技术摘要：
本发明提供了一种铜表面氧化物的处理方法，包括以下步骤：a)将表面有氧化物的铜在惰性气体保护条件下进行加热，得到待处理的铜；b)将步骤a)得到的待处理的铜与甲酸气体进行接触，得到去除表面氧化物的铜。与现有技术相比，本发明提供的处理方法通过甲酸气体与加热后的 全部
背景技术：
电子封装就是安装集成电路内置芯片外用的管壳，起着安放固定密封，保护集成 电路内置芯片，增强环境适应的能力，并且集成电路芯片上的铆点也就是接点，是焊接到封 装管壳的引脚上的。为了延续甚至超越摩尔定律，不断提高封装密度，缩短互连长度和降低 功耗，实现电子产品的多功能化和小型化，近年来智能手机、平板电脑等电子产品逐渐采用 三维系统封装技术。键合(Bonding)是指通过物理、化学或两者共同作用，将两种相同(如Cu 与Cu)或不同(如硅片与陶瓷，硅片与金属等)材料基片紧密粘合在一起的工艺过程。 近年来，随着金价格的不断上升，人们在不断的寻求着价格较低的替代品；而铜具 有优于金的导电和导热能力，以及低于金的价格，使得铜逐渐成为主要的互连材料。但是， 铜在空气中极易氧化，这是铜键合技术面临的主要困难和挑战。 现有技术对铜表面氧化物进行处理的技术方案主要使用离子束轰击铜氧化物表 面，但是该技术方案对铜表面可能产生一定的污染、工艺过于复杂且设备成本较高，因而限 制了其广泛应用。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种铜表面氧化物的处理方法，本发明提供的 处理方法处理效果好，对铜表面污染小、工艺简单且成本低。 本发明提供了一种铜表面氧化物的处理方法，包括以下步骤： a)将表面有氧化物的铜在惰性气体保护条件下进行加热，得到待处理的铜； b)将步骤a)得到的待处理的铜与甲酸气体进行接触，得到去除表面氧化物的铜。 优选的，步骤a)中所述加热的过程具体为： 将表面有氧化物的铜置于密闭环境中，抽真空后通入惰性气体进行保护，再加热， 得到待处理的铜。 优选的，步骤a)中所述抽真空的真空度为1Pa～10Pa。 优选的，步骤a)中所述加热的温度为175℃～225℃。 优选的，步骤a)中所述加热的温度为200℃。 优选的，步骤b)中所述接触的过程具体为： 连续通入甲酸气体使所述甲酸气体在待处理的铜表面吸附后进行还原反应，脱附 后得到去除表面氧化物的铜。 优选的，步骤b)中所述连续通入甲酸气体的流量为15mL/min～25mL/min。 优选的，步骤b)中所述连续通入甲酸气体的流量为20mL/min。 优选的，步骤b)中所述接触的时间为0.5min～60min。 3 CN 111607801 A 说 明 书 2/4 页 优选的，步骤b)中所述接触的时间为30min。 本发明提供了一种铜表面氧化物的处理方法，包括以下步骤：a)将表面有氧化物 的铜在惰性气体保护条件下进行加热，得到待处理的铜；b)将步骤a)得到的待处理的铜与 甲酸气体进行接触，得到去除表面氧化物的铜。与现有技术相比，本发明提供的处理方法通 过甲酸气体与加热后的表面有氧化物的铜进行接触，使所述表面有氧化物的铜实现了表面 彻底清洁；本发明提供的处理方法处理效果好，处理后得到的去除表面氧化物的铜表面粗 糙度和平均面积高，且对铜表面污染小，能够直接用于铜键合；同时，该处理方法工艺简单、 工艺要求也较低，并且成本低，适用于工业化生产。 附图说明 图1为本发明中所述甲酸气体在待处理的铜表面吸附后进行还原反应的过程的示 意图； 图2为本发明实施例1～3得到的去除表面氧化物的铜的AFM测试结果数据图。
