技术摘要：
本发明提供了一种发光二极管及其驱动方法、光源装置及电子设备，涉及半导体技术领域。其中，发光二极管包括：衬底；反射发光层，设置在衬底上；第一电极、第二电极、第一绝缘层，分立设置在反射发光层上；可饱和吸收体层，设置在第一绝缘层上；第三电极、第四电极、反  全部
背景技术：
发光二极管(Light  Emitting  Diode，LED)是一种常用的发光器件，可以通过电子 与空穴的复合释放能量发光，它在照明、显示、医疗等诸多领域应用广泛。发光二极管可高 效地将电能转化为光能，在现代社会具有广泛的用途。但是，目前的发光二极管的光谱半高 宽较大，从而使得发光二极管的色光颜色纯度较低。
技术实现要素：
本发明提供一种发光二极管及其驱动方法、光源装置及电子设备，以解决现有发 光二极管的光谱半高宽较大，色光颜色纯度较低的问题。 为了解决上述问题，本发明公开了一种发光二极管，包括： 衬底； 反射发光层，设置在所述衬底上； 第一电极、第二电极和第一绝缘层，分立设置在所述反射发光层上； 可饱和吸收体层，设置在所述第一绝缘层上； 第三电极、第四电极和反射复合层，分立设置在所述可饱和吸收体层上，所述反射 发光层的反射率大于所述反射复合层的反射率； 其中，所述可饱和吸收体层、所述第三电极、所述第四电极和所述反射复合层分别 在所述反射发光层上的正投影与所述第一电极及所述第二电极均不重叠。 可选地，所述可饱和吸收体层包括： 第一P型半导体层，设置在所述第一绝缘层上，所述第三电极设置在所述第一P型 半导体层上； 第一量子阱层，设置在所述第一P型半导体层上，所述第一量子阱层在所述第一P 型半导体层上的正投影与所述第三电极不重叠； 第一N型半导体层，设置在所述第一量子阱层上，所述第一N型半导体层在所述第 一P型半导体层上的正投影与所述第三电极不重叠，所述第四电极设置在所述第一N型半导 体层上。 可选地，所述反射发光层包括： P型半导体反射复合层，设置在所述衬底上，所述第一电极设置在所述P型半导体 反射复合层上； 第二量子阱层，设置在所述P型半导体反射复合层上，所述第二量子阱层在所述P 型半导体反射复合层上的正投影与所述第一电极不重叠； 第二N型半导体层，设置在所述第二量子阱层上，所述第二N型半导体层在所述P型 4 CN 111599899 A 说　明　书 2/10 页 半导体反射复合层上的正投影与所述第一电极不重叠，所述第二电极设置在所述第二N型 半导体层上。 可选地，所述P型半导体反射复合层具有反射镜结构；或者， 所述P型半导体反射复合层包括叠层设置的第二P型半导体层和第一反射镜层，其 中，所述第一反射镜层靠近所述衬底设置。 可选地，所述发光二极管还包括： 光放大器层，设置在所述反射复合层上； 第五电极和第六电极，分立设置在所述光放大器层上； 其中，所述光放大器层、所述第五电极和所述第六电极分别在所述反射发光层上 的正投影与所述第一电极及所述第二电极均不重叠；所述光放大器层、所述第五电极和所 述第六电极分别在所述可饱和吸收体层上的正投影与所述第三电极及所述第四电极均不 重叠。 可选地，所述光放大器层包括： 第三P型半导体层，设置在所述反射复合层上，所述第五电极设置在所述第三P型 半导体层上； 第三量子阱层，设置在所述第三P型半导体层上，所述第三量子阱层在所述第三P 型半导体层上的正投影与所述第五电极不重叠； 第三N型半导体层，设置在所述第三量子阱层上，所述第三N型半导体层在所述第 三P型半导体层上的正投影与所述第五电极不重叠，所述第六电极设置在所述第三N型半导 体层上。 可选地，所述反射复合层具有反射镜结构，且采用绝缘材料；或者， 所述反射复合层包括叠层设置的第二绝缘层和第二反射镜层。 为了解决上述问题，本发明还公开了一种驱动方法，用于驱动上述发光二极管，所 述方法包括： 向第一电极输入第一正向电压，以及向第二电极输入第一负向电压。 可选地，所述方法还包括： 向第三电极输入第二负向电压，以及向第四电极输入第二正向电压。 可选地，所述发光二极管还包括光放大器层、第五电极和第六电极，所述方法还包 括： 向所述第五电极输入第三正向电压，以及向所述第六电极输入第三负向电压。 为了解决上述问题，本发明还公开了一种光源装置，包括上述发光二极管。 为了解决上述问题，本发明还公开了一种电子设备，包括上述光源装置。 与现有技术相比，本发明包括以下优点： 在本发明实施例中，发光二极管包括衬底，设置在衬底上的反射发光层，分立设置 在反射发光层上的第一电极、第二电极和第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的可饱和吸收 体层，以及分立设置在可饱和吸收体层上的第三电极、第四电极和反射复合层。其中，反射 发光层的反射率大于反射复合层的反射率，以保证光从远离衬底的一侧出射。另外，可饱和 吸收体层、第三电极、第四电极和反射复合层分别在反射发光层上的正投影与第一电极及 第二电极均不重叠，以使第一电极、第二电极、第三电极和第四电极均不会被上层结构遮 5 CN 111599899 A 说　明　书 3/10 页 挡，从而可实现走线连接。在本发明实施例中，通过增加可饱和吸收体层，可使反射发光层 发出的光经过可饱和吸收体层后，能量低的光被吸收较多，能量高的光被吸收较少，从而降 低了发光二极管光谱的半高宽，进而提高了发光二极管的色光颜色纯度。 附图说明 图1示出了本发明实施例一的一种发光二极管的截面示意图； 图2示出了本发明实施例一的一种反射发光层发出的光经过可饱和吸收体层前后 的光谱变化示意图； 图3示出了本发明实施例一的另一种发光二极管的截面示意图； 图4示出了本发明实施例一的又一种发光二极管的截面示意图； 图5示出了本发明实施例一的一种反射发光层发出的光依次经过可饱和吸收体层 和光放大器层前后的光谱变化示意图； 图6示出了本发明实施例一的再一种发光二极管的截面示意图； 图7示出了本发明实施例一的一种生长有三个量子阱结构的外延片的俯视图； 图8示出了本发明实施例一的一种光刻胶覆盖区域01及发光区00的示意图； 图9示出了本发明实施例一的一种光刻胶覆盖区域01、区域02及发光区00的示意 图； 图10示出了本发明实施例一的一种光刻胶覆盖区域01、区域02、区域03及发光区 00的示意图； 图11示出了本发明实施例一的一种光刻胶覆盖区域01、区域02、区域03、区域04及 发光区00的示意图； 图12示出了本发明实施例一的一种光刻胶覆盖区域01、区域02、区域03、区域04、 区域05及发光区00的示意图； 图13示出了本发明实施例一的设置电极后的发光二极管的俯视图。