技术摘要：
本发明提出一种阵列基板及其制造方法，涉及显示面板领域，阵列基板制造方法包括：S1：在基板上形成栅金属层、覆盖栅金属层的栅极绝缘层以及位于栅极绝缘层上的半导体层；S2：形成位于半导体层上的信号电极层，信号电极层覆盖在部分半导体层上，半导体层具有暴露于信号  全部
背景技术：
本发明提供一种阵列基板及其制造方法，通过设计并刻蚀掉信号电极层下层露出 的半导体层的边缘部分以消除栅极绝缘层过刻的影响。 本发明的技术方案如下： 本发明公开了一种阵列基板的制造方法，包括以下步骤： S1：在基板上形成栅金属层、覆盖栅金属层的栅极绝缘层以及位于栅极绝缘层上 的半导体层； S2：形成位于半导体层上的信号电极层，信号电极层覆盖在部分半导体层上，半导 体层具有暴露于信号电极层外的边缘部分； S3：在步骤S2的基础上依序沉积无机绝缘层和光阻，通过曝光刻蚀形成位于栅金 属层上的第一开孔以及与第一开孔连通的第二开孔，第二开孔暴露出半导体层的边缘部 分； S4：刻蚀掉暴露出的信号电极层下层露出的半导体层的边缘部分； S5：剥离光阻，形成位于第一开孔和第二开孔内的透明电极层。 优选地，步骤S2形成的所述边缘部分的宽度至少为0.5微米。 优选地，步骤S3中，在刻蚀形成第一开孔时，栅极绝缘层在半导体层的下方形成过 刻区域。4、根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，边缘部分的宽度不小 于过刻区域的宽度。 优选地，部分半导体层层叠在栅金属层上方。 优选地，步骤S4是采用草酸对所述边缘部分进行刻蚀。 优选地，所述半导体层的制作材料为IGZO。 本发明还公开了一种阵列基板，由上述的阵列基板的制造方法制造，包括：基板以 及位于基板上的栅金属层；栅极绝缘层，覆盖栅金属层；设置在栅金属层上的第一开孔；半 导体层，位于栅极绝缘层上且与栅金属层部分重叠；信号电极层，位于半导体层上且与栅金 属层部分重叠；无机绝缘层，覆盖部分信号电极层和栅极绝缘层，所述无机绝缘层在第一开 孔上方以及信号电极层上方设有第二开孔；透明电极层，位于第一开孔和第二开孔内且覆 3 CN 111613575 A 说　明　书 2/4 页 盖部分信号电极层和部分无机绝缘层。 优选地，所述信号电极层通过位于第二开孔内的像素电极与栅金属层接触。 优选地，所述半导体层为IGZO。 本发明能够带来以下至少一项有益效果： 本发明通过在栅金属层和信号电极层之间叠设一层半导体层，并将信号电极层的 图形边缘设计的相比半导体层的图形边缘往里缩至少0.5微米，对半导体层的边缘部分进 行刻蚀以消除栅极绝缘层过刻的影响，也可以防止后续透明电极层桥接时出现电极层的断 裂，减少搭接之处的面积并相应地降低搭接电阻。 附图说明 下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对本发明予以进一步说 明。 图1是本发明阵列基板的制造方法中步骤S1的示意图； 图2是本发明阵列基板的制造方法中步骤S1的部分俯视图； 图3是本发明阵列基板的制造方法中步骤S2的示意图； 图4是本发明阵列基板的制造方法中步骤S2的部分俯视图； 图5是本发明阵列基板的制造方法中步骤S3的示意图； 图6是本发明阵列基板的制造方法中步骤S3完成后的部分俯视图； 图7是本发明阵列基板的制造方法中步骤S4的示意图； 图8是本发明阵列基板的制造方法中步骤S5的示意图； 图9是本发明阵列基板的制造方法中步骤S5完成后的部分俯视图。
技术实现要素：
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明 本发明的