技术摘要：
本申请提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，制造方法包括如下步骤：于基板上形成第一图案化导电层，第一图案化导电层包括栅极；形成覆盖第一图案化导电层以及基板的绝缘层；于绝缘层远离基板的一侧形成整面的半导体层；于半导体层远离基板的一侧形成整面的第二导  全部
背景技术：
亚毫米发光二极管(Mini-LED)背板作为微型化发光二极管与背板结合的产物，具 有高对比度、高显色性能等可与有机发光二极管相媲美的特点，成本仅为有机发光二极管 的60％左右，相对有机发光二极管更易实施，所以亚毫米发光二极管背板成为目前的研究 热点。 然而，传统亚毫米发光二极管背板的制造过程存在制程复杂其且光罩使用数目较 多的问题。
技术实现要素：
本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，以解决简化阵列 基板的制造制程，且减少阵列基板制造过程中的光罩使用数目。 为实现上述目的，本申请提供一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括如下 步骤： 于基板上形成第一图案化导电层，所述第一图案化导电层包括栅极； 形成覆盖所述第一图案化导电层以及所述基板的绝缘层； 于所述绝缘层远离所述基板的一侧形成整面的半导体层； 于所述半导体层远离所述基板的一侧形成整面的第二导电层，采用构图工艺对所 述半导体层以及所述第二导电层进行图案化，得有源层、源漏电极、第一导电电极、第一导 电构件，所述有源层对应所述栅极设置，所述源漏电极对应所述有源层设置且电性连接所 述有源层； 形成覆盖所述源漏电极、所述有源层、所述绝缘层且使所述第一导电电极以及所 述第一导电构件暴露的图案化遮光绝缘层，得所述阵列基板。 在上述阵列基板中，所述第一图案化导电层还包括第二导电电极以及第二导电构 件，所述第一导电电极对应所述第二导电电极设置，所述第一导电构件对应所述第二导电 构件设置，所述制造方法还包括如下步骤： 形成贯穿所述绝缘层以及所述半导体层的第一接触孔以及第二接触孔，所述第一 接触孔对应所述第二导电电极设置，所述第二接触孔对应所述第二导电构件设置，所述第 一导电电极与所述第二导电电极通过所述第一接触孔电性连接，所述第一导电构件与所述 第二导电构件通过所述第二接触孔电性连接。 在上述阵列基板中，所述图案化遮光绝缘层的制备材料选自黑色有机光阻或油墨 中的至少一种。 在上述阵列基板中，所述第一图案化导电层的制备材料包括Mo或Mo合金，所述第 二导电层的制备材料包括Mo或Mo合金。 4 CN 111584512 A 说　明　书 2/7 页 在上述阵列基板中，所述第一图案化导电层的制备材料包括MoTiNi合金，所述第 二导电层的制备材料包括MoTiNi合金。 一种阵列基板，所述阵列基板包括： 基板； 于所述基板上形成的第一图案化导电层，所述第一图案化导电层包括栅极； 覆盖所述第一图案化导电层以及所述基板的绝缘层； 形成于所述绝缘层远离所述基板一侧的图案化半导体层，所述图案化半导体层包 括有源层； 形成于所述图案化半导体层远离所述基板一侧的第二图案化导电层，所述第二图 案化导电层包括第一导电构件、源漏电极以及第一导电电极，所述源漏电极对应所述有源 层设置且与所述有源层电性连接；以及 覆盖所述源漏电极、所述绝缘层以及所述有源层且使所述第一导电电极以及所述 第一导电构件暴露的图案化遮光绝缘层。 在上述阵列基板中，所述第一图案化导电层还包括第二导电电极以及第二导电构 件，第一导电电极对应所述第二导电电极设置，所述第一导电构件对应所述第二导电构件 设置，所述第一导电电极与所述第二导电电极通过贯穿所述图案化半导体层以及所述绝缘 层的第一接触孔电性连接，所述第一导电构件与所述第二导电构件通过贯穿所述图案化半 导体层以及所述绝缘层的第二接触孔电性连接。 在上述阵列基板中，所述图案化遮光绝缘层的制备材料选自黑色有机光阻或油墨 中的至少一种。 在上述阵列基板中，所述第一图案化导电层的制备材料包括MoTiNi合金，所述第 二图案化导电层的制备材料包括MoTiNi合金。 一种显示装置，所述显示装置包括背光模组，所述背光模组包括上述阵列基板。 有益效果：本申请提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，制造方法包括如下 步骤：于基板上形成第一图案化导电层，第一图案化导电层包括栅极；形成覆盖第一图案化 导电层以及基板的绝缘层；于绝缘层远离基板的一侧形成整面的半导体层；于半导体层远 离基板的一侧形成整面的第二导电层，采用构图工艺对半导体层以及第二导电层进行图案 化，得有源层、源漏电极、第一导电电极、第一导电构件，有源层对应栅极设置，源漏电极电 性连接有源层；形成覆盖源漏电极、有源层、绝缘层且使部分第一导电电极以及第一导电构 件暴露的图案化遮光绝缘层，得阵列基板。相对于传统技术，通过形成覆盖源漏电极、有源 层、绝缘层且使第一导电电极以及第一导电构件暴露的图案化遮光绝缘层，形成遮光层以 避免有源层产生光生电流的同时，无需形成钝化层以及氧化铟锡等导电层，且无需增加光 罩以图案化钝化层以及氧化铟锡层，简化制造制程，减少光罩使用数目。 附图说明 图1为传统方法制造无遮光层的背光模组的过程示意图； 图2为传统方法制造包括遮光层的背光模组的过程示意图； 图3为本申请实施例阵列基板的制造方法的流程示意图； 图4为按照图3所示流程示意图制造阵列基板的过程示意图。 5 CN 111584512 A 说　明　书 3/7 页 附图标示如下： 1011，2011第二导电构件；1012，2012栅极；102第一绝缘层；1031，2031非晶硅层； 1032，2032n型掺杂非晶硅层；100a第一过孔；104，204第二导电层；1041第一导电电极；1042 第一导电构件；1043，2043源漏电极；100b第二过孔；100c第三过孔；105第二绝缘层；106导 电块；107第三绝缘层；108遮光层；2013第二导电电极；202绝缘层；200a第一接触孔；200b第 二接触孔；205图案化遮光绝缘层。