技术摘要：
本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板。本发明提供的阵列基板，包括基板、设置在基板上的绝缘层以及设置在绝缘层上的源极、半导体层和像素电极，源极和像素电极分别位于半导体层两侧，且半导体层与源极之间以及半导体层与像素电极之间均具有重叠区域，还包括  全部
背景技术：
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid  Crystal  Display，简称LCD)等平面显 示装置因具有高画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数 字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。 液晶显示面板通常由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹设在阵列基板和彩膜 基板之间的液晶层组成，通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子 旋转，从而将背光模组的光线折射出来产生画面。其中，对于顶栅结构的阵列基板，通常是 通过在玻璃基板上源漏极金属层，并通过对源漏极金属层进行光刻工艺形成源极和漏极； 然后在玻璃基板上沉积金属氧化物层，并通过光刻工艺使金属氧化物层形成有源岛图形， 其中有源岛图形位于源极和漏极之间，且有源岛图形的两侧分别搭接在源极和漏极上；然 后在玻璃基板上沉积形成栅绝缘层，栅绝缘层覆盖源极、漏极和有源岛图形；最后在栅绝缘 层上沉积栅极金属层，并通过光刻工艺使栅极金属层形成栅极。顶栅结构中，像素电极可以 和源、漏极同层设置并与漏极连接，或者，像素电极与源、漏极间隔设置在不同层，像素电极 通过导电过孔与漏极连接。 但是，像素电极与漏极的连接方式，存在阻抗高的风险，这会影响阵列基板的薄膜 晶体管的性能。
技术实现要素：
本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，阵列基板可避免产生高阻抗 风险，并且可以节约生产成本，提高产品开口率。 第一方面，本发明提供一种阵列基板，该阵列基板包括基板、设置在基板上的绝缘 层以及设置在绝缘层上的源极、半导体层和像素电极，源极和像素电极分别位于半导体层 两侧，且半导体层与源极之间以及半导体层与像素电极之间均具有重叠区域，还包括覆盖 源极、半导体层和像素电极的钝化层，以及设置在钝化层上的栅极。 在一种可能的实施方式中，半导体层的两侧分别覆盖部分源极和部分像素电极。 在一种可能的实施方式中，半导体层的一侧覆盖部分像素电极，部分源极覆盖在 半导体层的另一侧上。 在一种可能的实施方式中，阵列基板还包括刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层位于绝缘层 和钝化层之间，且刻蚀阻挡层覆盖半导体层和像素电极； 刻蚀阻挡层上设有贯通刻蚀阻挡层的接触孔，接触孔与半导体层的局部区域对 应，源极设置在刻蚀阻挡层上，且源极通过接触孔与半导体层接触。 在一种可能的实施方式中，半导体层的层数为至少一层，且半导体层为铟镓锌氧 化物半导体层。 4 CN 111584522 A 说　明　书 2/12 页 在一种可能的实施方式中，半导体层至少包括依次层叠在绝缘层上的半导体保护 层和第一半导体层。 在一种可能的实施方式中，绝缘层包括依次层叠在基板上的第一绝缘层和第二绝 缘层，第一绝缘层为氮化硅层，第二绝缘层为氧化硅层。 在一种可能的实施方式中，钝化层包括依次层叠在绝缘层上方的第一钝化层和第 二钝化层，第一钝化层为氧化硅层，第二钝化层为氮化硅层。 第二方面，本发明提供一种阵列基板的制作方法，该制作方法包括如下步骤： 在基板上沉积形成绝缘层； 在绝缘层上形成源极、半导体层和像素电极；其中，源极和像素电极分别位于半导 体层两侧，且半导体层与源极之间以及半导体层与像素电极之间均具有重叠区域； 在绝缘层上形成钝化层，钝化层覆盖源极、半导体层和像素电极； 在钝化层上形成栅极。 在一种可能的实施方式中，在绝缘层上形成源极、半导体层和像素电极，具体包 括： 在绝缘层上形成源极和像素电极；其中，源极和像素电极之间具有间隔； 在绝缘层上形成半导体层；其中，半导体层的中间区域位于源极和像素电极之间 的间隔内，且半导体层的两侧分别覆盖部分源极和部分像素电极。 在一种可能的实施方式中，在绝缘层上形成源极、半导体层和像素电极，具体包 括： 在绝缘层上形成像素电极； 在绝缘层上形成半导体层；其中，半导体层的一侧覆盖部分像素电极； 在绝缘层上方形成源极；其中，部分源极覆盖在半导体层的另一侧上。 在一种可能的实施方式中，在绝缘层上方形成源极，具体包括： 在绝缘层上形成刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层覆盖半导体层和像素电极； 在刻蚀阻挡层上形成接触孔；其中，接触孔贯通刻蚀阻挡层，且接触孔与半导体层 的局部区域对应； 在刻蚀阻挡层上形成源极；其中，源极通过接触孔与半导体层接触。 第三方面，本发明提供一种显示面板，该显示面板包括如上所述的阵列基板。 本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，阵列基板通过在绝缘层上设 置源极、半导体层和像素电极，源极和像素电极位于半导体层两侧，且半导体层与源极及半 导体层与像素电极之间均具有重叠区域，这样源极的电信号通过半导体层直接传递至像素 电极；这样不用设置漏极，不存在形成其他结构层的过程中对漏极产生影响，避免由此带来 的在漏极表面形成高阻抗物质，进而可减少对漏极表面进行还原处理的工序；如此可解决 阵列基板存在高阻抗风险的问题，进而减少对漏极进行表面处理的制程，可以节约生产成 本；同时，无漏极结构还可减小薄膜晶体管的尺寸，进而可以提高阵列基板的开口率。 附图说明 为了更清楚地说明本发明或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描 述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些 5 CN 111584522 A 说　明　书 3/12 页 实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些 附图获得其他的附图。 图1为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图； 图2为本发明实施例一提供的另一种阵列基板的结构示意图； 图3为本发明实施例二提供的阵列基板的制作方法的流程示意图； 图4为本发明实施例二提供的一种在绝缘层上形成源极、半导体层和像素电极的 流程图； 图5为本发明实施例二提供的另一种在绝缘层上形成源极、半导体层和像素电极 的流程图； 图6为本发明实施例二提供的基板上形成绝缘层的结构示意图； 图7a-7b为本发明实施例二提供的一种在绝缘层上形成源极、半导体层和像素电 极的结构图； 图7c-7f为本发明实施例二提供的另一种在绝缘层上形成源极、半导体层和像素 电极的结构图； 图8a和图8b为本发明实施例二提供的在绝缘层上形成钝化层的结构图； 图9a和图9b为本发明实施例二提供的在钝化层上形成栅极的结构图。 附图标记说明： 100-阵列基板；110-基板；120-绝缘层；121-第一绝缘层；122-第二绝缘层；130-源 极；131-第一金属层；132-第二金属层；140-半导体层；141-半导体保护层；142-第一半导体 层；150-像素电极；160-钝化层；161-第一钝化层；162-第二钝化层；170-栅极；171-第三金 属层；172-第四金属层；180-刻蚀阻挡层；181-接触孔。