技术摘要：
本发明提供半导体晶圆的评价方法，其包括以下工序，通过接收向评价对象的半导体晶圆的一方的表面侧照射光所得到的反射光来取得反射像作为明视野像，通过接收向评价对象的半导体晶圆的上述表面侧照射光所得到的散射光来取得散射像作为暗视野像，及求出在上述反射像被观  全部
背景技术：
近年来，关于半导体晶圆，进行对晶圆外周边缘部的形状的评价(例如参照日本特 开2016-130738号公报(其所有记载特别地在此作为公开而被引用))。 半导体晶圆一般地对被从铸锭切出的晶圆实施各种加工而被制造。从铸锭切出的 晶圆的外周边缘部原样的话具有角部，所以容易产生破裂、缺口。因此，通常进行在作为半 导体晶圆的元件形成面侧的表面(正面)侧及与正面相反的一侧的表面(反面)侧的至少一 方的外周边缘部实施倒角加工来形成倒角面。关于该倒角面，日本特开2016-130738号公报 中提出，以倒角面由白色显示的方式取得图像，根据该图像的宽度尺寸算出倒角面的宽度 尺寸(参照日本特开2016-130738号公报的第0060~0062段)。以下，半导体晶圆的“表面”若 无特别说明，则指上述的正面及反面的某一方或两方。 在半导体晶圆的表面，正面侧的主面是在其上形成元件的平面，其相反侧的平面 为反面侧的主面。形成于晶圆外周边缘部的倒角面具有相对于相邻的主面倾斜的面形状。 因此，若观察半导体晶圆的厚度方向的截面形状，则在主面和与该主面相邻的倒角面的边 界部形状较大地变化。该主面和倒角面的边界部的形状能够为用于预测半导体元件的制造 工序中的缺口、损伤的易产生程度等的指标。例如，半导体元件的制造工序中，热处理时配 合支承晶圆的晶圆支承件的形状地将晶圆表面(例如反面)与倒角面的边界部的形状适当 地设定，由此，难以产生由接触引起的边界部的缺口、损伤，能够减少以缺口、损伤为原因的 位错(滑移)、起尘的发生率。但是，日本特开2016-130738号公报所述的方法为求出倒角面 的宽度尺寸的方法，日本特开2016-130738号公报所述的方法中，不能评价倒角面与主面的 边界部的形状。
技术实现要素：
本发明的一方案提供用于评价半导体晶圆的倒角面与主面的边界部的形状的新 的方法。 本发明的一方案涉及半导体晶圆的评价方法(以下也简单地记载为“评价方 法”。)，包括以下工序，通过向评价对象的半导体晶圆的一方的表面侧照射光而接收所得到 的反射光来取得反射像作为明视野像，通过向评价对象的半导体晶圆的上述表面侧照射光 而接收所得到的散射光来取得散射像作为暗视野像，及求出在上述反射像被观察的明部带 域与在上述散射像被观察的明部带域的间隔L，评价对象的半导体晶圆为在晶圆外周边缘 4 CN 111587476 A 说　明　书 2/9 页 部形成有倒角面的半导体晶圆，前述半导体晶圆的评价方法包括以下工序，基于上述L评价 评价对象的半导体晶圆的被照射前述光的表面侧的主面和与该主面相邻的倒角面的边界 部的形状。 本发明的多位发明人不断深入研究，结果，新发现出，关于上述间隔L，倒角面与主 面的边界部的形状越缓L的值越大，倒角面与主面的边界部的形状越陡L的值越小。因此，若 基于该L的值，能够评价主面与倒角面的边界部的形状的缓/陡。 一方案中，可以是，上述评价方法还包括以下工序，从比上述边界部的铅垂方向上 方靠外侧处向至少包括上述倒角面的上述边界部侧的区域及上述边界部的上述倒角面侧 的区域的部分照射光来取得前述散射像。 一方案中，可以是，上述评价方法还包括以下工序，从比上述边界部的铅垂方向上 方向至少包括上述主面的上述边界部侧的区域及上述边界部的上述主面侧的区域的部分 照射光来取得上述反射像。 一方案中，可以是，还包括以下工序，多次进行使评价对象的半导体晶圆以上述主 面的法线方向为轴旋转来取得上述散射像及上述反射像的工序从而在评价对象的半导体 晶圆的多个不同的部位求出上述L。 本发明的另一方案为半导体晶圆的制造方法，其包括以下工序，制造将作为产品 出货的候补的半导体晶圆，将上述候补的半导体晶圆根据上述的评价方法评价，及对评价 的结果为判定成佳品的半导体晶圆进行用于作为产品半导体晶圆出货的准备。 本发明的另一方案为半导体晶圆的制造方法，其包括以下工序，制造包括多个半 导体晶圆的半导体晶圆批量，从上述半导体晶圆批量抽出至少一个半导体晶圆，将被抽出 的上述半导体晶圆通过上述的评价方法评价，及对与上述评价的结果为判定成佳品的半导 体晶圆相同的半导体晶圆批量的半导体晶圆进行用于作为产品半导体晶圆出货的准备。 本发明的另一方案为半导体晶圆的制造方法，其包括以下工序，在测试制造条件 下制造评价用半导体晶圆，将被制造的上述评价用半导体晶圆根据上述的评价方法评价， 基于上述评价的结果，将对上述测试制造条件加以改变的制造条件确定为实际制造条件， 或将上述测试制造条件确定为实际制造条件，及在被确定的前述实际制造条件下制造半导 体晶圆。 一方案中，可以是，加以改变的上述制造条件为半导体晶圆表面的研磨处理条件 及倒角加工条件的至少一方。 根据本发明的一方案，能够提供用于评价半导体晶圆的倒角面与主面的边界部的 形状的新的方法。 附图说明 图1表示实施例中为了取得反射像而使用的光照射系统及光接收系统的概略结构 图。 图2表示是实施例中为了取得散射像而使用的光照射系统及光接收系统的概略结 构图。 图3表示将关于在晶圆外周边缘部实施倒角加工的同一半导体晶圆的同一部位所 得到的反射像和散射像排列的一例。 5 CN 111587476 A 说　明　书 3/9 页 图4表示将实施例中所得到的L的值相对于参照值制图的图表。 图5表示实施例中两种半导体晶圆的各自的多个部位处所得到的评价结果。 图6表示基于用于得到参照值的评价方法的评价结果的一例。 图7表示关于实施例中评价的半导体晶圆根据用于得到参照值的评价方法所得到 的评价结果。