技术摘要：
实施方式的半导体装置具备：半导体部；第1电极，设置在上述半导体部的背面上；第2电极，设置在上述半导体部的正面侧；第3电极，设置在上述半导体部的正面侧；以及控制电极，配置在设于上述半导体部的正面侧的沟槽的内部，与上述第3电极电连接。上述控制电极配置在上述  全部
背景技术：
电力控制用半导体装置为了降低电力损耗而希望具有较低的启动电阻。例如对于 沟槽栅型的MOSFET，通过提高启动电流流动的活性区域中的沟槽栅的密度，能够降低启动 电阻。但是，在其制造过程中，有时由于设置在沟槽栅内的多晶硅、栅极绝缘膜、场板绝缘膜 等与半导体之间的热膨胀率的差异导致晶片的翘曲变大，使制造效率下降。
技术实现要素：
本发明提供一种能够减少制造过程中的晶片的翘曲的半导体装置。 有关技术方案的半导体装置具备：半导体部，包括第1导电型的第1半导体层；第1 电极，设置在上述半导体部的背面上；第2电极，设置在上述半导体部的正面侧；第3电极，设 置在上述半导体部的正面侧，与上述半导体部及上述第2电极电绝缘；以及控制电极，在上 述半导体部与上述第2电极之间，配置在设于上述半导体部的正面侧的沟槽的内部，与上述 第3电极电连接。上述控制电极经由第1绝缘膜与上述半导体部电绝缘，经由第2绝缘膜与上 述第2电极电绝缘。上述半导体部还包括第2导电型的第2半导体层和第1导电型的第3半导 体层；上述第2半导体层设在上述第1半导体层与上述第2电极之间，隔着上述第1绝缘膜面 对上述控制电极。上述第3半导体层有选择地设在上述第2半导体层与上述第2电极之间，并 且与上述第2电极电连接。上述控制电极包括在上述沟槽内不分岔而连续地延伸、沿与上述 半导体部的上述正面平行的方向延伸的第1部分及第2部分，上述第1部分沿第1方向延伸， 上述第2部分沿与上述第1方向交叉的第2方向延伸。 附图说明 图1A及图1B是表示有关实施方式的半导体装置的示意图。 图2A及图2B是表示有关实施方式的变形例的半导体装置的示意图。 图3A及图3B是表示有关实施方式的另一变形例的半导体装置的示意图。 图4A及图4B是表示有关实施方式的又一变形例的半导体装置的示意图。 图5A及图5B是表示有关实施方式的其他变形例的半导体装置的示意图。 图6A～图6C是表示实施方式的半导体装置的安装方法的示意图。 图7A及图7B是表示有关比较例的半导体装置的示意图。 4 CN 111554743 A 说　明　书 2/6 页