、以及所述第二阻挡层进行第一次湿刻蚀，其中，所述第二阻挡层 端部形成第一凸起；对所述光阻图案进行等离子体处理，所述光阻图案与所述第二阻挡层 之间形成第一间隙；对所述第一阻挡层、所述导电层、以及所述第二阻挡层进行第二次湿刻 蚀；以及剥离所述光阻图案。 进一步的，所述导电层的材料为铜。 进一步的，所述第一阻挡层的材料为钽化钼、钛化钼、钼、铌化钼、钨化钼中的一种 或多种。 进一步的，所述第二阻挡层的材料为钽化钼、钛化钼、钼、铌化钼、钨化钼中的一种 或多种。 进一步的，所述第一阻挡层的材料与所述第二阻挡层的材料相同。 进一步的，所述对所述光阻图案进行等离子体处理具体为：使用惰性气体的等离 子体轰击所述光阻图案。 进一步的，所述使用惰性气体的等离子体轰击所述光阻图案具体为：使用氦气或 者氩气的等离子体轰击所述光阻图案。 3 CN 111584426 A 说　明　书 2/5 页 进一步的，所述第一间隙的深度与所述第一凸起的长度对应相等。 本发明实施例提供一种显示面板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的第一阻 挡层、位于所述第一阻挡层上的导电层、以及位于所述导电层上的第二阻挡层；其中，所述 第一阻挡层、所述导电层、以及所述第二阻挡层的截面宽度依次递减。 本发明实施例提供一种显示装置，包括上述的显示面板。 有益效果：本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法，通过在第一次湿刻蚀 后，采用等离子体轰击光阻，使得光阻与顶部阻挡层之间形成间隙，再进行第二次湿刻蚀， 有效去除顶部阻挡层产生的帽檐，避免后续制备介电层时发生破裂、断膜现象，提高产品良 率。 附图说明 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于 本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附 图。 图1是本发明实施例提供的显示面板的制备方法流程图。 图2a～2f是本发明实施例提供的显示面板的制备方法的工艺流程图。 图3是本发明实施例提供的显示面板的基本结构示意图。