技术摘要：
本发明涉及碳化硅单晶衬底。一种碳化硅单晶衬底，具有包含直径为100mm的圆的形状的主表面，其中，在布及所述主表面的整个面的任意的位置处通过将c轴向所述主面投影而得到的多个方向上的角度全部分布在3°以内。
背景技术：
近年来已经积极研究了使用碳化硅(SiC)作为半导体材料。SiC的宽带隙可以有助 于增强半导体器件的性能。在制造SiC半导体时，通常，需要SiC衬底。SiC衬底(晶片)可以通 过切割SiC单晶(锭)来形成。 日本专利特开No.2001-294499(专利文献1)公开了一种碳化硅单晶晶片，其具有 不小于50mm的直径并且用于生长外延薄膜的衬底。根据该公布，晶片上任意两点之间的生 长面取向偏差可以不大于60秒/厘米，从而可以在晶片的整个表面上外延生长良好质量的 薄膜。 根据本发明人进行的研究，像日本专利特开No.2001-294499中的技术那样，简单 地通过控制碳化硅单晶衬底的生长面的取向偏离，不能充分减轻在制造用这种碳化硅衬底 制造半导体器件时的变化。
技术实现要素：
鉴于以上问题制造了本发明，其目的是提供一种制造高质量碳化硅单晶的方法和 允许更稳定的制造半导体器件的碳化硅单晶衬底。 根据本发明的制造碳化硅单晶的方法具有以下步骤。制备具有第一侧和与第一侧 相反的第二侧的坩埚。在该坩埚的第一侧，布置用于利用升华方法生长碳化硅的固体源材 料。在该坩埚的第二侧布置由碳化硅制成的籽晶。将坩埚布置在绝热容器中。绝热容器具有 面向坩埚的第二侧的开口。加热坩埚，使得固体源材料升华。通过绝热容器中的开口，测量 在加热的坩埚的第二侧的温度。绝热容器中的开口具有向着绝热容器的外侧变窄的锥形内 表面。 根据本发明的碳化硅单晶衬底是由碳化硅单晶制成的，该碳化硅单晶具有主表 面，所述主表面为包含直径为100mm的圆的形状。在通过在主表面上投影c轴获得的方向上 的角分布为在3°以内。 根据本发明的制造方法，可以提高碳化硅单晶的质量。根据本发明的碳化硅单晶 衬底，可以以更可靠的方式制造半导体器件。 结合附图时，由下面本发明的详细描述，本发明的上述和其它目的、特征、方面和 优点将变得更加明显。 3 CN 111575786 A 说　明　书 2/7 页 附图说明 图1是示意性示出本发明第一实施例中的用于制造碳化硅单晶的方法的制造设备 的构造的截面图。 图2和3是示意性示出图1的坩埚和绝热材料的构造的截面图。 图4是示意性示出本发明第一实施例中的制造碳化硅单晶的方法的流程图。 图5是示意性示出本发明第一实施例中的制造碳化硅单晶的方法中的第一步骤的 截面图。 图6是示意性示出本发明第一实施例中的制造碳化硅单晶的方法中的第二步骤的 截面图。 图7是示意性示出比较例中的制造设备的构造的截面图。 图8是示意性示出比较例中的制造方法的一个步骤的截面图。 图9是示意性示出本发明第二实施例中的制造碳化硅单晶的方法中的一个步骤的 截面图。 图10是示意性示出本发明第三实施例中的用于制造碳化硅单晶的方法的制造设 备的绝热材料的构造的截面图。 图11是示意性示出本发明第四实施例中的用于制造碳化硅单晶的方法的制造设 备的绝热材料的构造的截面图。 图12是示意性示出本发明第五实施例中的制造碳化硅单晶衬底的方法中的一个 步骤的截面图。 图13是示意性示出本发明第五实施例中的碳化硅单晶衬底的构造的平面图。 图14是沿着图13中的线XIV-XIV的示意性截面图。 图15是示意性示出图13的变形的平面图。