技术摘要：
本发明涉及一种用于制造装置的方法，该方法包括：a)形成临时结构的第一步骤，该临时结构包括诸电致发光结构(320)，电致发光结构通过沟槽(350)隔开并且包括电致发光面(330)，电致发光结构(320)借助于粘合层与临时基板(210)结合；b)组装步骤，该组装步骤使电致发光结构(3  全部
背景技术：
图1a至图1e表示现有技术中已知的制造电致发光装置10的方法。它包括以下步 骤： a)在第一基板30的被称为正面31的一个面上形成电致发光结构20，所述电致发光 结构20通过沟槽21彼此隔开，并且在这些电致发光结构20的自由面23上包括将这些电致发 光结构20电连接的共用电极22(图1a)； b)使用结合层对电致发光结构20与临时基板40的被称为临时面41的一个面的第 一组装(图1b)； c)至少部分地减薄第一基板30，以旨在使沟槽21显露(图1c)； d)对电致发光结构20与主体基板50的被称为主体面51的一个面的第二组装，主体 基板50包括互连装置52，该互连装置52与共用电极22结合被布置成对电致发光结构20中的 每一个进行单独地寻址(图1d)； e)完全移除临时基板40和结合层42(图1e)。 在完成步骤e)之后，电致发光结构20通过其与自由面23相对的面(称为接触面)与 互连装置52接触。 电致发光结构20可以包括发光二极管，该发光二极管可以通过其自由面发射光辐 射。 发光二极管可以是2D发光二极管，换而言之，它们可以是平面的，并且因此包括半 导体膜的堆叠。 可替代地，发光二极管可以是3D发光二极管，每个3D发光二极管包括垂直于自由 面23的多个发光纳米线。 然而，现有技术中已知的这种制造方法并不令人满意。 首先，共用电极通常是金属层或者掺杂半导体层，其覆盖沟槽21以保持电致发光 结构20的自由面23之间的电连接的连续性。 然而，共用电极22在沟槽21被覆盖的位置处包括机械弱化区，其集中了在制造电 致发光装置10的方法的不同步骤期间可能出现的所有应力。 尤其在第二组装完成之后会观察到这样的应力，并且它们的起因是进行接触的面 不平坦，这种不平坦尤其由位于主体面上的互连装置52引起。 4 CN 111557053 A 说　明　书 2/7 页 所述应力的过度集中可能导致共用电极22破裂(换而言之，导致电中断)，因此使 得不可能对电致发光结构20进行单独地寻址。 此外，在步骤e)中移除临时基板40还伴随着移除结合层42，该结合层42可能很长 并且实施起来很昂贵。 因此，本发明的一个目的在于公开一种用于制造的方法，该方法与现有技术中已 知的制造方法相比更易于实施。 本发明的另一个目的在于公开一种赋予电致发光结构更好的机械强度的方法。 本发明的另一个目的在于公开一种制造方法，该制造方法更能容忍在第二组装期 间进行接触的面的不平坦性。
技术实现要素：
本发明的目的至少部分地通过一种制造电致发光装置的方法来实现，该方法包 括： a)形成临时结构的第一步骤，所述临时结构包括多个单独的电致发光结构，所述 多个单独的电致发光结构通过沟槽彼此隔开并且各自包括被称为发光面的面，所述结构可 以通过所述发光面发射光辐射，所述电致发光结构在其发光面上借助于结合层结合在临时 基板的被称为临时面的一个面上； b)组装步骤，所述组装步骤包括使所述电致发光结构在与所述发光面相对的被称 为背面的面上与主体基板的被称为主体面的面接触； c)至少部分地移除所述临时基板的步骤； 所述方法的特征在于，所述结合层包括至少部分地对光辐射透明的导电聚合物材 料，所述结合层在步骤c)之后至少部分地保持并且形成所述发光面共用的电极，其中所述 电极的厚度大于20nm，有利地大于500nm，并且甚至更有利地大于1μm。 根据一个实施例，步骤a)包括在临时基板或者第一基板上形成结合层，所述第一 基板在其面中被称为第一面的一个面上包括所述多个电致发光结构。 根据一个实施例，步骤a)还包括被称为临时组装步骤的组装步骤，用于将临时基 板与第一基板组装在一起。 根据一个实施例，步骤a)还包括至少部分地移除第一基板。 根据一个实施例，包括透明导电氧化物的中间层被形成为与所述电致发光结构中 的每一个电致发光结构的发光面直接接触。 根据一个实施例，所述制造方法还包括在所述结合层中形成贯通开口，所述贯通 开口使所述发光面部分地显露，所述贯通开口有利地在干法蚀刻或者湿法蚀刻步骤期间形 成。 根据一个实施例，所述形成贯通开口适于保持结合层的覆盖沟槽的一部分以及发 光面的具有预定宽度的轮廓。 根据一个实施例，所述形成贯通开口在步骤a)期间或者在步骤c)完成之后发生。 根据一个实施例，结合层包括第二沟槽，第二沟槽被形成为与沟槽一致并且填充 有导电材料，导电材料有利地包括透明导电氧化物。 根据一个实施例，有机聚合物材料包括选自以下的至少一种材料：Pedot  PSS、聚 5 CN 111557053 A 说　明　书 3/7 页 (3，4-乙烯二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸盐)(Pedot：PSS)、聚(芴)、聚亚苯基、聚芘、聚薁、聚 萘、聚(吡咯)(PPY)、聚咔唑、聚吲哚、多氮平、聚苯胺(PANI)、聚噻吩(PT)、聚对苯硫醚 (PPS)、聚乙炔(PAC)、聚对苯乙炔(PPV)。 根据一个实施例，电致发光结构包括从其发光面到其背面的发光层，所述发光层 安置在支撑基板上，所述支撑基板的厚度小于10μm，有利地小于5μm。 根据一个实施例，所述电致发光结构中的每一个电致发光结构包括插在第一半导 体层与第二半导体层之间的有源层。 根据一个实施例，发光层包括垂直于发光面的多个纳米线。 根据一个实施例，电致发光结构以矩阵形式布置。 根据一个实施例，临时基板在步骤c)中仅被部分移除，并且所述临时基板包括以 下材料：所述材料在由光辐射覆盖的波长范围内的光透射率大于1％，有利地大于50％，甚 至更有利地大于90％。 根据一个实施例，主体基板在其主体面上包括互连装置，该互连装置与共用电极 结合被布置成对电致发光结构中的每一个电致发光结构进行单独地寻址。 附图说明 在以下参考附图作为非限制性示例给出的根据本发明的制造电致发光装置的方 法的描述中，其他特征和优点将变得清楚，在附图中： -图1a至图1e是在现有技术中已知的制造电致发光装置的方法中的步骤a)至e)的 图解表示； -图2a至2e是根据本发明的第一实施例的制造电致发光装置的方法中的步骤a)至 c)的图解表示； -图3是根据本发明的第一实施例的变型获得的电致发光装置的图解表示； -图4是根据本发明第二实施例获得的电致发光装置的图解表示； -图5是作为从边缘B(为零的横坐标)到中心C(横坐标等于0.014m)的距离(以米 (m)为单位的横轴)的函数的由Pedot：PSS制成的10μm厚的共用电极的模拟质量电势(以伏 (V)为单位的竖轴)的图解表示，该模拟通过施加通过所述电极的等于7500A/m2的电流密度 进行。