技术摘要：
本发明公开了一种半导体集成晶体管封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体，所述塑封体上开设有供半导体集成晶体管的引脚引出的引脚孔，所述塑封体的前、后长度为2.9毫米，左、右宽度为1.65毫米，上、下高度为0.9毫米；一个居中引脚孔和两个前  全部
背景技术：
封装结构是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，所述外壳不仅起着安装、固定、 密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封 装结构的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部 芯片与外部电路的连接。由于封装结构的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连 接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。 目前，小外形晶体管常用的封装结构有SOT-23型和SC-59型两种，其中： 1、SOT-23型封装为欧式窄管体，该封装结构的塑封体长为2.9mm，宽为1.3mm，高为 1.0mm。 2、SC-59(又称SOT-23-3L或5L或6L)封装为日式宽管体，该封装结构的塑封体长为 2.9mm，宽为1.6mm，高为1.0mm。 对于小信号晶体管而言，由于二者在印刷电路板上的位置相同，使用起来没有任 何差别；而对于功率晶体管而言，由于SOT-23-3L或5L或6L型的塑封体相对SOT-23型较宽， 可以封装更大的芯片，所以在功耗方面SOT-23-3L或5L或6L型比较有优势。但是SOT-23-3L 或5L或6L型因为在引线框架的设计时采用了一种密度宽松的结构，封装生产时效率较低， 造成生产的成本较高，从而降低了产品的竞争性。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，本发明所要解决的技术问题是提出了一种具有SOT-23型引 线框架密度和SOT-23-3L或5L或6L型功耗要求的半导体集成晶体管封装结构。 能够解决上述技术问题的半导体集成晶体管封装结构，其技术方案包括由上模型 腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体，所述塑封体上开设有供半导体集成晶体管的 引脚引出的引脚孔，所不同的是所述塑封体的前、后长度为2.9mm，左、右宽度为1.65mm，上、 下高度为0.9mm；一个居中引脚孔和两个前、后引脚孔分别于塑封体上左、右开设，或六个引 脚孔分别于塑封体上左、右对称开设，各引脚孔的开设位置距离塑封体底部的高度为塑封 体高度的1/3。 按设计要求，所述塑封体长度的上偏差为0.2毫米，下偏差为0.1毫米。 按设计要求，所述塑封体宽度的上偏差为0.1毫米，下偏差为0.1毫米。 按设计要求，所述塑封体高度的上偏差为0.1毫米，下偏差为0.1毫米。 按常规，所述上模型腔槽和下模型腔槽的深度比为6：3。 按常规，所述上模型腔槽和下模型腔槽均为易于开模的梯形体。 本发明的有益效果： 1、与现有技术相比，本发明从外部尺寸上对封装结构进行了改进，既能够提高产 3 CN 111554654 A 说　明　书 2/3 页 品的宽度及表面积以确保产品在功耗方面的优势，又能够减少产品特别是接触PCB面板的 厚度来提高产品的散热效率和耗散功率。 2、本发明的封装结构中，设计开设有左侧一个居中引脚孔和右侧前、后两个引脚 孔，或三个左、右对称的引脚孔，其好处为将SOT－23－3L和SOT－23－6L两个产品统一到相 同的塑封模具，换用不同的引线框架就可实现。 附图说明 图1为本发明一种实施方式的主视图。 图2为图1实施方式的俯视图，显示为有六个引脚。 图3为图1实施方式的侧视图。 图4为图1实施方式的俯视图，显示为有三个引脚。 图号标识：1、塑封体；2、引脚。