技术摘要：
本申请公开了一种背接触太阳电池，包括基底，基底的正面设置有正面钝化减反射层，基底的背面依次设置有背面隧穿钝化层、背面掺杂膜层及背面介质膜层，背面掺杂膜层包括p型掺杂膜层区域和n型掺杂膜层区域；p型掺杂膜层区域与n型掺杂膜层区域呈叉指状间隔排列或间隔排列  全部
背景技术：
背接触太阳电池，又称为叉指状背接触(Interdigitated  Back  Contact；IBC)太 阳电池，其属于背接触太阳电池的一种。IBC太阳电池最大的特点是发射区电极和基区电极 都处于电池的背面，从而减少了遮光，提高了光电转换效率。太阳电池的增效和降低成本一 直是需要持续进行的重要课题。 钝化接触结构在太阳电池方案中作为降低金属复合的重要方案，应用于各种电池 结构中。在钝化接触结构中，掺杂膜层的掺杂浓度通常会影响电池的电极接触性能，掺杂膜 层的掺杂溶度越高，则钝化层与栅线接触区的宽度将变得越薄，则接触区的电阻可以将的 很小，电子更容易通过隧道效应贯穿势垒形成隧道电流。但是，在p型掺杂膜层的应用中，更 易出现掺杂浓度较低无法形成良好接触的情况。 目前IBC太阳电池通常使用n型硅片作为基底材料，n型硅片目前商业化的成本仍 然略高于p型硅片。此外，现有的IBC太阳电池通常使用银材料形成背面电极。银材料作为贵 金属，其成本较高，不利于产业化成本的降低。银材料和掺杂层形成接触时，掺杂层的掺杂 浓度越高，银材料的栅线和掺杂层的接触电阻会越低，即掺杂层的掺杂浓度越高，栅线和掺 杂层才能有更好的接触。但是，由于n型硅片通常较难做到较高的掺杂浓度，使得接触区电 阻较大，影响电池性能。
技术实现要素：
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种背接触太阳电池，至少用以解 决现有IBC太阳电池成本较高、电池性能需要提高的问题。 第一方面，本发明提供一种背接触太阳电池，包括基底，所述基底的正面设置有正 面钝化减反射层，所述基底的背面依次设置有背面隧穿钝化层、背面掺杂膜层及背面介质 膜层，所述背面掺杂膜层包括p型掺杂膜层区域和n型掺杂膜层区域；所述p型掺杂膜层区域 与所述n型掺杂膜层区域呈叉指状间隔排列或间隔排列，所述基底为p型基底；所述背面介 质膜层设置有暴露所述n型掺杂膜层区域的负电极栅线图案，以及暴露所述p型掺杂膜层区 域的正电极栅线图案；所述负电极栅线图案内形成有负极栅线，所述正电极栅线图案内形 成有正极栅线，还包括负极连接电极和正极连接电极，所述负极连接电极连接多条所述负 极栅线，所述正极连接电极连接多条所述正极栅线，所述正极栅线为铝栅线。 进一步地，所述负极栅线为银栅线，所述银栅线的宽度为10um～100um。 进一步地，所述铝栅线的宽度为20um～200um。 进一步地，所述n型掺杂膜层区域的宽度为0.08～3mm，所述p型掺杂膜层区域的宽 度为0.05～1mm。 进一步地，所述背面掺杂膜层的材料包括多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或任意 3 CN 111599874 A 说　明　书 2/5 页 两种以上组合。 进一步地，所述n型掺杂膜层区域掺杂有VA族元素，所述p型掺杂膜层区域掺杂有 IIIA族元素。 进一步地，所述VA族元素的掺杂浓度为1×1017～5×1021cm-3，所述IIIA族元素的 掺杂浓度为1×1017～5×1020cm-3。 进一步地，所述正面钝化减反射层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、 碳化硅中的一种或任意两种以上组合；和/或， 所述背面介质膜层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的一 种或任意两种以上组合；和/或， 所述背面隧穿钝化层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅和非 晶硅中的一种。 进一步地，所述正极连接电极的材料包括银、铜、铝、镍中的一种或任意两种以上 组合；所述负极连接电极的材料包括银、铜、铝、镍中的一种或任意两种以上组合。 进一步地，所述正面钝化减反射层与所述p型基底之间形成有正面掺杂层；所述正 面掺杂层为n型掺杂层或p型掺杂层。 上述方案，基底采用p型基底，相对于采用n型基底，降低了成本。此外，在p型掺杂 膜层区域形成铝栅线，铝作为IIIA族元素，对p型掺杂膜层区具有一定的掺杂作用，因此可 以降低对p型掺杂膜层区域自身掺杂浓度的要求，较采用银栅线，大大降低了p型掺杂膜层 区域的掺杂难度。在对p型掺杂膜层区域形成铝栅线的过程中，使得铝作为IIIA族掺杂剂提 高了接触区域的硅的掺杂浓度，从而使得铝栅线和p型掺杂膜层区域的接触电阻大幅降低。 解决了现有IBC电池结构中，接触电阻过高的问题。还有，采用铝栅线较采用银栅线还降低 了生产成本。 附图说明 通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它 特征、目的和优点将会变得更明显： 图1为本发明实施例提供的背接触太阳电池的结构示意图； 图2为本发明实施例提供的背接触太阳电池的电极示意图； 图3为本发明实施例提供的另一结构背接触太阳电池的结构示意图。