技术摘要：
本申请公开了一种灵敏放大器，涉及半导体集成电路领域。该灵敏放大器包括参考单元电路和存储单元电路；存储单元电路包括预定充电电路、钳位电路，预充电路连接电源电压，预充电电路与钳位电路连接，钳位电路连接存储器模块；参考单元电路包括参考电流源、参考钳位电路  全部
背景技术：
灵敏放大器是存储器中的一个重要组成部分，灵敏放大器感应位线(BL，Bit  Line)上的小信号并通过放大小信号来读取存储单元存储的数据。为了读取存储单元存储 的数据，需要对存储单元的位线进行预充电。 现有的灵敏放大器包括预充电电路，在预充电电路中采用一个PMOS管作为开关 管，该PMOS管的源极连接电源，栅极连接预充电控制信号，漏极连接存储单元的位线。预充 电控制信号从高电平变为低电平时，该PMOS管导通，存储单元的位线电压增高。 但是，由预充电控制信号直接控制PMOS管的开关，在PMOS管刚导通开始对位线进 行预充的时候，该PMOS管上的电流不受控制，尖峰电流很大，会引入很大的噪声。
技术实现要素：
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种灵敏放大器。该技术方案如下： 一方面，本申请实施例提供了一种灵敏放大器，包括参考单元电路和存储单元电 路； 存储单元电路包括预充电电路、钳位电路，预充电电路连接电源电压，预充电电路 与钳位电路连接，钳位电路连接存储器模块； 参考单元电路包括参考电流源、参考钳位电路，参考电流源连接电源电压，参考电 流源与参考钳位电路连接，参考钳位电路与参考单元连接； 参考单元电路中的参考电流源与存储单元电路中的预充电电路连接，参考电流源 为预充电电路提供参考电流； 预充电电路中的开关管接收预充电控制信号，预充电电路用于根据预充电控制信 号对存储器模块的位线进行充电，并在预充电过程中保持开关管的电流稳定。 可选的，预充电电路包括三个PMOS管，第一PMOS管作为开关管，第一PMOS管的栅极 接收预充电控制信号； 第一PMOS管与第二PMOS管连接，第一PMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接，第 二PMOS管和第三PMOS管的源极连接电源电压，第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极分别 与参考电流源连接； 第二PMOS管用于将参考电流源的电流镜像至预充电电路。 可选的，在参考单元电路中，第四PMOS管的源极连接电源电压，第四PMOS管的漏极 与栅极连接； 第四PMOS管的栅极与预充电电路中的第二PMOS管的栅极连接，第四PMOS管的栅极 与预充电电路中的第三PMOS管的栅极连接。 可选的，在存储单元电路中钳位电路包括第一反相器和第一NMOS管； 4 CN 111583975 A 说　明　书 2/5 页 第一反相器的输入端与第一NMOS管的源极连接，第一反相器的输出端与第一NMOS 管的栅极连接； 第一NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接。 可选的，存储器模块包括存储单元和位线等效电容，第一NMOS管的源极通过位线 与存储单元的漏极连接，存储单元的栅极连接第一字线； 位线等效电容的一端与第一NMOS管的源极连接，位线等效电容的另一端接地。 可选的，在参考单元电路中参考钳位电路包括第二反相器和第二NMOS管； 第二反相器的输入端与第二NMOS管的源极连接，第二反相器的输出端与第二NMOS 管的栅极连接； 第二NMOS管的漏极与第四PMOS管的漏极连接。 可选的，第二NMOS管的源极与参考单元的漏极连接，参考单元的栅极连接第二字 线。 可选的，第二PMOS管的电流是第四PMOS管的电流的m倍； 其中，m与第二PMOS管的宽长比、四PMOS管的宽长比有关。 本申请技术方案，至少包括如下优点： 本申请实施例提供的灵敏放大器，利用参考单元电路额外产生一个参考电流，由 预充电路电路中的第二PMOS管将参考电流引入预充电电路，由预充电控制信号PREB直接控 制预充电电路中的第一PMOS管，当预充电控制信号从高电平变为低电平时，预充电电路对 存储单元的位线充电，利用引入的参考电流，解决了现有灵敏放大器的预充电电路中接收 预充电控制信号的开关管，在预充电开始时电流不受控制，容易引入噪声的问题；达到了在 预充电过程开始时令第二PMOS管的电流稳定，避免产生尖峰电流，减少噪声的效果。 附图说明 为了更清楚地说明本申请