技术摘要：
本发明涉及显示装置及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，上述第一TFT中，覆盖上述氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介  全部
背景技术：
液晶显示装置中，形成下述这样的构成：具有TFT基板、与TFT基板相对地配置的对 置基板，并在TFT基板与对置基板之间夹持液晶，其中，所述TFT基板中以矩阵状形成有具有 像素电极及薄膜晶体管(TFT)等的像素。并且，按每个像素来控制基于液晶分子的光的透过 率，从而形成图像。另一方面，有机EL显示装置通过在各像素中配置自发光的有机EL层和 TFT，从而形成彩色图像。有机EL显示装置由于无需背光源，因此对于薄型化而言是有利的。 多晶硅半导体的迁移率高，因此适合作为驱动电路用TFT。另一方面，氧化物半导 体的OFF电阻高，若将其用作像素内的开关TFT，则能够减小OFF电流。 作为记载了使用氧化物半导体的TFT和使用多晶硅半导体的显示装置，可举出专 利文献1、专利文献2、专利文献3、专利文献4及专利文献5。 现有技术文献 专利文献 专利文献1：日本特开2018-74076号公报 专利文献2：日本特开2017-208473号公报 专利文献3：日本特开2018-49919号公报 专利文献4：日本特开2016-93071号公报 专利文献5：日本特开2016-194703号公报
技术实现要素：
发明要解决的课题 就作为像素的开关使用的TFT而言，需要漏电流小。利用氧化物半导体的TFT能够 减小漏电流。但是，氧化物半导体的载流子的迁移率小，因此有时难以由使用氧化物半导体 的TFT来形成内置于显示装置内的驱动电路。 另一方面，由多晶硅半导体形成的TFT的迁移率大，因此能够由使用多晶硅半导体 的TFT形成驱动电路。但是，在将多晶硅半导体用作像素中的开关TFT的情况下，多晶硅半导 体的漏电流大，因此，通常将两个多晶硅半导体TFT串联地使用。 因此，当作为显示区域中的像素的开关TFT使用氧化物半导体、而在周边驱动电路 的TFT中使用多晶硅半导体时，是合理的。但是，就使用多晶硅半导体的TFT和使用氧化物半 导体的TFT而言，需要形成于不同的层。根据工艺温度条件，通常，先(即在下层)形成使用多 晶硅半导体的TFT，后(即在上层)形成使用氧化物半导体的TFT。 但是，由于多晶硅半导体的表面会被氧化，因此，在层叠于多晶硅半导体之上的绝 缘膜中形成通孔后，利用氢氟酸(HF)清洗通孔内。此时，氢氟酸(HF)也进入形成于氧化物半 4 CN 111584499 A 说　明　书 2/9 页 导体侧的通孔。这样的话，氧化物半导体会因氢氟酸(HF)而消失。 为了防止该情况，进行下述操作：形成漏极金属或源极金属并将通孔连接于漏极 金属或源极金属，而不将通孔直接连接于氧化物半导体。专利文献1至5为示出该构成的例 子。 专利文献1至4为将漏极金属及源极金属层叠于氧化物半导体的上侧的例子。在该 构成中，形成漏极金属及源极金属时氧化物半导体的表面被污染，利用氧化物半导体的TFT 的特性变得不稳定。专利文献5为在漏极金属及源极金属之上层叠氧化物半导体的例子，但 该情况下，由于是在形成氧化物半导体前将漏极金属及源极金属图案化，因此也存在形成 氧化物半导体的表面被污染的危险。另外，由于将膜厚小的氧化物半导体也形成到漏极金 属或源极金属之上，因此也有断开的危险。 本发明针对以上这样的问题点，实现形成特性稳定的利用氧化物半导体的TFT。另 外，实现使用了利用氧化物半导体的TFT和利用多晶硅半导体的TFT这两者的可靠性高的显 示装置或半导体器件。 用于解决课题的手段 本发明克服了上述问题，代表性的具体手段如下。即，显示装置，其特征在于，具有 形成有使用氧化物半导体的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，上述第一TFT 中，覆盖上述氧化物半导体而形成第一绝缘膜，第一漏电极介由上述第一绝缘膜中形成的 第一通孔连接于上述氧化物半导体，第一源电极介由上述第一绝缘膜中形成的第二通孔连 接于上述氧化物半导体，覆盖上述第一漏电极及上述第一源电极而形成第二绝缘膜，漏极 布线介由上述第二绝缘膜中形成的第三通孔连接于上述第一漏电极，源极布线介由上述第 二绝缘膜中形成的第四通孔连接于上述第一源电极。 附图说明 [图1]为液晶显示装置的俯视图。 [图2]为液晶显示装置的显示区域的截面图。 [图3]为示出未使用本发明的情况下的显示区域的像素构成的俯视图。 [图4]为图3的A-A截面图。 [图5]为基于本发明的液晶显示装置的显示区域的截面图。 [图6]为示出基于本发明的显示区域的像素构成的俯视图。 [图7]为图6的B-B截面图。 [图8]为示出氧化物半导体TFT与多晶硅半导体TFT的混合构成的截面图。 [图9]为示出基于本发明的氧化物半导体TFT与多晶硅半导体TFT的混合构成的截 面图。 [图10]为有机EL显示装置的显示区域的截面图。 [图11]为光传感器的截面图。 [图12]为光传感器的俯视图。 附图标记说明 11 ...扫描线、12...视频信号线、13...像素、14...显示区域、15...端子区域、 16...密封材料、17...柔性布线基板、118...扫描线驱动电路、90...检测区域、91...扫描 5 CN 111584499 A 说　明　书 3/9 页 线、92...信号线、93...电源线、94...传感器元件、95...扫描电路、96...信号电路、97... 电源电路、99...第1遮光膜、100...TFT基板、101...第1遮光膜、102...基底膜、103...多晶 硅半导体、104...第1栅极绝缘膜、105...第1栅电极、106...第2遮光膜、107...连接电极、 108...层间绝缘膜、109...氧化物半导体、110…漏电极、111…源电极、112...第2栅极绝缘 膜、113...AlO膜、114...第2栅电极、115...无机钝化膜、116...第1屏蔽布线、117...第1漏 极布线极、118...第1栅极布线、119...第1源极布线、121...第2栅极布线、122...第2源极 布线、123...第2屏蔽布线、130、131、132、133、134，135、136、137、138、139...通孔、140... 有机钝化膜、141...公共电极、142...电容绝缘膜、143...像素电极、144...取向膜、150... 下部电极、151...有机EL层、152...阴极、153...保护层、154...粘合材料、155...偏光板、 160...堤、160...堤、171、172、172、174...通孔、200...对置基板、201...滤色器、202...黑 矩阵、203...覆盖膜、204...取向膜、300...液晶层、301...液晶分子、400...窗、500...受 光元件、600...面板、601...粘合材料、700...被测定物