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密封组合物和其制造方法、以及半导体装置

技术摘要:
密封组合物含有环氧树脂、固化剂、和空隙率为18体积%以下的无机填充材料。
背景技术:
近年来,随着小型化和高集成化,半导体封装体内部的发热令人担忧。由于担心具 有半导体封装体的电气部件或电子部件的性能会由于发热而发生下降,因此对半导体封装 体中使用的构件要求高热传导性。因此,需要使半导体封装体的密封材料高热传导化。 另外,在密封半导体封装体时,对密封材料要求高流动性。 例如,在使用氧化铝作为无机填充材料的情况下,存在虽然能够实现密封材料的 高热传导化、但密封材料的流动性下降的情况,密封材料的高热传导化与提高流动性处于 此消彼长的关系。因此,存在难以兼顾高热传导化和提高流动性的情况。 作为无机填充材料中使用了氧化铝的密封材料的例子,已知一种半导体密封用环 氧树脂组合物,其特征在于,其为以(A)环氧树脂、(B)固化剂以及(D)含有球状氧化铝和球 状二氧化硅的无机填充材料为必需成分的半导体密封用环氧树脂组合物,上述球状氧化铝 包含(d1)平均粒径为40μm以上且70μm以下的第1球状氧化铝、和(d2)平均粒径为10μm以上 且15μm以下的第2球状氧化铝,上述球状二氧化硅包含(d3)平均粒径为4μm以上且8μm以下 的第1球状二氧化硅、(d4)平均粒径为0.05μm以上~1.0μm以下的第2球状二氧化硅,(d3) (d4)的合计量相对于全部无机填充材料为17%以上且23%以下,(d3)/(d4)的比率为(d3)/ (d4)=1/8以上且5/4以下,无机填充材料量在全部树脂组合物中为85质量%~95质量% (例如,参照专利文献1)。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2006-273920号公报
技术实现要素:
发明要解决的课题 但是,存在由于采用作为高热传导填料的氧化铝、从而密封材料的固化性和成形 性变差的情况。因此,确保流动性、成形性和固化性的高热传导密封材料的开发是一个难 题。 本公开是鉴于上述的现状而完成的,其目的在于提供:固化性、流动性和成形性优 异、制成固化物时的热传导性优异的密封组合物和其制造方法;以及使用密封组合物的半 导体装置。 用于解决课题的方案 用于解决上述课题的具体方案如下所述。 <1>一种密封组合物,其含有环氧树脂、固化剂、和空隙率为18体积%以下的无 机填充材料。 3 CN 111601849 A 说 明 书 2/11 页 <2>根据<1>所述的密封组合物,其中,上述无机填充材料的体积平均粒径为4 μm~100μm。 <3>根据<1>或<2>所述的密封组合物,其中,上述无机填充材料包含氧化铝 和二氧化硅中的至少一者。 <4>根据<1>~<3>中任一项所述的密封组合物,其中,上述无机填充材料的 比表面积为0.7m2/g~4.0m2/g。 <5>一种半导体装置,其包含半导体元件、和密封上述半导体元件的<1>~<4 >中任一项所述的密封组合物的固化物。 <6>一种密封组合物的制造方法,其具有: 确定无机填充材料的组成以使空隙率达到预先规定的值的工序;和 将通过所述工序确定了组成的无机填充材料、环氧树脂和固化剂混合的工序。 发明效果 根据本公开,可提供:固化性、流动性和成形性优异、制成固化物时的热传导性优 异的密封组合物和其制造方法;以及使用密封组合物的半导体装置。
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