技术摘要：
本发明公开了一种光刻胶去除装置和去除光刻胶的方法。该装置包括臭氧水发生器、纳米气泡发生器、臭氧管路和纳米气泡管路，臭氧管路的第一端与臭氧水发生器的出口连通，臭氧管路的第二端与纳米气泡发生器的入口连通；纳米气泡管路的第一端与纳米气泡发生器的出口连通，  全部
背景技术：
光刻胶又称光致抗蚀剂，它是一种对光敏感的有机化合物，光刻胶广泛用于集成 电路的制造，在半导体工艺制程中通过光刻工艺在硅片表面旋涂光刻胶，采用感光胶通过 曝光、显影和刻蚀等方式在每层结构面上形成所需要的图案，之后去除硅片表面的光刻胶。 相关技术中，去除光刻胶的方法主要是灰化和全湿法清洗。干法去胶所需费用较 高，也容易造成光刻胶下材料的损伤。湿法清洗去除光刻胶常用试剂为SPM，清洗步骤如下， 将双氧水注入到硫酸溶液中，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温清洗液；将该清洗液喷 洒到半导体硅片光刻胶表面，清洗液与光刻胶反应将光刻胶去除，之后用去离子水冲洗硅 片表面，最后用N2干燥硅片表面。由于双氧水与硫酸发生放热反应，工艺温度为90-150℃， 高温对部分器件会造成损伤，并且硫酸的消耗量很高，成本较高。
技术实现要素：
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种光刻胶去除装 置和一种去除光刻胶的方法。 为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供了一种光刻胶去除装置，包括臭氧水 发生器、纳米气泡发生器、臭氧管路和纳米气泡管路，其中， 所述臭氧管路的第一端与所述臭氧水发生器的出口连通，所述臭氧管路的第二端 与所述纳米气泡发生器的入口连通； 所述纳米气泡管路的第一端与所述纳米气泡发生器的出口连通，所述纳米气泡管 路的第二端用于与待去除光刻胶的硅片相对应。 可选地，所述纳米气泡管路的第二端设置有喷淋头。 可选地，所述喷淋头与所述硅片之间的垂直距离范围为15mm～25mm。 可选地，所述纳米气泡管路的第二端能够沿所述硅片的径向摆动。 可选地，当所述纳米气泡管路的第二端沿所述硅片的径向摆动时，其摆动速度为 6rpm～10rpm。 可选地，还包括清洗水源、干燥气源、清洗水管路和干燥气管路； 所述清洗水管路的第一端与所述清洗水源连通，所述清洗水管路的第二端用于与 所述硅片相对应； 所述干燥气管路的第一端与所述干燥气源连通，所述干燥气管路的第二端用于与 所述硅片相对应。 本发明的第二方面，提供了一种去除光刻胶的方法，采用如前文记载的光刻胶去 除装置，所述方法包括： 4 CN 111610698 A 说　明　书 2/7 页 步骤S110、向腔室内提供纳米气泡臭氧水，并在第一预设工艺参数下，使所述纳米 气泡臭氧水与硅片上的光刻胶反应，以去除所述光刻胶； 步骤S120、向所述腔室内提供清洗水，并在第二预设工艺参数下，对所述硅片的表 面进行清洗； 步骤S130、向所述腔室内提供干燥气体，并在第三预设工艺参数下，干燥所述硅 片。 可选地，所述第一预设工艺参数包括下述至少一项： 所述纳米气泡臭氧水中O3的浓度范围为10ppm～50ppm； 所述纳米气泡臭氧水的流量范围为1L/min～4L/min； 清洗时间范围为60s～180s； 硅片转速范围为800rpm～1500rpm。 可选地，所述清洗水包括超纯水，所述第二预设工艺参数包括下述至少一项： 所述超纯水的流量范围为0.5L/min～1.5L/min； 清洗时间范围为20s～40s。 硅片转速范围为400rpm～1000rpm。 可选地，所述干燥气体包括氮气，所述第三预设工艺参数包括下述至少一项： 所述氮气的流量范围为9L/min～11L/min； 清洗时间范围为25s～35s； 硅片转速范围为1800rpm～2000rpm。 本发明的光刻胶去除装置和去除光刻胶的方法，包括臭氧水发生器、纳米气泡发 生器、臭氧管路和纳米气泡管路，所述臭氧管路的第一端与所述臭氧水发生器的出口连通， 所述臭氧管路的第二端与所述纳米气泡发生器的入口连通；所述纳米气泡管路的第一端与 所述纳米气泡发生器的出口连通，所述纳米气泡管路的第二端用于与待去除光刻胶的硅片 相对应。本发明采用纳米气泡臭氧水的去除方式，可以提高硅片表面的光刻胶去除效率，清 洗过程无污染，且纳米气泡臭氧水的制作成本低廉，并且，在去除光刻胶的同时对硅片表面 图形无损伤，从而可以满足现有工艺对硅片的要求，进而可以使得硅片达到所设计的器件 特性。 附图说明 附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具 体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中： 图1为本发明第一实施例中光刻胶去除装置的结构示意图； 图2为本发明第二实施例中去除光刻胶的方法的工艺流程图。 附图标记说明 100：光刻胶去除装置； 110：臭氧水发生器； 120：纳米气泡发生器； 130：臭氧管路； 140：纳米气泡管路； 5 CN 111610698 A 说　明　书 3/7 页 150：喷淋头； 160：清洗水源； 170：干燥气源； 180：清洗水管路； 190：干燥气管路； 200：基座； 300：硅片。