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晶片的加工方法


技术摘要:
提供晶片的加工方法,不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚酯系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,  全部
背景技术:
在用于移动电话或个人计算机等电子设备的器件芯片的制造工序中,首先在由半 导体等材料构成的晶片的正面上设定多条交叉的分割预定线(间隔道)。并且,在由该分割 预定线划分的各区域内形成IC(Integrated  Circuit:集成电路)、LSI(Large-Scale  Integration  circuit:大规模集成电路)、LED(Light  Emitting  Diode:发光二极管)等器 件。 然后,将在具有开口的环状的框架上按照封住该开口的方式粘贴的被称为划片带 的粘接带粘贴于该晶片的背面上,形成晶片、粘接带以及环状的框架成为一体而得的框架 单元。并且,当沿着该分割预定线对框架单元所包含的晶片进行加工而分割时,形成各个器 件芯片。 在晶片的分割中例如使用激光加工装置(参照专利文献1)。激光加工装置具有隔 着粘接带而对晶片进行保持的卡盘工作台、以及对该晶片照射对于晶片具有吸收性的波长 的激光束的激光加工单元等。 在对晶片进行分割时,将框架单元载置于卡盘工作台上,隔着粘接带而将晶片保 持于卡盘工作台。然后,一边使卡盘工作台和激光加工单元沿着与卡盘工作台的上表面平 行的方向相对移动,一边从该激光加工单元对晶片照射该激光束。当照射激光束时,通过烧 蚀沿着各分割预定线在晶片上形成分割槽,对晶片进行分割。 然后,将框架单元从激光加工装置搬出,实施对粘接带照射紫外线等处理而使粘 接带的粘接力降低,并对器件芯片进行拾取。作为器件芯片的生产效率较高的加工装置,已 知有能够利用一个装置连续地实施晶片的分割和对粘接带的紫外线照射的加工装置(参照 专利文献2)。从粘接带上拾取的器件芯片被安装于规定的布线基板等上。 专利文献1:日本特开平10-305420号公报 专利文献2:日本特许第3076179号公报 粘接带例如包含由氯乙烯片等形成的基材层和配设在该基材层上的糊料层。在激 光加工装置中,为了通过烧蚀加工可靠地对晶片进行分割,按照能够可靠地形成从晶片的 正面至背面的分割槽的条件对晶片照射激光束。因此,在所形成的分割槽的下方及其周围, 由于激光束的照射所带来的热的影响,粘接带的糊料层发生熔融,糊料层的一部分粘固在 从晶片形成的器件芯片的背面侧。 在该情况下,在从粘接带拾取器件芯片时,即使实施对粘接带照射紫外线等的处 理,也会在所拾取的器件芯片的背面侧残留糊料层的该一部分。因此,器件芯片的品质降低 成为问题。 3 CN 111571026 A 说 明 书 2/8 页
技术实现要素:
本发明是鉴于该问题点而完成的,其目的在于提供晶片的加工方法,不会在所形 成的器件芯片的背面侧附着糊料层,不会在器件芯片上产生由于糊料层的附着所导致的品 质的降低。 根据本发明的一个方式,提供晶片的加工方法,将在由分割预定线划分的正面的 各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其特征在于,该晶片的加工方法具 有如下的工序:聚酯系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该 开口内,将聚酯系片配设在该晶片的背面和该框架的外周上;一体化工序,对该聚酯系片进 行加热,通过热压接使该晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化;分割工序,沿着该分割预 定线对该晶片照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束,形成分割槽而将该晶片分割成 各个器件芯片;以及拾取工序,在该聚酯系片的与各器件芯片对应的各个区域中,对该聚酯 系片赋予超声波,并从该聚酯系片侧将该器件芯片顶起,从该聚酯系片拾取该器件芯片。 优选在该一体化工序中,通过红外线的照射来实施该热压接。 另外,优选在该一体化工序中,在实施了一体化之后,将从该框架的外周探出的聚 酯系片去除。 另外,优选在该拾取工序中,对该聚酯系片进行扩展而使各器件芯片之间的间隔 扩展。 另外,优选该聚酯系片是聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片中的 任意片。 另外,优选在该一体化工序中,在该聚酯系片为该聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情 况下,加热温度为250℃~270℃,在该聚酯系片为该聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下,加热 温度为160℃~180℃。 另外,优选该晶片由Si、GaN、GaAs、玻璃中的任意材料构成。 在本发明的一个方式的晶片的加工方法中,在形成框架单元时,不使用具有糊料 层的粘接带,而是使用不具有糊料层的聚酯系片而使框架和晶片一体化。借助聚酯系片而 使框架和晶片一体化的一体化工序是通过热压接来实现的。 在实施了一体化工序之后,对晶片照射对于晶片具有吸收性的波长的激光束,通 过烧蚀形成沿着分割预定线的分割槽而将该晶片分割。然后,在聚酯系片的与各器件芯片 对应的各个区域中,对该聚酯系片赋予超声波,并从该聚酯系片侧将该器件芯片顶起,从聚 酯系片拾取器件芯片。所拾取的器件芯片分别安装于规定的安装对象。另外,当在拾取时对 聚酯系片赋予超声波时,聚酯系片的剥离变得容易,因此能够减轻施加至器件芯片的负荷。 当对晶片实施烧蚀加工时,激光束的照射所产生的热在分割槽的下方及其附近传 递至聚酯系片。但是,聚酯系片不具有糊料层,因此不会产生该糊料层发生熔融而粘固于器 件芯片的背面侧的情况。 即,根据本发明的一个方式,能够使用不具有糊料层的聚酯系片来形成框架单元, 因此不需要具有糊料层的粘接带,作为结果,不产生由于糊料层的附着所导致的器件芯片 的品质降低。 因此,根据本发明的一个方式,提供晶片的加工方法,不会在所形成的器件芯片的 背面侧附着糊料层,不会在器件芯片上产生由于糊料层的附着所导致的品质的降低。 4 CN 111571026 A 说 明 书 3/8 页 附图说明 图1是示意性示出晶片的立体图。 图2是示意性示出将晶片和框架定位于卡盘工作台的保持面上的情况的立体图。 图3是示意性示出聚酯系片配设工序的立体图。 图4是示意性示出一体化工序的一例的立体图。 图5是示意性示出一体化工序的另一例的立体图。 图6是示意性示出一体化工序的又一例的立体图。 图7的(A)是示意性示出将聚酯系片切断的情况的立体图,图7的(B)是示意性示出 所形成的框架单元的立体图。 图8是示意性示出分割工序的立体图。 图9是示意性示出向拾取装置搬入框架单元的立体图。 图10的(A)是示意性示出固定于框架支承台上的框架单元的剖视图,图10的(B)是 示意性示出拾取工序的剖视图。 标号说明 1:晶片;1a:正面;1b:背面;3:分割预定线;3a:分割槽;5:器件;7:框架;7a:开口; 9:聚酯系片;9a:切断痕;11:框架单元;2:卡盘工作台;2a:保持面;2b、36a:吸引源;2c、36b: 切换部;4:热风枪;4a:热风;6:加热辊;8:红外线灯;8a:红外线;10:切割器;12:激光加工装 置;14:激光加工单元;14a:加工头;16:激光束;18:拾取装置;20:鼓;22:框架保持单元;24: 夹具;26:框架支承台;28:杆;30:气缸;32:基座;34:顶起机构;34a:超声波振子;36:筒夹。
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