技术摘要：
半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：包括第一部分和第二部分的第一阶梯结构；包括在第一阶梯结构的第二部分上的第三部分的第二阶梯结构；贯穿第一阶梯结构的第一部分的第一支撑结构，该第一支撑结构包括具有基本恒定斜率的侧壁；以及贯穿第一阶梯结构的第二  全部
背景技术：
非易失性存储器装置是即使在电源供应中断时也原样保持所存储的数据的存储 器装置。随着具有存储器单元的二维非易失性存储器装置的集成度增加，已经开发出三维 非易失性存储器装置。 三维存储器装置包括交替层叠的层间绝缘层和栅电极，以及贯穿层间绝缘层和栅 电极的沟道层，并且存储器单元沿着沟道层层叠。已经开发了各种结构和制造方法，以便提 高三维非易失性存储器装置的操作可靠性。
技术实现要素：
本公开的实施方式涉及具有稳定结构和改进的特性的半导体装置，以及该半导体 装置的相对简单的制造方法。 根据本公开的一个方面，提供了一种半导体装置，其包括：第一阶梯结构，该第一 阶梯结构包括第一部分和第二部分；第二阶梯结构，该第二阶梯结构包括在第一阶梯结构 的第二部分上的第三部分；第一支撑结构，该第一支撑结构贯穿第一阶梯结构的第一部分， 该第一支撑结构包括具有基本恒定斜率的侧壁；以及第二支撑结构，该第二支撑结构贯穿 第一阶梯结构的第二部分和第二阶梯结构的第三部分，该第二支撑结构包括具有拐点的侧 壁。 根据本公开的一个方面，提供了一种半导体装置，包括：第一阶梯结构，该第一阶 梯结构包括第一部分和第二部分；第二阶梯结构，该第二阶梯结构包括设置在第一阶梯结 构的第二部分上的第三部分；绝缘层，该绝缘层设置在第一阶梯结构和第二阶梯结构上；第 一支撑结构，该第一支撑结构贯穿第一阶梯结构的第一部分和绝缘层；以及第二支撑结构， 该第二支撑结构贯穿第一阶梯结构的第二部分和第二阶梯结构的第三部分，其中，第一支 撑结构的第一侧壁在特定水平具有第一斜率，第二支撑结构的第二侧壁在特定水平具有第 二斜率，第一斜率不同于第二斜率。 根据本公开的另一方面，提供一种制造半导体装置的方法，该方法包括：形成包括 单元区、第一接触区中的第一部分和第二接触区中的第二部分的第一图案化层叠结构，该 第一图案化层叠结构的第二部分包括第一开口；形成包括在第一图案化层叠结构的单元区 和第二接触区上的第三部分的第二图案化层叠结构；形成贯穿第二图案化层叠结构的第三 部分的第二开口，该第二开口联接到第一开口；以及当形成第二开口时，形成贯穿第一图案 化层叠结构的第一部分的第三开口。 附图说明 现在将在下文中参照附图更全面地描述示例实施方式；然而，它们可以按照不同 6 CN 111554685 A 说　明　书 2/15 页 的形式来实施，并且不应该被解释为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是 为了使本公开将是彻底的和完整的，并且将示例性实施方式的范围完全传达给本领域技术 人员。 在附图中，为了清楚例示，可能夸大了尺寸。应当理解，当元件被称为在两个元件 “之间”时，它可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。相 似的附图标记始终表示相似的元件。 图1A、图1B和图1C是各自例示根据本公开的实施方式的半导体装置的结构的截面 图。 图2A、图2B、图3A、图3B、图4A、图4B、图5、图6和图7例示了根据本公开的实施方式 的半导体装置的制造方法。 图8A、图8B、图9A和图9B例示了根据本公开的实施方式的半导体装置的制造方法。 图10A、图10B、图10C和图10D例示了根据本公开的实施方式的半导体装置的制造 方法。 图11A和图11B例示了根据本公开的实施方式的半导体装置的制造方法。 图12和图13是例示根据本公开的实施方式的存储器系统的配置的框图。 图14和图15是例示根据本公开的实施方式的计算系统的配置的框图。