技术摘要：
本发明提供了一种ORing MOSFET控制电路，包括控制单元和MOS管Q2，所述控制单元包括信号采集及放大电路、电阻分压滤波电路和比较器电路，所述信号采集及放大电路的输出端与所述电阻分压滤波电路的输入端连接，所述电阻分压滤波电路的输出端与所述比较器电路的输入端连接  全部
背景技术：
传统ORing  MOSFET控制电路的损耗较大，电源效率较低。
技术实现要素：
为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种ORing  MOSFET控制电路及电源并 联系统。 本发明提供了一种ORing  MOSFET控制电路，包括控制单元和MOS管Q2，所述控制单 元包括信号采集及放大电路、电阻分压滤波电路和比较器电路，所述信号采集及放大电路 的输出端与所述电阻分压滤波电路的输入端连接，所述电阻分压滤波电路的输出端与所述 比较器电路的输入端连接，所述比较器电路的输出端与所述MOS管Q2的栅极连接，所述MOS 管Q2的源极接内部电压V_IN，所述MOS管Q2的漏极接外部电压V_OUT。 作为本发明的进一步改进，所述信号采集及放大电路包括二极管D1A、二极管D1B、 三极管Q1A、三极管Q1B，所述三极管Q1A的集电极接电阻R4后接供电电压VCC，所述三极管 Q1A的基极与所述三极管Q1B的基极连接，所述三极管Q1A的发射极与所述二极管D1A的阳极 连接，所述二极管D1A的阴极接外部电压V_OUT，所述三极管Q1B的集电极接供电电压VCC，所 述三极管Q1B的发射极与所述二极管D1B的阳极连接，所述二极管D1B的阴极接内部电压V_ IN。 作为本发明的进一步改进，所述二极管D1A、二极管D1B的参数一致，所述三极管 Q1A、三极管Q1B的参数一致。 作为本发明的进一步改进，所述电阻分压滤波电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3和 电容C1，所述电阻R1的一端接供电电压VCC，所述电阻R1的另一端接所述三极管Q1B的集电 极，所述电阻R2的一端连接于所述电阻R1、三极管Q1B的集电极之间，所述电阻R2的另一端 分别与所述电阻R3的一端、电容C1的一端、比较器电路的输入端连接，所述电阻R3的另一端 接内部电压V_IN，所述电容C1的另一端接内部电压V_IN。 作为本发明的进一步改进，所述比较器电路包括比较器U1、电阻R5、电阻R6、电阻 R7，所述比较器U1的正输入端接所述电阻R5后与所述电阻R2连接，所述比较器U1的负输入 端接所述电阻R6后接参考电压VREF，所述比较器U1的输出端与所述MOS管Q2的栅极连接，所 述电阻R7的一端与所述比较器U1的正输入端连接，所述电阻R7的另一端与所述比较器U1的 输出端连接。 作为本发明的进一步改进，所述比较器U1的输出端与所述MOS管Q2的栅极之间串 联有电阻R8。 本发明还提供了一种电源并联系统，包括如上述中作一项所述的ORing  MOSFET控 制电路。 3 CN 111600460 A 说　明　书 2/3 页 本发明的有益效果是：通过上述方案，提高MOSFET驱动电压，降低了导通损耗，提 高了电路效率。 附图说明 图1是本发明一种ORing  MOSFET控制电路的电路图。