技术摘要：
本发明涉及一种能够无孔洞地对高深宽比的凹槽进行空隙填充的半导体装置制造方法，所述半导体装置制造方法可以包括：形成包括凹槽的空隙填充目标结构物的步骤；形成对所述凹槽进行加衬的第一物质的步骤；为了形成杂质阻挡物质而进行所述第一物质的表面处理的步骤；及在  全部
背景技术：
在半导体装置等电子装置的制造中，需要用于三维结构(Three  dimensional  structure)或高深宽比结构(high  aspect  ratio  structure)的空隙填充(gapfill)。例如 在竖直型半导体装置的制造中使用高深宽比结构的空隙填充。
技术实现要素：
(发明所要解决的问题) 本发明的实施例提供一种能够无孔洞(void)地对高深宽比结构进行空隙填充的 竖直型半导体装置及其制造方法。 本发明的实施例提供一种能够无孔洞地对高深宽比的水平型凹槽(recess)进行 空隙填充的竖直型半导体装置及其制造方法。 (解决问题所采用的措施) 本发明实施例的半导体装置制造方法可以包括：形成包括凹槽的空隙填充目标结 构物的步骤；形成对所述凹槽进行加衬的第一物质的步骤；为了形成杂质阻挡物质而进行 所述第一物质的表面处理的步骤；及在所述杂质阻挡物质上形成对所述凹槽进行空隙填充 的第二物质的步骤。所述表面处理可以包括使所述第一层的表面氮化的步骤。所述杂质阻 挡物质可以在所述第一物质与第二物质之间提供连续的界面。 本发明实施例的半导体装置可以包括：层叠结构物，其包括水平型凹槽；及导电图 案，其填充所述水平型凹槽，且所述导电图案包括：核生成物质，其对所述水平型凹槽进行 加衬(lining)；主体(bulk)物质，其在所述核生成物质上填充所述水平型凹槽；及杂质阻挡 物质，其在所述核生成物质与主体物质之间提供连续的界面，阻断从所述主体物质扩散的 杂质。 (发明的效果) 本技术在空隙填充工序期间，借助于表面处理工序而阻断杂质扩散，因而可以无 孔洞地对水平型凹槽进行空隙填充。 本技术在空隙填充工序时抑制或去除孔洞，从而可以防止烟尘(Fume)侵蚀导致的 不良。 附图说明 图1a是图示根据一个实施例的高深宽比结构的空隙填充方法的流程图。 图1b是图示根据一个实施例的半导体装置的俯视图。 图1c是图示根据一个实施例的半导体装置的剖面图。 4 CN 111599668 A 说　明　书 2/15 页 图2a至图2i是用于说明制造根据一个实施例的半导体装置的方法的一个示例的 图。 图3是图示根据比较例的钨层空隙填充方法的图。 图4a是图示根据另一实施例的高深宽比结构的空隙填充方法的流程图。 图4b是根据图4a而形成的半导体装置的剖面图。 图4c是用于说明图4b的水平结构物的放大图。 图5是图示根据另一实施例的半导体装置的剖面图。 图6a至图6e是用于说明制造根据另一实施例的半导体装置的方法的一个示例的 图。 图7a是图示竖直型半导体装置的图。 图7b是根据图7a的A-A'线的剖面图。 图8a至图8j是用于说明制造竖直型半导体装置的方法的一个示例的图。 (附图标记的说明) 11：下部结构物；12：绝缘层；13：牺牲层；14：沟道孔； 15：电荷存储层；16：隧道绝缘层；17：沟道层；18：核心绝缘层； 19：导电垫；20：封盖层；21：缝隙；22：水平型凹槽； 23：阻挡层；24A：屏障物质；25A：钨核生成物质；26：表面处理工序； 27A：杂质阻挡物质；28A：钨主体物质；29：空隙填充物质； 30：栅极结构物