技术摘要：
本发明提供一种水蒸气处理装置和水蒸气处理方法，利用水蒸气对用处理气体实施了处理后的基片进行处理，该水蒸气处理装置包括：外侧腔室，其具有上下分隔开的第一处理室和第二处理室；第一内侧腔室，其被收纳于第一处理室中，以不与第一处理室的内壁面接触的方式载置在  全部
背景技术：
专利文献1公开了一种大气环境输送室，其与利用卤系气体的等离子体来对被处 理体实施处理的被处理体处理室连接，且具有对内部的被处理体供给高温水蒸气的高温水 蒸气供给装置。根据专利文献1公开的大气环境输送室，能够促进反应生成物中的卤素的还 原，能够促进反应生成物的分解。 现有技术文献 专利文献 专利文献1：日本特开2006-261456号公报。
技术实现要素：
发明要解决的技术问题 本发明提供一种能够以高生产性对利用处理气体实施了处理的基片进行水蒸气 处理的水蒸气处理装置和水蒸气处理方法。 用于解决技术问题的技术方案 本发明的一个方式的水蒸气处理装置是一种利用水蒸气对用处理气体实施了处 理后的基片进行处理的水蒸气处理装置，其具有：外侧腔室，其具有上下分隔开的第一处理 室和第二处理室；第一内侧腔室，其被收纳于所述第一处理室中，以不与所述第一处理室的 内壁面接触的方式载置在位于所述第一处理室的底面的固定部件上；第二内侧腔室，其被 收纳于所述第二处理室中，以不与所述第二处理室的内壁面接触的方式载置在位于所述第 二处理室的底面的固定部件上；对所述第一内侧腔室和所述第二内侧腔室分别供给水蒸气 的水蒸气供给部；和从所述第一内侧腔室和所述第二内侧腔室分别进行排气的内侧排气 部。 发明效果 根据本发明，提供一种能够以高生产性对用处理气体实施了处理后的基片进行水 蒸气处理的水蒸气处理装置和水蒸气处理方法。 附图说明 图1是表示实施方式的水蒸气处理装置所进行的后处理中应用的薄膜晶体管的一 例的纵截面图。 图2A是表示蚀刻处理之后的电极附近的状态的示意图。 图2B是表示后处理之后的电极附近的状态的示意图。 图3是表示包含实施方式的水蒸气处理装置的集结式机台的一例的平面图。 图4是实施方式的水蒸气处理装置的一例的纵截面图。 4 CN 111599712 A 说　明　书 2/11 页 图5是图4的V-V向视图，是与图4正交的方向的纵截面图。 图6是图4的VI-VI向视图，是实施方式的水蒸气处理装置的一例的横截面图。 图7是说明将搭载有基片的基片输送部件送入内侧腔室，将基片载置在载置台上 的状况的纵截面图。 图8是图7的VIII-VIII向视图。 图9是图7的IX-IX向视图。 图10是表示水蒸气供给部的供给管和内侧排气部的排气管的另一实施方式的横 截面图。 图11是图10的XI-XI向视图。 图12是表示水蒸气供给部的供给机构和内侧排气部的排气管的又一实施方式的 纵截面图。 图13是图12的XIII-XIII向视图。 图14是表示实施方式的水蒸气处理装置的处理流程的一例的流程图。 图15是表示气化器和内侧腔室的压力控制方法的一例的图。 附图标记说明 100    水蒸气处理装置 110     外侧腔室 111     第一处理室 112     第二处理室 120     第一内侧腔室 140    固定部件 150     第二内侧腔室 170   固定部件 402、405  水蒸气供给部 408、411  内侧排气部 G      基片。