技术摘要：
本发明公开了一种高压二极管、高压整流电路和变频式磁控管驱动电源。该高压二极管包括：多个芯片，多个芯片相串联，且在多个芯片形成的串联路径上，相邻两个芯片之间通过引线框架实现串联电连接，位于起始端的芯片连接有第一接线端，位于终点端的芯片连接有第二接线端 全部
背景技术：
现有的高压二极管通常为叠层型高压硅二极管，且包括多个二极管芯片，相邻两 个二极管芯片之间通过焊接层实现层叠固定，整个二极管的两端通过硬钎(焊)料钎接导 线，二极管芯片再通过环氧树脂实现封装。整个二极管的耐压能力是多个二极管芯片耐压 能力的累加，通过增加二极管芯片数量可以提升二极管的耐压能力。 对于一定的额定电压，如果提高单个二极管芯片的耐压能力，就可以减少层积的 芯片数量，但制作耐压高的二极管芯片有困难性。如果降低单个二极管芯片的耐压二极管， 则二极管芯片容易制作，但必须增加叠层的芯片数量。 通常二极管芯片的叠层数是7～10个，为了使其全部的发热从小型的热传导率低 的树脂壳散热并冷却，冷却结构的设计变得困难。
技术实现要素：
本发明旨在至少在一定程度上解决现有技术中的上述技术问题之一。为此，本发 明提出一种高压二极管，冷却性能较好。 本发明还提出了一种具有上述高压二极管的高压整流电路。 本发明又提出了一种具有上述高压整流电路的变频式磁控管驱动电源。 根据本发明实施例的高压二极管包括：多个芯片，多个所述芯片相串联，且在多个 所述芯片形成的串联路径上，相邻两个所述芯片之间通过引线框架实现串联电连接，位于 起始端的所述芯片连接有第一接线端，位于终点端的所述芯片连接有第二接线端；绝缘封 装层，多个所述芯片封装于所述绝缘封装层中，所述第一接线端和所述第二接线端从所述 绝缘封装层中伸出。 根据本发明实施例的高压二极管，多个芯片通过引线框架实现串联电连接，可以 增加整个二极管的耐压能力，且可使高压二极管的散热较好，此外，能够取消现有技术中叠 层型二极管中的焊接层，并且可以取消将多个芯片堆积、放入熔炉进行焊接结合的特殊工 序，进而可以削减在此特殊工序之后必需的芯片的斜面清洗工序，有利于降低成本。 根据本发明的一些实施例，所述引线框架包括：第一引线框架，所述第一引线框架 位于所述芯片的第一侧且用于连接其中相邻两个所述芯片的第一侧；第二引线框架，所述 第二引线框架位于所述芯片的第二侧且用于连接其中相邻两个所述芯片的第二侧。 具体地，其中一个芯片的第一侧通过对应的所述第一引线框架实现与串联路径上 游侧芯片的第一侧电连接，所述其中一个芯片的第二侧通过对应的所述第二引线框架实现 与串联路径下游侧芯片的第二侧电连接。 根据本发明的一些实施例，所述芯片具有阳极和阴极，相邻两个所述芯片的阴极 3 CN 111613609 A 说 明 书 2/6 页 与阳极反向布置。 根据本发明的一些实施例，所述引线框架包括：引线本体以及位于所述引线本体 两端的芯片连接部，两端的所述芯片连接部均与所述引线本体电连接，且每个所述芯片连 接部适于与对应的所述芯片电连接。 进一步地，所述引线框架还包括：散热支臂，所述散热支臂从所述芯片连接部延伸 出，所述散热支臂位于所述绝缘封装层中或从所述绝缘封装层中伸出。 可选地，所述散热支臂从所述绝缘封装层中伸出，且所述散热支臂从所述绝缘封 装层中伸出的长度小于或等于所述第一接线端和所述第二接线端从所述绝缘封装层中伸 出的长度。 根据本发明的一些实施例，所述绝缘封装层上开设有安装孔。 根据本发明第二方面实施例的高压整流电路包括：上述的高压二极管，所述引线 框架、所述第一接线端和所述第二接线端均为金属导电件。 根据本发明第三方面实施例的变频式磁控管驱动电源包括：上述的高压整流电 路；散热器，所述高压二极管安装于所述散热器上；直流电源；变频器，所述变频器用于将所 述直流电源的电压转换为高频电压；升压变压器，所述升压变压器与所述变频器电连接，且 用于将所述变频器的输出电压升压，所述高压整流电路与所述升压变压器电连接且用于将 所述升压变压器的输出电压进行倍电压整流；磁控管，所述磁控管与所述高压整流电路电 连接。 本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变 得明显，或通过本发明的实践了解到。 附图说明 图1是高压二极管的第一个实施例示意图； 图2是图1所示的高压二极管的右视图； 图3是高压二极管的第二个实施例示意图； 图4是高压二极管的第三个实施例示意图； 图5是高压二极管的第四个实施例示意图； 图6是变频式磁控管驱动电源的示意图。 附图标记： 高压二极管 10、绝缘封装层 1、安装孔 11、芯片 2、第一引线框架 4、第一引线本 体 41、第一芯片连接部 42a～42b、第一散热支臂 43a～43d、第二引线框架 5、第二引线本 体 51、第二芯片连接部 52a～52b、第二散热支臂 53a～53c、第一接线端 6、第二接线端 7。
