技术摘要：
本申请提供一种接触电阻监测器件及其制作方法、显示面板，所述接触电阻监测器件包括基板、设置于所述基板上的栅极金属层、设置于所述基板上的层间介电层、设置于所述层间介电层的凹孔内的源漏极金属层、以及设置于所述层间介电层及所述源漏极金属层上的像素电极层。本  全部
背景技术：
显示面板的驱动电路中广泛使用薄膜晶体管技术，薄膜晶体管包括栅极、源极和 漏极，漏极电性连接像素电极；通过施加在栅极上的电压控制源极与漏极之间的电性导通 状况，进而控制像素电极的工作状态。因此，漏极与像素电极之间的接触电阻的大小决定了 驱动电路的功耗大小及像素电极的相应速度。 现有技术测试显示面板中薄膜晶体管漏极与像素电极之间接触电阻的方法是通 过设置在显示面板非显示区的电阻监测器件完成的。如图1所示，现有技术中的电阻监测器 件包括基板1、栅极金属层2、层间介电层3、源漏极金属层4、及像素电极层5，其中源漏极金 属层4由钛-铝-钛三层金属叠层制作而成，在源漏极金属层4制作过程中，需要使用蚀刻技 术，但是金属铝的蚀刻速度远大于金属钛，导致最终制得的源漏极金属层表面形成凹陷区 K；之后在源漏极金属层4上继续制作像素电极层5时，容易在凹陷区K处出现像素电极层5的 断口，影响像素电极层5的导电性，进而导致该电阻监测器件无法正确反映像素电极与薄膜 晶体管漏极之间的接触电阻。
技术实现要素：
基于上述现有技术中的不足，本申请提供的接触电阻监测器件将源漏极金属层下 沉式的设置于层间介电层的凹孔中，使所述层间介电层与所述源漏极金属层形成较为平整 的表面，有利于保持设置于所述层间介电层和所述源漏极金属层上的像素电极层的良好的 导电性，使通过该接触电阻监测器件测得的像素电极层与源漏极金属层之间的接触电阻更 加准确。 本申请提供一种接触电阻监测器件，应用于显示面板中的源漏极金属层与像素电 极层之间的接触电阻的监测，设置于显示面板的非显示区中，所述接触电阻监测器件包括： 基板； 栅极金属层，设置于所述基板上； 层间介电层，设置于所述基板上，所述层间介电层上设置有凹孔，所述凹孔将所述 栅极金属层暴露； 源漏极金属层，设置于所述凹孔内，与所述栅极金属层电性连接； 像素电极层，设置于所述层间介电层及所述源漏极金属层上，与所述源漏极金属 层电性连接。 根据本申请一实施例，所述源漏极金属层完全覆盖所述凹孔。 根据本申请一实施例，所述源漏极金属层的厚度与所述凹孔的高度相等，使所述 源漏极金属层完全填充所述凹孔。 4 CN 111584501 A 说　明　书 2/6 页 根据本申请一实施例，所述像素电极层与位于所述显示面板的显示区中的像素电 极电性连接。 根据本申请一实施例，所述源漏极金属层为钛-铝-钛三层金属的叠层结构。 本申请还提供一种接触电阻监测器件制作方法，所述接触电阻监测器件应用于显 示面板中的源漏极金属层与像素电极层之间的接触电阻的监测，所述制作方法包括以下步 骤： 提供一基板，所述基板包括显示区和非显示区； 在所述基板的非显示区上制作栅极金属层； 在所述基板上制作层间介电层，使所述层间介电层覆盖所述栅极金属层； 在所述层间介电层上形成凹孔，使所述栅极金属层通过所述凹孔暴露； 在所述凹孔内制作源漏极金属层，所述源漏极金属层与所述栅极金属层电性接 触； 在所述层间绝缘层上制作像素电极层，使所述像素电极层覆盖所述层间绝缘层和 所述源漏极金属层，并与所述源漏极金属层电性接触。 根据本申请一实施例，在所述基板的非显示区上制作所述栅极金属层的方法是： 通过物理气相沉积工艺在所述基板的非显示区上沉积第一金属层； 对所述第一金属层进行曝光显影制程； 对所述第一金属层进行蚀刻制程，以形成所述栅极金属层。 根据本申请一实施例，在所述层间介电层上形成所述凹孔的方法是： 对所述层间介电层进行曝光显影制程； 对所述层间介电层进行刻蚀制程，以形成所述凹孔，并使所述栅极金属层通过所 述凹孔暴露。 根据本申请一实施例，在所述凹孔内制作所述源漏极金属层的方法是： 通过物理气相沉积工艺在所述层间介电层上和所述凹孔内沉积第二金属层； 对所述第二金属层进行曝光显影制程； 对所述第二金属层进行刻蚀制程，以形成所述源漏极金属层，并使所述源漏极金 属层填充所述凹孔。 本申请又提供一种显示面板，包括显示区和非显示区，所述非显示区中设置有如 上所述的接触电阻监测器件。 本申请的有益效果是：本申请将源漏极金属层设置于层间介电层的凹孔中，避免 了源漏极金属层因自身的凹陷表面而导致的像素电极层断裂，有利于保证通过该接触电阻 监测器件测得的像素电极层与源漏极金属层之间的接触电阻的准确性和稳定性。 附图说明 为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术 描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些 实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附 图获得其他的附图。 图1是现有技术中的接触电阻监测器件的结构示意图； 5 CN 111584501 A 说　明　书 3/6 页 图2是本申请实施例提供的显示面板平面结构示意图； 图3是图1所示的显示面板中的接触电阻监测器件沿A-A’的第一种截面结构示意 图； 图4是图1所示的显示面板中的接触电阻监测器件沿A-A’的第二种截面结构示意 图； 图5是本申请实施例提供的接触电阻监测器件制作方法流程图； 图6是本申请实施例提供的在基板上形成栅极金属层的示意图； 图6a是制作栅极金属程的过程中，在基板上形成第一金属层的示意图； 图6b是制作栅极金属程的过程中，在第一金属层上涂布光刻胶的示意图； 图6c是制作栅极金属程的过程中，对光刻胶进行曝光显影后的示意图； 图7是本申请实施例提供的制作层间介电层后的示意图； 图7a是制作层间介电层过程中，在基板上形成层间介电层的示意图； 图7b是制作层间介电层过程中，在层间介电层上涂布光刻胶的示意图； 图7c是制作层间介电层过程中，对光刻胶进行曝光显影后的示意图； 图8是本申请实施例提供的制作源漏极金属层后的结构示意图； 图8a是制作源漏极金属层过程中，在层间介电层上形成第二金属层的示意图； 图8b是制作源漏极金属层过程中，在第二金属层上涂布光刻胶的示意图； 图8c是制作源漏极金属层过程中，对光刻胶进行曝光显影后的示意图； 图9是本申请实施例提供的制作像素电极层后的结构示意图。