技术摘要：
本发明提供了一种侧面发光的LED芯片级封装方法，先利用下模具中的加热丝进行加热，在荧光树脂未完全固化之前，然后利用冷却部朝向散热金属板进行冷却，以在荧光树脂的垂直方向上形成温度梯度，从而在荧光树脂的表面形成凹凸起伏，形成粗化表面，然后停止加热丝的加热工  全部
背景技术：
CSP(Chip  Scale  Package，芯片级尺寸封装)，它由位于中心的倒装芯片、围绕倒 装芯片四周的荧光胶组成。使用时直接将CSP光源通过焊料焊接在基板上即可实现出光，省 去焊线工序，因而提高了封装效率。CSP  LED最显著的优点是光效高，但目前市面上的单面 出光的CSP灯珠都存在一些问题：1.现有技术单面CSP光源四周的白胶阻挡了发光芯片的侧 面出光，因而光源亮度会降低  2.同时，由于白胶阻挡了发光芯片的侧面出光，导致发生出 光经多次反射、折射，此过程光转变成热，致使发热量大大增加，降低了光源信赖性、安全 性，因而光源寿命缩短。
技术实现要素：
基于解决上述问题，本发明提供了一种侧面发光的LED芯片级封装方法，包括如下 步骤： （1）利用精密排片机将芯片在固晶膜上排列成30×30矩阵，要求芯片排列精度为±5μ m，角度偏转＜1°，芯片与芯片之间的间距为0.376~0.466μm之间，排晶时，芯片电极朝上，芯 片出光面与固晶膜接触； （2）将预制好的B-Stage荧光膜叠置于所述固晶膜和芯片上进行压膜，利用定高片控制 总厚度为0.25mm，热压完成后放入150℃氮气烤箱烘烤3h； （3）使用切割刀进行横向和纵向切割，切割时从芯片与芯片的中间划切，所选用的切割 机为钻石砂轮切割机，转速10000r/min，切割速度100mm/s； （4）利用预制好的B-Stage白墙膜叠置于所述荧光膜上进行热压，利用定高片控制总厚 度为0.35mm，热压完成后放入150℃氮气烤箱烘烤3h； （5）使用切割刀进行横向和纵向切割，横向切割时沿着芯片的侧边缘以使得每个芯片 至少一侧未留有白墙膜，纵向切割时从芯片与芯片的中间划切，即将纵向的白墙膜沿中心 线分为两部分。 本发明又提供了一种侧面发光的LED芯片级封装方法，包括以下步骤： （1）将多个LED芯片固定于固晶膜10上，所述多个LED芯片排列成30×30矩阵，芯片与芯 片之间的间距为0.376~0.466μm之间，排晶时，所述多个LED芯片出光面朝上，其电极与固晶 膜接触； （2）将荧光树脂涂覆于所述固晶膜上，并进行半固化； （3）利用压模工具在所述荧光树脂形成多个横向和纵向沟槽，同时进行粗化处理和固 化处理； 4 CN 111584694 A 说　明　书 2/4 页 （4）将透明防水层压合于所述荧光树脂之上，所述透明防水层填充所述沟槽，且所述透 明防水层的热膨胀系数大于所述荧光树脂的热膨胀系数。 （5）沿着所述沟槽的中心线进行切割得到单体化的LED封装结构。 本发明还提供了一种侧面发光的LED芯片级封装方法，包括以下步骤： （1）将多个LED芯片固定于固晶膜10上，所述多个LED芯片排列成30×30矩阵，芯片与芯 片之间的间距为0.376~0.466μm之间，排晶时，所述多个LED芯片出光面朝上，其电极与固晶 膜接触； （2）将荧光树脂涂覆于所述固晶膜上，并进行半固化； （3）利用压模工具在所述荧光树脂形成多个横向和纵向沟槽，同时进行粗化处理和固 化处理； （4）在沟槽内填充散射材料，所述散热材料的散射率大于所述荧光树脂的散射率； （5）将透明防水层压合于所述荧光树脂之上，所述透明防水层填充所述沟槽，且所述透 明防水层的热膨胀系数大于所述荧光树脂的热膨胀系数； （6）沿着所述沟槽的中心线进行切割得到单体化的LED封装结构。 根据本发明的实施例，所述步骤（3）具体包括：将模具置于密闭空间内，将待粗化 的工件置于下模具上，利用上模具压合在所述荧光树脂上，所述上模具上具有多个纵横交 错的凸起，所述凸起对应于所述沟槽；将散热金属板压合于所述上模具上；先利用下模具中 的加热丝进行加热，在荧光树脂未完全固化之前，然后利用冷却部朝向散热金属板进行冷 却，以在荧光树脂的垂直方向上形成温度梯度，从而在荧光树脂的表面形成凹凸起伏，形成 粗化表面，然后停止加热丝的加热工作，进行冷却至室温，完成粗化以及固化步骤。 附图说明 图1-7为两面发光的CSP  LED制作工艺示意图； 图8-13为三面发光的CSP  LED制作工艺示意图； 图14-18为五面发光的CSP  LED制作工艺示意图； 图19为另一实施例的五面发光的LED封装结构的截面图； 图20为本发明进行荧光膜表面雾化过程的示意图。