技术摘要：
本发明公开了双多晶电容工艺中清洗元件的方法，该清洗元件的方法包括以下步骤：氧化清洗液的制备，首先将一定比例的十二碳二元羧酸、三乙醇胺油酸皂、仲烷基硫酸钠和水混合，搅拌加热直至完全溶解，搅拌时长为10‑20min、加热温度维持在45‑60℃，得到混合溶液，并静置 全部
背景技术：
双多晶硅自对准晶体管是一种性能优良的微波晶体管，因为它具有比较先进的结 构； 在其结构中，采用了两种多晶硅。一种多晶硅是n 多晶硅层，这一方面是用来减小 发射区的表面复合速度，以提高发射结注入效率，增大电流增益；另一方面是用来制作n 浅 发射区(利用n 多晶硅中杂质的外扩散来形成浅发射结)，这可以精确到30nm以内。另外一 种多晶硅是p 多晶硅层，利用其中杂质的外扩散来形成p 外基区、并与发射区窗口自对准， 这不仅可以减小外基区的电阻，而且也减小了器件的有效总面积，使得集电区-基区之间的 电容以及集电区-衬底之间的电容得以减小，这可提高晶体管的频率特性。 为了提高双多晶电容内部元件的灵敏度，为此，我们提出双多晶电容工艺中清洗 元件的方法。
技术实现要素：
本发明的主要目的在于提供双多晶电容工艺中清洗元件的方法，可以有效解决背 景技术中的问题。 为实现上述目的，本发明采取的技术方案为： 双多晶电容工艺中清洗元件的方法，该清洗元件的方法包括以下步骤： 步骤一、氧化清洗液的制备，首先将一定比例的十二碳二元羧酸、三乙醇胺油酸 皂、仲烷基硫酸钠和水混合，搅拌加热直至完全溶解，搅拌时长为10-20min、加热温度维持 在45-60℃，得到混合溶液，并静置，冷却； 步骤二、向步骤一得到的混合溶液中加入聚乙二醇、2,3-环氧乙烷二羧酸高聚合 物和三氯乙烯，搅拌，超声过滤，即得氧化清洗液； 步骤三、将制得的氧化清洗液，分别分类包装，并在2-8℃的温度环境下储存，备 用； 步骤四、在双多晶电容元件上生长第一层多晶硅之后，且在第一层多晶硅上生长 绝缘介质层之前，分别用制得的氧化清洗液清洗双多晶电容元件； 第五步：用氧化清洗液清洗之后，在使电子元件经受超声振动的同时用还原清洗 液清洗，最终完成双多晶电容元件的清洗。 优选的，三乙醇胺油酸皂由三乙醇胺与油酸经酯化而成。 优选的，步骤一种冷却时长为2-5min。 优选的，还原清洗液为一种亚磺酸衍生物。 优选的，超声过滤时，采用超声过滤机过滤，其频率在20KHz以上。 3 CN 111584342 A 说 明 书 2/2 页 与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：该双多晶电容工艺中清洗元件的方 法，本工艺自制备氧化清洗液，现制现用，能够最大程度的节约材料，同时提高反应活性，使 得清洗效果更佳理想，同时本清洗方法采用先氧化后还原的方法，使得清洗更为彻底。
本发明公开了双多晶电容工艺中清洗元件的方法，该清洗元件的方法包括以下步骤：氧化清洗液的制备，首先将一定比例的十二碳二元羧酸、三乙醇胺油酸皂、仲烷基硫酸钠和水混合，搅拌加热直至完全溶解，搅拌时长为10‑20min、加热温度维持在45‑60℃，得到混合溶液，并静置 全部
背景技术：
双多晶硅自对准晶体管是一种性能优良的微波晶体管，因为它具有比较先进的结 构； 在其结构中，采用了两种多晶硅。一种多晶硅是n 多晶硅层，这一方面是用来减小 发射区的表面复合速度，以提高发射结注入效率，增大电流增益；另一方面是用来制作n 浅 发射区(利用n 多晶硅中杂质的外扩散来形成浅发射结)，这可以精确到30nm以内。另外一 种多晶硅是p 多晶硅层，利用其中杂质的外扩散来形成p 外基区、并与发射区窗口自对准， 这不仅可以减小外基区的电阻，而且也减小了器件的有效总面积，使得集电区-基区之间的 电容以及集电区-衬底之间的电容得以减小，这可提高晶体管的频率特性。 为了提高双多晶电容内部元件的灵敏度，为此，我们提出双多晶电容工艺中清洗 元件的方法。
技术实现要素：
本发明的主要目的在于提供双多晶电容工艺中清洗元件的方法，可以有效解决背 景技术中的问题。 为实现上述目的，本发明采取的技术方案为： 双多晶电容工艺中清洗元件的方法，该清洗元件的方法包括以下步骤： 步骤一、氧化清洗液的制备，首先将一定比例的十二碳二元羧酸、三乙醇胺油酸 皂、仲烷基硫酸钠和水混合，搅拌加热直至完全溶解，搅拌时长为10-20min、加热温度维持 在45-60℃，得到混合溶液，并静置，冷却； 步骤二、向步骤一得到的混合溶液中加入聚乙二醇、2,3-环氧乙烷二羧酸高聚合 物和三氯乙烯，搅拌，超声过滤，即得氧化清洗液； 步骤三、将制得的氧化清洗液，分别分类包装，并在2-8℃的温度环境下储存，备 用； 步骤四、在双多晶电容元件上生长第一层多晶硅之后，且在第一层多晶硅上生长 绝缘介质层之前，分别用制得的氧化清洗液清洗双多晶电容元件； 第五步：用氧化清洗液清洗之后，在使电子元件经受超声振动的同时用还原清洗 液清洗，最终完成双多晶电容元件的清洗。 优选的，三乙醇胺油酸皂由三乙醇胺与油酸经酯化而成。 优选的，步骤一种冷却时长为2-5min。 优选的，还原清洗液为一种亚磺酸衍生物。 优选的，超声过滤时，采用超声过滤机过滤，其频率在20KHz以上。 3 CN 111584342 A 说 明 书 2/2 页 与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：该双多晶电容工艺中清洗元件的方 法，本工艺自制备氧化清洗液，现制现用，能够最大程度的节约材料，同时提高反应活性，使 得清洗效果更佳理想，同时本清洗方法采用先氧化后还原的方法，使得清洗更为彻底。
