技术摘要：
本发明公开了一种半导体激光器芯片与LNOI光芯片的异构集成结构，包括镶嵌槽、激光器芯片、SiN锥形结构、LNOI锥形结构、过渡凹槽和LNOI集成光路；镶嵌槽位于SiN锥形结构和LNOI锥形结构中间，激光器芯片通过贴片材料键合在镶嵌槽中，激光器发光端面嵌入双层锥形结构并与  全部
背景技术：
薄膜铌酸锂(LNOI，Lithium  Niobate  on  Insulator)材料是一种新兴集成光电子 芯片材料。与传统LiNbO3体材料相比，具有更强的光约束能力、更高的集成度及更高的电光 调控效率，在集成微波光子领域具有广泛的应用前景。 半导体激光器做为光源，与LNOI光子芯片的芯片集成是该技术领域发展的必然趋 势和需求。然而，针对这样需求，目前还没有相关技术报道。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种高效的半导体激光器芯片与LNOI光芯片的异构集成 结构，实现半导体激光器芯片与LNOI光子芯片的异构集成。 实现本发明目的的技术解决方案为：一种半导体激光器芯片与LNOI光芯片的异构 集成结构，包括镶嵌槽、激光器芯片、SiN锥形结构、LNOI锥形结构、过渡凹槽和LNOI集成光 路； 镶嵌槽位于双层的SiN锥形结构和LNOI锥形结构中，激光器芯片键合在镶嵌槽中， 并与双层锥形结构对准，且在对准端面设置折射率匹配胶、增透膜；双层的SiN锥形结构和 LNOI锥形结构外侧为挖空结构； LNOI集成光路嵌于SiO2包层中，所述SiO2包层包括SiO2上包层和SiO2下包层，SiO2 下包层位于衬底上方，LNOI集成光路位于SiO2下包层上方，LNOI集成光路和LNOI锥形结构 位于同一平面，LNOI锥形结构顶端与LNOI集成光路连接，SiN锥形结构位于LNOI锥形结构上 面，SiN锥形结构、LNOI锥形结构和LNOI集成光路上面统一覆盖一层SiO2上包层，过渡凹槽 底面与衬底上表面共面。 与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：(1)本发明提供了一种半导体激光器 芯片与LNOI光子芯片异构集成的结构，将半导体激光器芯片镶嵌在双层的SiN锥形结构、 LNOI锥形结构中，激光器芯片发光端面嵌入双层的SiN锥形结构和LNOI锥形结构的锥形区 并对准，实现激光器芯片发光模场尺寸的横向压缩和纵向约束，降低激光器芯片与LNOI光 子芯片的耦合损耗，在对准端面加入折射率匹配胶、增透膜进一步降低耦合损耗；(2)本发 明将双层的SiN锥形结构和LNOI锥形结构两侧挖空，实现双层的SiN锥形结构、LNOI锥形结 构和空气包层的大折射率差，提高光约束作用，降低锥形结构侧面辐射和散射，且强的光约 束作用可使LNOI锥形结构顶端输出光模场尺寸小于LNOI集成光路中的光模场尺寸，有效降 低LNOI锥形结构与LNOI集成光路的光耦合损耗。 3 CN 111585166 A 说　明　书 2/3 页 附图说明 图1为本发明一种半导体激光器芯片与LNOI光子芯片异构集成结构的俯视图。 图2为本发明一种半导体激光器芯片与LNOI光子芯片异构集成结构的剖面图。 图3为LNOI脊型波导结构示意图。 图4为LNOI矩形波导结构示意图。