本发明提供了一种铜表面氧化物的处理方法，包括以下步骤：a)将表面有氧化物的铜在惰性气体保护条件下进行加热，得到待处理的铜；b)将步骤a)得到的待处理的铜与甲酸气体进行接触，得到去除表面氧化物的铜。与现有技术相比，本发明提供的处理方法通过甲酸气体与加热后的 全部
背景技术：
电子封装就是安装集成电路内置芯片外用的管壳，起着安放固定密封，保护集成 电路内置芯片，增强环境适应的能力，并且集成电路芯片上的铆点也就是接点，是焊接到封 装管壳的引脚上的。为了延续甚至超越摩尔定律，不断提高封装密度，缩短互连长度和降低 功耗，实现电子产品的多功能化和小型化，近年来智能手机、平板电脑等电子产品逐渐采用 三维系统封装技术。键合(Bonding)是指通过物理、化学或两者共同作用，将两种相同(如Cu 与Cu)或不同(如硅片与陶瓷，硅片与金属等)材料基片紧密粘合在一起的工艺过程。 近年来，随着金价格的不断上升，人们在不断的寻求着价格较低的替代品；而铜具 有优于金的导电和导热能力，以及低于金的价格，使得铜逐渐成为主要的互连材料。但是， 铜在空气中极易氧化，这是铜键合技术面临的主要困难和挑战。 现有技术对铜表面氧化物进行处理的技术方案主要使用离子束轰击铜氧化物表 面，但是该技术方案对铜表面可能产生一定的污染、工艺过于复杂且设备成本较高，因而限 制了其广泛应用。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种铜表面氧化物的处理方法，本发明提供的 处理方法处理效果好，对铜表面污染小、工艺简单且成本低。 本发明提供了一种铜表面氧化物的处理方法，包括以下步骤： a)将表面有氧化物的铜在惰性气体保护条件下进行加热，得到待处理的铜； b)将步骤a)得到的待处理的铜与甲酸气体进行接触，得到去除表面氧化物的铜。 优选的，步骤a)中所述加热的过程具体为： 将表面有氧化物的铜置于密闭环境中，抽真空后通入惰性气体进行保护，再加热， 得到待处理的铜。 优选的，步骤a)中所述抽真空的真空度为1Pa～10Pa。 优选的，步骤a)中所述加热的温度为175℃～225℃。 优选的，步骤a)中所述加热的温度为200℃。 优选的，步骤b)中所述接触的过程具体为： 连续通入甲酸气体使所述甲酸气体在待处理的铜表面吸附后进行还原反应，脱附 后得到去除表面氧化物的铜。 优选的，步骤b)中所述连续通入甲酸气体的流量为15mL/min～25mL/min。 优选的，步骤b)中所述连续通入甲酸气体的流量为20mL/min。 优选的，步骤b)中所述接触的时间为0.5min～60min。 3 CN 111607801 A 说 明 书 2/4 页 优选的，步骤b)中所述接触的时间为30min。 本发明提供了一种铜表面氧化物的处理方法，包括以下步骤：a)将表面有氧化物 的铜在惰性气体保护条件下进行加热，得到待处理的铜；b)将步骤a)得到的待处理的铜与 甲酸气体进行接触，得到去除表面氧化物的铜。与现有技术相比，本发明提供的处理方法通 过甲酸气体与加热后的表面有氧化物的铜进行接触，使所述表面有氧化物的铜实现了表面 彻底清洁；本发明提供的处理方法处理效果好，处理后得到的去除表面氧化物的铜表面粗 糙度和平均面积高，且对铜表面污染小，能够直接用于铜键合；同时，该处理方法工艺简单、 工艺要求也较低，并且成本低，适用于工业化生产。 附图说明 图1为本发明中所述甲酸气体在待处理的铜表面吸附后进行还原反应的过程的示 意图； 图2为本发明实施例1～3得到的去除表面氧化物的铜的AFM测试结果数据图。
