技术摘要：
本发明公开了一种配向膜材料及配向膜的制作方法，通过在所述配向膜材料中加入掺杂材料，且所述掺杂材料包括碳黑、碳纳米管和共轭聚合物中的至少一种，其中，所述碳黑、所述碳纳米管和所述共轭聚合物均可以降低所述配向膜材料的电阻率。本发明通过在配向膜材料中添加掺  全部
背景技术：
信赖性(尤其是Image  sticking，图像残留)是液晶面板的一个非常重要的指标， 随着客户对面板品质要求越来越高，面板的设计变得愈加复杂，面板的信赖性有了更高的 要求。 影响信赖性的因素主要有三个：阵列基板设计、基板生产中的制程条件控制以及 基板生产使用的材料。在面板的TFT设计过程中，由于其他的考量，以及由于机台能力的限 制不能大幅改善的情况下，材料对信赖性的改善变得尤为重要。其中cell制程的材料是对 信赖性影响最大的部分，尤其液晶和配向膜是决定信赖性的主要因素。 IS分为DC(Direct  Current，直流电)IS和AC(Alternating  Current，交流电)IS， 其中DC  IS在信赖性测试过程中，由于离子的聚集移动，导致产生DC偏置，从而使不同区域 的有效电压不同，最终导致不同区域的亮度差异，产生IS现象。因此偏置DC的产生以及DC残 留(RDC)是影响IS的重要因子。
技术实现要素：
本发明提供一种配向膜材料及配向膜的制作方法，通过降低配向膜的电阻率，及 时释放残留电压，以解决因残留电压而影响面板显示的技术问题。 为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下： 本发明提供一种配向膜材料，所述配向膜材料包括二酐类化合物、带支链的二胺 类化合物以及掺杂材料； 所述掺杂材料包括碳黑、碳纳米管和共轭聚合物中的至少一种。 在本发明的一种实施例中，所述掺杂材料在所述配向膜材料中所占含量为 0.5％—5％。 在本发明的一种实施例中，所述二酐类化合物的结构通式为： 其中 至少包括以下任意之一：环烷烃、芳香 环、所述环烷烃上的至少一个氢原子被卤素原子、羟基、烃基、烷氧基或者酯基所取代后得 到的基团以及所述芳香环上的至少一个氢原子被卤素原子、羟基、烃基、烷氧基或者酯基所 取代后得到的基团。 在本发明的一种实施例中，所述带支链的二胺类化合物的结构通式为： 4 CN 111574922 A 说　明　书 2/6 页 其中n等于2或3，且 至少包括 以下任意之一：环烷烃、芳香环、所述环烷烃上的至少一个氢原子被卤素原子、羟基、烃基、 烷氧基或者酯基所取代后得到的基团以及所述芳香环上的至少一个氢原子被卤素原子、羟 基、烃基、烷氧基或者酯基所取代后得到的基团。 在本发明的一种实施例中，其中C至少包括以下任意之一：具有1至8个碳原子的烷 基以及所述烷基上的至少一个亚甲基被氧原子或硫原子所取代后得到的基团。 在本发明的一种实施例中，其中 包括2至6个环状单元，且所述2至6个环 状单元包括苯环和环烷烃中的至少一种。 在本发明的一种实施例中，所述2至6个环状单元上的至少一个氢原子被卤素原 子、烃基、烷氧基或酯基所取代。 在本发明的一种实施例中，其中E至少包括以下任意之一：具有3至20个碳原子的 烷基、所述烷基上的至少一个亚甲基被-O-基团、-CONH-基团、-COO-基团、-O-CO-基团、-CO- 基团或烯基所取代后得到的基团以及所述烷基上的至少一个氢原子被-O-基团、-CONH-基 团、-COO-基团、-O-CO-基团、-CO-基团或烯基所取代后得到的基团。 根据本发明的上述目的，提供一种配向膜的制作方法，所述方法包括以下步骤： S10、提供二酐类化合物、带支链的二胺类化合物以及掺杂材料，且所述掺杂材料 包括碳黑、碳纳米管和共轭聚合物中的至少一种； S20、加入有机溶剂将所述二酐类化合物、所述带支链的二胺类化合物以及所述掺 杂材料溶解； S30、对溶解后的溶液进行加热，并在氮气环境下反应，得到聚酰胺酸溶液； S40、提供基板，并将所述聚酰胺酸溶液涂布于所述基板上，烘烤后得到配向膜。 在本发明的一种实施例中，所述配向膜的电阻率为1×1013—9×1013Ω·cm。 本发明通过在配向膜材料中添加掺杂材料，有效地降低了配向膜的电阻率，使得 面板中的残留电压能及时释放，从而达到改善面板图像残留的技术问题，增强了面板的显 示效果。 附图说明 为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术 描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些 实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附 图获得其他的附图。 图1为本发明实施例中配向膜的制作方法步骤图。 5 CN 111574922 A 说　明　书 3/6 页 图2为本发明实施例中配向膜的模拟电路图。 图3为本发明实施例中配向膜电阻率对RDC的影响曲线图。