技术摘要：
本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，所述显示面板包括基板、有源层、栅极绝缘层以及金属层，其中，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层以及第二栅极绝缘层。所述显示面板的制备方法包括：提供一基板；在所述基板的上表面依次制备出有源层、栅极绝缘层以及  全部
背景技术：
顶栅自对准结构(Top-gate  Self-align)的Oxide  TFT技术，通常都会先做一层遮 光层金属，另外栅极和源漏极会通过两道Photo制程实现。为了缩短制程时间，降低成本，可 以通过一道Photo制程制作栅极，源极，漏极电极(可称为GSD技术)，但是若采用这种技术源 漏极与遮光层金属之间的栅极绝缘层厚度较小，薄膜晶体管器件以及金属层跨线区域的电 容较大。
技术实现要素：
本发明的目的在于，解决现有显示装置中薄膜晶体管以及金属层跨线区域的电容 较大的技术问题。 为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，包括：基板；有源层，设于所述基板 上；栅极绝缘层，设于所述基板上且覆盖所述有源层；金属层，设于所述栅极绝缘层上，所述 金属层包括栅极以及源漏极，所述源漏极连接至所述有源层，所述栅极位于所述有源层的 上方；其中，所述栅极绝缘层包括：第一栅极绝缘层，设于所述栅极下方；以及第二栅极绝缘 层，设于所述源漏极下方；所述第一栅极绝缘层的厚度小于所述第二栅极绝缘层的厚度。 进一步地，所述第一栅极绝缘层的厚度为1000埃米～3000埃米；所述第二栅极绝 缘层的厚度为2000埃米～10000埃米。 为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：提供一 基板；形成有源层于所述基板上；形成栅极绝缘层于所述基板上且覆盖所述有源层；提供一 掩膜板，将所述掩膜板置于所述栅极绝缘层上；对所述有源层所在区域的栅极绝缘层进行 曝光，去除部分厚度的栅极绝缘层，并形成第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层以及贯穿所述 栅极绝缘层的接触孔；形成一金属层于所述栅极绝缘层上以及所述接触孔中，并对所述金 属层进行图案化处理，形成源漏极以及栅极，其中所述源漏极通过所述接触孔连接至所述 有源层，所述栅极下方的第一栅极绝缘层的厚度小于所述源漏极下方的第二栅极绝缘层的 厚度。 进一步地，所述掩膜板包括：第一部分，与所述有源层相对设置，所述第一部分为 半透光区；第二部分，环绕所述第一部分，所述第二部分为遮蔽区；以及第三部分，设于所述 第一部分与所述第二部分之间，所述第三部分为全透光区。 进一步地，所述第一部分的透光率为30％～50％。 进一步地，对所述有源层所在区域的栅极绝缘层进行曝光包括：在所述有源层以 及所述基板的上表面制备出栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层的上表面涂布一层光阻层；将 所述掩膜板对准所述栅极绝缘层；曝光显影处理所述栅极绝缘层，获得第一栅极绝缘层、第 二栅极绝缘层以及第三栅极绝缘层，所述第三栅极绝缘层位于所述第一栅极绝缘层以及所 4 CN 111584509 A 说　明　书 2/6 页 述第二栅极绝缘层之间；以及灰化处理所述第一栅极绝缘层上方的光阻层。 进一步地，所述显示面板的制备方法还包括：刻蚀处理所述第三栅极绝缘层，去除 所述第三栅极绝缘层，形成接触孔。 进一步地，所述显示面板的制备方法还包括：等离子体轰击所述接触孔，导体化所 述接触孔处的有源层。 进一步地，所述第一栅极绝缘层的厚度为1000埃米～3000埃米；所述第二栅极绝 缘层的厚度为2000埃米～10000埃米。 为实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，包括如前文所述的显示面板。 本发明的技术效果在于，在同时制备栅极以及源漏极的工序中，对栅极绝缘层进 行多次刻蚀，使得栅极下方的第一栅极绝缘层的厚度小于源漏极下方的第二栅极绝缘层的 厚度，保证栅极绝缘层的厚度的同时，减小源漏极与遮光层之间的电容，保证显示装置的显 示效果。 附图说明 下面结合附图，通过对本发明的