技术摘要：
本发明公开了一种显示面板及其制作方法，所述显示面板包括：薄膜晶体管阵列基板、存储电容和发光器件；其中，所述薄膜晶体管阵列基板包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管电性连接；所述驱动薄膜晶体管与所述发光器件电性连接  全部
背景技术：
OLED(Organic  Light  Emitting  Diode，有机发光二极管)显示面板具有高亮度、 宽视角、响应速度快、低功耗等优点，目前已被广泛地应用于高性能显示领域中。其中，在 OLED显示器面板中，OLED主驱动架构为由Switching(开关)/Driving(驱动)薄膜晶体管 (TFT)与存储电容Cst组成的2T1C主驱动架构。当前，显示面板的存储电容的面积约为TFT面 积的8-10倍，降低了面板的开口率。 故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
技术实现要素：
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法，其能提高显示面板的开口率。 本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括：薄膜晶体管阵列基板、存储 电容和发光器件；其中， 所述薄膜晶体管阵列基板包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管，所述开关薄膜 晶体管和所述驱动薄膜晶体管电性连接； 所述驱动薄膜晶体管与所述发光器件电性连接； 所述存储电容包括所述开关薄膜晶体管的第一有源层的导体化部分和所述发光 器件的阳极。 在本发明提供的显示面板中，所述开关薄膜晶体管包括所述第一有源层、第一栅 极、第一源极和第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别与所述第一有源层电性连接； 所述驱动薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二 源极和所述第二漏极分别与所述第二有源层电性连接，所述第二栅极与所述第一漏极电性 连接。 在本发明提供的显示面板中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括： 基底； 第一缓冲层，所述第二有源层覆盖所述第一缓冲层的一部分； 第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层覆盖所述第二有源层和所述第一缓冲层； 遮光层，所述遮光层与所述第二栅极同层设置； 第二缓冲层，所述第二缓冲层覆盖所述遮光层、所述第二栅极和所述第一栅极绝 缘层，所述第一有源层设置在所述第二缓冲层上； 第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一有源层的一部分，所述第一 栅极设置在所述第二栅极绝缘层上； 层间介质层，所述层间介质层覆盖所述第二缓冲层、所述第一有源层、所述第一栅 极； 4 CN 111584577 A 说　明　书 2/6 页 金属层，所述金属层包括第一连接线、第一过孔、第二过孔和第三过孔，其中，所述 第一连接线设置在所述层间介质层上，且所述第一连接线的第一端通过所述第一过孔与所 述第一漏极电性连接，所述第二过孔贯穿所述层间介质层，所述第一连接线的第二端通过 所述第二过孔与所述第二栅极电性连接，所述第二漏极通过所述第三过孔与所述阳极电性 连接； 钝化层，所述钝化层覆盖所述层间介质层。 在本发明提供的显示面板中，所述存储电容包括作为下极板的所述第一有源层的 导体化部分和作为上极板的与所述下极板相对设置的所述阳极。 在本发明提供的显示面板中，所述存储电容还包括介电层，所述介电层包括设置 于所述上极板和所述下极板之间的所述层间介质层、所述钝化层、所述发光器件的彩膜层、 所述发光器件的像素定义层中的一者或其任意组合。 在本发明提供的显示面板中，所述显示面板还包括补偿薄膜晶体管，所述补偿薄 膜晶体管包括第三有源层、第三栅极、第三源极和第三漏极，所述第三源极和所述第三漏极 分别与所述第三有源层电性连接，其中，所述第三有源层和所述第一有源层同层设置。 在本发明提供的显示面板中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括第三栅极绝缘层， 所述第三栅极绝缘层设置在所述第三有源层上，所述第三栅极设置在所述第三栅极绝缘层 上，且所述第三栅极绝缘层是在形成所述第二栅极绝缘层时形成的。 在本发明提供的显示面板中，所述金属层还包括第二连接线和第四过孔，所述第 二连接线的第一端通过所述第三过孔与所述第二漏极电性连接，所述第二连接线的第二端 通过所述第四过孔与所述第三源极电性连接。 本发明还提供一种显示面板的制作方法，包括以下步骤： 形成薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括驱动薄膜晶体管和开关 薄膜晶体管，其中，所述开关薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极， 所述驱动薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极； 对所述第一有源层的至少一部分进行导体化处理，以形成存储电容的下极板； 在所述薄膜晶体管阵列基板上形成发光器件，所述发光器件包括彩膜层、阳极、发 光层、阴极和像素定义层，其中，所述阳极与所述下极板对应的位置作为所述存储电容的上 极板。 在本发明提供的显示面板的制作方法中，所述存储电容还包括介电层，所述介电 层包括设置于所述上极板和所述下极板之间的层间介质层、钝化层、所述彩膜层、所述像素 定义层中的一者或其任意组合。 有益效果：在本发明提供的显示面板及其制作方法中，将开关薄膜晶体管的第一 有源层的导体化部分作为存储电容的下极板，将发光器件的阳极与下极板对应的部分作为 上极板，并将上极板和下极板均设计为透明极板。通过此设计，将存储电容设置于显示面板 的发光区域，与现有技术中将存储电容设置于非发光区域相比，减小了非发光区域的占用 面积，提高了显示面板的开口率。 同时，采用介电常数高的介电材料作为存储电容的介电层，可进一步缩小电容区 域的面积。 最后，本发明中的显示面板及其制作方法在薄膜晶体管阵列基板上设置补偿薄膜 5 CN 111584577 A 说　明　书 3/6 页 晶体管，可对每一像素中的驱动晶体管的阈值电压进行有效补偿。 为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作 详细说明如下。 附图说明 图1为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图； 图2为本发明实施例提供的显示面板的另一结构的示意图； 图3为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤流程图； 图4至图7为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的示意图。