技术摘要：
本公开提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，OLED显示基板，包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、第一电极和发光层，所述薄膜晶体管包括有源层；所述OLED显示基板还包括设置在所述有源层和所述第一电极之间的遮光  全部
背景技术：
有机电致发光器件(Organic  Electro-luminescent  Display，简称OLED)因具有 自发光、工作电压低、轻薄、可柔性化以及色彩饱和度高等诸多优点，在显示、照明等领域得 到广泛的应用。 有机电致发光器件的制作过程包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管(Thin  Film  Transistor，简称TFT)，在形成有薄膜晶体管的衬底基板上依次形成阳极、像素界定层、发 光层以及阴极，其中，阳极与薄膜晶体管的漏极电连接。 然而，由于发光层发出的光中部分光经过有机电致发光器件中膜层的折射与反射 后会射到薄膜晶体管的有源层上，从而会影响薄膜晶体管的特性，造成薄膜晶体管阈值电 压(Vth)的不稳定和关态电流(Ioff)的增加，影响发光效果。尤其是现有的低温多晶硅(Low  temperature  Poly-silicon，简称LTPS)薄膜晶体管，由于低温多晶硅对光非常敏感，发光 层发出的光射到低温多晶硅层会引起光生电子产生，从而会显著影响薄膜晶体管的特性， 进而影响显示装置的显示效果。
技术实现要素：
本公开要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能 够保证显示装置的显示效果。 为解决上述技术问题，本公开的实施例提供技术方案如下： 一方面，提供一种OLED显示基板，包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的 薄膜晶体管、第一电极和发光层，所述薄膜晶体管包括有源层；所述OLED显示基板还包括设 置在所述有源层和所述第一电极之间的遮光层，所述遮光层复用为所述OLED显示基板的绝 缘层。 一些实施例中，所述遮光层对波长为600nm以下的光线的透过率低于10％。 一些实施例中，所述OLED显示基板包括位于所述有源层和所述第一电极之间的平 坦层，所述遮光层复用为所述平坦层，所述平坦层采用遮光有机硅氧烷树脂。 一些实施例中，所述平坦层的厚度为2-4um。 一些实施例中，所述遮光有机硅氧烷树脂包括透明有机硅氧烷树脂和掺杂在所述 透明有机硅氧烷树脂中的吸光粒子。 一些实施例中，所述遮光有机硅氧烷树脂中，所述吸光粒子与所述透明有机硅氧 烷树脂的重量百分比为1～2:40。 一些实施例中，所述吸光粒子采用以下至少一种：炭黑、石墨烯和碳纳米管。 一些实施例中，所述OLED显示基板还包括设置在显示区域周边的对位标记，所述 对位标记与所述平坦层采用相同的材料制作。 4 CN 111584604 A 说　明　书 2/9 页 本公开实施例还提供了一种显示面板，包括如上所述的OLED显示基板。 本公开实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的OLED显示基板。 本公开实施例还提供了一种OLED显示基板的制作方法，包括在衬底基板上依次形 成薄膜晶体管、第一电极和发光层，所述薄膜晶体管包括有源层，所述制作方法还包括： 在所述有源层和所述第一电极之间形成遮光层，所述遮光层复用为所述OLED显示 基板的绝缘层。 一些实施例中，所述OLED显示基板包括位于所述有源层和所述第一电极之间的平 坦层，形成所述平坦层包括： 将吸光粒子混入有机硅氧烷树脂溶液中，搅拌均匀后将有机硅氧烷树脂溶液涂覆 在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上，固化后形成所述平坦层。 一些实施例中，所述有机硅氧烷树脂溶液中，所述吸光粒子与有机硅氧烷树脂的 重量百分比为1～2:40。 一些实施例中，所述吸光粒子采用以下至少一种：炭黑、石墨烯和碳纳米管。 一些实施例中，固化后形成所述平坦层之后，所述制作方法还包括： 对所述平坦层进行构图形成平坦层的图形和位于显示区域周边的对位标记。 一些实施例中，形成所述第一电极包括： 在所述平坦层上形成第一电极材料层； 在所述第一电极材料层上涂覆光刻胶，利用所述对位标记将掩膜板与所述衬底基 板进行对位，以所述掩膜板为遮挡，对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域和 光刻胶去除区域； 对光刻胶去除区域的第一电极材料层进行刻蚀，剥离剩余的光刻胶，形成所述第 一电极。 本公开的实施例具有以下有益效果： 上述方案中，OLED显示基板还包括设置在有源层和第一电极之间的遮光层，遮光 层可以对发光层发出的光进行遮挡，防止发光层发出的光射到有源层上，影响薄膜晶体管 特性，这样一来，稳定了OLED显示基板的发光特性，增加发光稳定性；此外，遮光层在对发光 层发出的光进行遮挡的同时，还可以对入射至OLED显示基板内的外界环境光进行阻挡，防 止外界环境光射到有源层上，影响薄膜晶体管特性；另外，遮光层采用绝缘层，这样可以避 免遮光层采用金属制作容易与其他导电图形发生短路，并且会对其他导电图形上传输的电 信号产生影响的问题，能够进一步保证OLED显示基板的显示性能；再者，遮光层复用为OLED 显示基板的绝缘层，这样无需通过额外的制作工艺专门制作遮光层，能够减少制作OLED显 示基板的工艺次数，缩短OLED显示基板的生产周期，降低OLED显示基板的生产成本。 附图说明 图1为本公开实施例OLED显示基板的结构示意图； 图2为本公开实施例OLED显示基板的平面示意图； 图3-图7为本公开实施例制作OLED显示基板的流程示意图。 附图标记 1   衬底基板 5 CN 111584604 A 说　明　书 3/9 页 2   遮光金属层 3  缓冲层 4   有源层 5  栅绝缘层 6  栅极 7   层间绝缘层 8   源极 9   漏极 10 钝化层 11  平坦层 12 过孔 13 阳极 14  像素界定层 15  对位标记