技术摘要：
一种多晶硅制造装置，本发明提供了一种可以提高多晶硅制造装置的反应炉内的密封性及电极与底板之间的绝缘性的技术。在用于对硅芯线供给电力的电极和底板部之间设置一体式套筒结构的绝缘部件，将密封部件分别配置于绝缘部件的凸缘部的至少一部分和绝缘部件的直主体部的  全部
背景技术：
多晶硅是半导体用单晶硅或太阳能电池用硅的原料。作为多晶硅的制造方法，已 知有西门子法。西门子法通常是通过使硅烷原料气体与加热后的硅芯线接触，使用CVD (Chemical  Vapor  Deposition：化学气相沉积)法使多晶硅在该硅芯线的表面析出的方法。 就西门子法而言，将硅芯线组装成垂直方向两根、水平方向一根的门型，将该门型 硅芯线的两端部分别与芯线保持架连接，并固定于配置在基板上的一对金属制电极上。一 般而言，成为在反应炉内配置多组门型硅芯线的结构。 通过通电将门型硅芯线加热至析出温度，使例如三氯氢硅和氢的混合气体作为原 料气体与硅芯线接触，从而硅发生气相沉积，希望的直径的多晶硅棒形成为倒U字状。 将电极插入到反应炉的底板部(基板)的贯通孔内。即，希望在电极和底板部之间 具有隔离炉内空间的密封性能及电极与底板之间的绝缘性能这两者。 在日本特开2010-30878公报中公开了一种多晶硅制造装置，该多晶硅制造装置是 将形成为插入有电极保持架的状态的底板部的贯通孔设为下部为直线部且上部为朝向上 方逐渐扩径的锥形部的结构的装置，根据该结构的多晶硅制造装置，可以保护将反应炉的 底板部和电极之间电绝缘的绝缘材料免受反应时的热量，能够吸收热膨胀差，并且可以维 持良好的绝缘性。但是，采用该结构需要对装置进行大幅改造，存在制造成本变高这样的问 题。 另外，在日本特表2018-502031号公报中公开了一种用于将CVD反应器内的电极保 持架绝缘及密封的装置，该装置在电极保持架和底板之间具备如下构成材料制的电绝缘 环，该构成材料的在室温下的相对热导率为1～200W/mK、持续使用温度为400℃以上、室温 下的电阻率超过109Ωcm，但根据本发明人等的研究可知，即使具有上述电绝缘环，也不能 得到充分的密封性能和绝缘性能。
技术实现要素：
【发明所要解决的问题】 本发明是鉴于这种问题而做出的，其目的在于，提供一种可以提高多晶硅制造装 置的反应炉内的密封性及电极与底板之间的绝缘性而不对以往的多晶硅制造装置进行大 幅改造的技术。 【用于解决问题的技术方案】 为了解决上述问题，本发明提供一种多晶硅制造装置，是基于西门子法的多晶硅 3 CN 111591998 A 说　明　书 2/4 页 的制造装置，其中，在用于对硅芯线供给电力的电极和底板部之间具备一体式套筒结构的 绝缘部件，所述绝缘部件具有在直主体部的上部设置有凸缘部的形状，该绝缘部件的凸缘 部的至少一部分嵌入于所述电极的凸缘部的下表面和所述底板部的上表面之间，并且所述 绝缘部件的直主体部的至少一部分嵌入于所述电极的直主体部和设置于所述底板部的贯 通孔部的侧面之间，在所述绝缘部件的至少两部位配置有密封部件。 在一方式中，所述密封部件分别配置于所述绝缘部件的凸缘部的至少一部分和所 述绝缘部件的直主体部的至少一部分。 需要说明的是，可以为在所述绝缘部件的凸缘部的至少一部分的两个以上部位配 置有所述密封部件的方式，同样，也可以为在所述绝缘部件的直主体部的至少一部分的两 个以上部位配置有所述密封部件的方式。 【发明效果】 根据本发明，提供了一种可以提高多晶硅制造装置的反应炉内的密封性及电极与 底板之间的绝缘性而不对以往的多晶硅制造装置进行大幅改造的技术。 附图说明 图1是用于说明本发明的多晶硅制造装置具备的一体式套筒结构的绝缘部件及密 封部件的配置的一方式的剖视图。 【标号说明】 1电极 2底板 3底板冷却材料流路 4电极冷却材料供给部 5一体式绝缘性套筒 6A、6B密封部件