技术摘要：
实施方式的磁存储装置(1)具备：第1磁性体部(4)，其在第1方向(X)上延伸，在第1方向上具有第1端部(4a)和第2端部(4b)；层叠部(5)，其在与第1方向(X)交叉的第2方向上相对于第1磁性体部层叠；第1电极(8A)，其与第1端部(4a)电连接；以及第2电极(8B)，其与第2端部(4b)电连接。  全部
背景技术：
近年来，报告了通过在磁性细线上流动电流而磁性细线上的磁畴壁会移动这一现 象，尝试了利用该现象来构成磁存储器。在该尝试中，设置有由磁性体形成的细线(磁性细 线)、对磁性细线写入磁畴的元件以及检测磁畴的磁化方向的元件。在磁性细线的两端设置 有电极，通过在磁性细线流动电流，使所写入的磁畴的磁畴壁移动。与硬盘等其他磁存储装 置相同地以由磁畴壁划分出的磁畴的磁化方向来记录信息。在使用了磁性细线的磁存储装 置(磁存储器)中，为了提高磁畴的读出精度、使存储信息稳定化等，要求提高磁存储层的磁 特性。
技术实现要素：
本发明要解决的课题在于提供一种能够提高利用了磁性细线的磁存储层的特性 的磁存储装置。 实施方式的磁存储装置具备：第1磁性体部，其在第1方向上延伸，在所述第1方向 上具有第1端部和第2端部；层叠部，其在与所述第1方向交叉的第2方向上相对于所述第1磁 性体部层叠；第1电极，其与所述第1端部电连接；以及第2电极，其与所述第2端部电连接，所 述层叠部包括第1层和配置在所述第1层与所述第1磁性体部之间的第2层，第2层包含金属 氧化物，所述第1层包含选自金属氮化物和金属碳化物中的至少一种。 附图说明 图1是表示第1实施方式的磁存储装置的基本构成的剖面图。 图2是表示TaN膜的X射线衍射结果的图。 图3是表示实施例涉及的样品的磁化曲线及其Keff的图。 图4是表示比较例涉及的样品的磁化曲线及其Keff的图。 图5是表示实施例以及比较例涉及的样品的截面TEM像和极微电子射线衍射像的 图。 图6是表示第2实施方式的磁存储装置的剖面图。 图7是放大地表示第2实施方式的磁存储装置的一部分的剖面图。