技术摘要：
本发明涉及一种具有屏蔽功能的射频前端芯片封装及其制备方法，该方法包括以下步骤：在封装基板上设置第一半导体射频前端芯片以及第二半导体射频前端芯片；在所述封装基板上形成第一聚乙烯亚胺层，利用第一掩膜和第二掩膜分别形成第一银纳米线屏蔽层和第二银纳米线屏蔽  全部
背景技术：
射频前端是射频收发器和天线之间的一系列组件，主要包括功率放大器(PA)、天 线开关(Switch)、滤波器(Filter)、双工器(Duplexer和Diplexer)和低噪声放大器(LNA) 等。而半导体封装是：来自晶圆前道工艺的半导体晶圆通过划片工艺后被切割为小的半导 体晶片，然后将切割好的半导体晶片利用粘结材料贴装到相应的半导体封装基板上，然后 再利用金属引线将半导体晶片的接合焊垫连接到半导体封装基板的相应导电垫上，以构成 相应的电路；然后再对半导体晶片进行塑封。如何优化射频前端芯片的封装方法，这引起了 人们的广泛关注。
技术实现要素：
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种图像传感器及其形成方法。 为实现上述目的，本发明采用的技术方案是： 一种具有屏蔽功能的射频前端芯片封装的制备方法，包括以下步骤： 1)提供一封装基板，在所述封装基板上设置第一半导体射频前端芯片以及第二半 导体射频前端芯片。 2)接着在所述封装基板上旋涂第一聚乙烯亚胺的乙醇溶液，其中，所述第一聚乙 烯亚胺的乙醇溶液中聚乙烯亚胺的浓度为30-50mg/ml，接着进行烘干处理，以形成第一聚 乙烯亚胺层，所述第一聚乙烯亚胺层覆盖所述封装基板、所述第一半导体射频前端芯片以 及所述第二半导体射频前端芯片。 3)接着在所述封装基板上设置第一掩膜，所述第一掩膜仅暴露所述第一半导体射 频前端芯片所在的区域，接着旋涂第一银纳米线的乙醇悬浮液，其中，所述第一银纳米线的 乙醇悬浮液中银纳米线的浓度为30-40mg/ml，接着进行烘干处理，以形成第一银纳米线屏 蔽层，所述第一银纳米线屏蔽层仅覆盖所述第一半导体射频前端芯片，接着移除所述第一 掩膜。 4)接着在所述封装基板上设置第二掩膜，所述第二掩膜仅暴露所述第二半导体射 频前端芯片所在的区域，接着旋涂第二银纳米线的乙醇悬浮液，其中，所述第二银纳米线的 乙醇悬浮液中银纳米线的浓度为5-15mg/ml，接着进行烘干处理，以形成第二银纳米线屏蔽 层，所述第二银纳米线屏蔽层仅覆盖所述第二半导体射频前端芯片，接着移除所述第二掩 膜。 5)接着在所述封装基板上多次旋涂第二聚乙烯亚胺的乙醇溶液，其中，所述第二 聚乙烯亚胺的乙醇溶液中聚乙烯亚胺的浓度为20-30mg/ml，接着进行烘干处理，以形成第 二聚乙烯亚胺层，所述第二聚乙烯亚胺层覆盖所述第一聚乙烯亚胺层、所述第一银纳米线 4 CN 111584373 A 说　明　书 2/7 页 屏蔽层以及所述第二银纳米线屏蔽层。 6)接着在所述封装基板上设置第三掩膜，所述第三掩膜仅暴露所述第一半导体射 频前端芯片所在的区域，接着旋涂第三银纳米线的乙醇悬浮液，其中，所述第三银纳米线的 乙醇悬浮液中银纳米线的浓度为20-30mg/ml，接着进行烘干处理，以形成第三银纳米线屏 蔽层，所述第三银纳米线屏蔽层仅覆盖所述第一半导体射频前端芯片，接着移除所述第三 掩膜。 7)接着在所述封装基板上设置第四掩膜，所述第四掩膜仅暴露所述第二半导体射 频前端芯片所在的区域，接着旋涂第四银纳米线的乙醇悬浮液，其中，所述第四银纳米线的 乙醇悬浮液中银纳米线的浓度为3-9mg/ml，接着进行烘干处理，以形成第四银纳米线屏蔽 层，所述第四银纳米线屏蔽层仅覆盖所述第二半导体射频前端芯片，接着移除所述第四掩 膜。 8)接着在所述封装基板上形成模塑层，所述模塑层覆盖所述所述第二聚乙烯亚胺 层、所述第三银纳米线屏蔽层以及所述第四银纳米线屏蔽层。 优选的，在所述步骤2)中，所述第一聚乙烯亚胺层的厚度为250-500纳米。 优选的，在所述步骤3)和4)中，所述第一银纳米线的长度小于所述第二银纳米线 的长度，所述第一银纳米线的直径小于所述第二银纳米线的直径。 优选的，在所述步骤3)和4)中，所述第一银纳米线的长度为3-6微米，所述第一银 纳米线的直径为20-50纳米，所述第二银纳米线的长度为10-20微米，所述第二银纳米线的 直径为80-150纳米。 优选的，在所述步骤5)中，所述第二聚乙烯亚胺层的厚度为100-250纳米。 优选的，在所述步骤6)和7)中，所述第三银纳米线的长度小于所述第四银纳米线 的长度，所述第三银纳米线的直径小于所述第四银纳米线的直径。 优选的，在所述步骤6)和7)中，所述第三银纳米线的长度为1-4微米，所述第三银 纳米线的直径为15-35纳米，所述第四银纳米线的长度为8-15微米，所述第四银纳米线的直 径为60-120纳米。 本发明还提出一种具有屏蔽功能的射频前端芯片封装，其采用上述方法制备形成 的。 本发明与现有技术相比具有下列优点： 本发明的具有屏蔽功能的射频前端芯片封装中，针对不同的半导体射频前端芯 片，形成不同的银纳米线屏蔽层，一方面可以确保射频前端芯片封装中不同半导体射频前 端芯片均具有优异的电磁屏蔽性能，另一方面可以节约银纳米线的使用量，降低了成本。在 本发明的具有屏蔽功能的射频前端芯片封装的制备过程中，利用旋涂聚乙烯亚胺的乙醇溶 液方式可以形成均匀致密的聚乙烯亚胺层以封装射频前端芯片。本发明中，通过旋涂的方 式形成银纳米线屏蔽层，且利用掩膜以形成不同的银纳米线屏蔽层，适应不同射频前端芯 片对电磁屏蔽的不同需求，封装更加灵活。 附图说明 图1-图7为本发明的具有屏蔽功能的射频前端芯片封装形成过程中各步骤的结构 示意图。 5 CN 111584373 A 说　明　书 3/7 页