技术摘要：
本申请公开一种真空蒸镀系统及真空蒸镀方法，涉及蒸镀领域，包括：移动载台，移动载台上设置有M个蒸发源和M个角度限制单元，角度限制单元包括第一开口，蒸镀材料的蒸镀范围由第一开口限定；信号发射单元向蒸镀范围内发射第一红外信号，第一红外信号经过蒸镀材料后形成  全部
背景技术：
构成有机电致发光器件的各膜层一般通过蒸镀形成，目前，蒸镀过程中使用较广 泛的蒸发源包括点状蒸发源和线状蒸发源，蒸发源具有容置蒸发材料的坩埚和喷出蒸发材 料的喷嘴，蒸发材料从坩埚中蒸发或升华，气化的蒸发材料从喷嘴向设置于真空腔内的待 蒸镀基板上喷射形成所需膜层。 在进行膜层蒸镀时，如果所需的膜层为多种材料混合形成，例如发光层，则需要对 包含不同蒸发材料的两个或多个蒸发源共同蒸镀，以形成多种材料混合的混合层。但是，气 化后的蒸发材料经过坩埚上的喷嘴喷射出来后一般呈发散状，则对于不同的蒸发材料，其 成膜范围会出现偏差，如此，在蒸镀过程中，会在待蒸镀基板的边缘区形成超薄层，而超薄 层会对器件性能和产品良率造成不良影响。因此，亟需一种在多蒸发源共蒸时能避免形成 超薄层的真空蒸发系统，提高器件性能和产品良率。
技术实现要素：
有鉴于此，本申请提供一种真空蒸镀系统及真空蒸镀方法，通过第一驱动单元驱 动角度限制单元运动，调节各种蒸镀材料的蒸镀范围，使得多种蒸镀材料在蒸镀面上完全 重合，避免出现超薄层，从而提高器件性能和产品良率。 为了解决上述技术问题，本申请有如下技术方案： 一方面，本申请提供一种真空蒸镀系统，包括： 蒸镀基板，所述蒸镀基板包括蒸镀面； 移动载台，所述移动载台上设置有M个蒸发源和M个角度限制单元，其中M为大于等 于2的整数，所述蒸镀面为所述蒸镀基板的靠近所述蒸发源的表面；所述蒸发源包括蒸镀材 料，不同所述蒸发源包含的所述蒸镀材料不同；所述角度限制单元包括一第一开口，在垂直 于所述蒸镀基板所在平面的方向上，所述第一开口位于所述蒸发源与所述蒸镀基板之间； 所述蒸镀材料在所述蒸镀基板上的蒸镀范围由所述第一开口限定； 至少一个信号发射单元，所述信号发射单元向所述蒸镀范围内发射第一红外信 号，所述第一红外信号经过蒸镀材料后形成第二红外信号； 至少一个信号探测单元，所述信号探测单元接收所述第二红外信号，并通过所述 第二红外信号分析所述蒸镀范围内所包含的蒸镀材料； 第一驱动单元，所述第一驱动单元与所述角度限制单元电连接，当所述蒸镀范围 内包含N种蒸镀材料时，通过所述第一驱动单元驱动所述角度限制单元运动，调节所述蒸镀 范围，其中N为小于M的整数。 另一方面，本申请提供一种真空蒸镀方法，包括： 提供蒸镀基板，所述蒸镀基板包括蒸镀面； 5 CN 111549319 A 说　明　书 2/12 页 提供移动载台，在所述移动载台上设置M个蒸发源和M个角度限制单元，其中M为大 于等于2的整数，所述蒸镀面为所述蒸镀基板的靠近所述蒸发源的表面；所述蒸发源包括蒸 镀材料，不同所述蒸发源包含的所述蒸镀材料不同；所述角度限制单元包括一第一开口，在 垂直于所述蒸镀基板所在平面的方向上，所述第一开口位于所述蒸发源与所述蒸镀基板之 间；所述蒸镀材料在所述蒸镀基板上的蒸镀范围由所述第一开口限定； 设置至少一个信号发射单元，所述信号发射单元发射第一红外信号，所述第一红 外信号经过所述蒸镀材料后，形成第二红外信号； 设置至少一个信号探测单元，所述信号探测单元接收所述第二红外信号，通过所 述第二红外信号分析所述蒸镀范围内所包含的蒸镀材料； 设置第一驱动单元，所述第一驱动单元与所述角度限制单元电连接，当所述蒸镀 范围内包含N种蒸镀材料时，通过所述第一驱动单元驱动所述角度限制单元运动，调节所述 蒸镀范围，其中N为小于M的整数。 与现有技术相比，本申请提供的真空蒸镀系统及真空蒸镀方法，至少实现了如下 的有益效果： 本申请所提供的真空蒸镀系统及真空蒸镀方法，包含M种蒸发源，其中M为大于等 于2的整数，且不同的蒸发源内的蒸镀材料不同，在蒸镀过程中，信号发射单元向蒸镀基板 发射第一红外信号，第一红外信号经过蒸镀材料吸收后形成第二红外信号，探测器接收第 二红外信号后通过第二红外信号的光谱分析蒸镀范围内所包含的蒸镀材料，当该蒸镀范围 内所包含的蒸镀材料的种类小于M时，第一驱动单元驱动角度限制单元运动，从而通过第一 开口调节蒸镀范围，使得M中蒸镀材料在蒸镀面上完全重合，避免出现超薄层，从而提高器 件性能和产品良率。 附图说明 此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申 请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中： 图1所示为现有真空蒸镀系统在理想状况下进行蒸镀的一种结构示意图； 图2所示为图1理想状况下蒸镀得到的膜层的结构示意图； 图3所示为现有技术中的真空蒸镀系统蒸镀成膜的一种结构示意图； 图4所示为图3蒸镀状况下蒸镀得到的膜层结构示意图； 图5所示为现有技术中的真空蒸镀系统蒸镀成膜的另一种结构示意图； 图6所示为图5蒸镀状况下蒸镀得到的膜层结构示意图； 图7所示为本申请实施例所提供的真空蒸镀系统的一种结构示意图； 图8所示为本申请实施例所提供的真空蒸镀系统进行蒸镀范围调节的一种示意 图； 图9所示为本申请实施例所提供的包含三个蒸发源的真空蒸镀系统的一种结构示 意图； 图10所示为本申请实施例所提供的包含第二驱动单元的真空蒸镀系统的一种结 构示意图； 图11所示为本申请实施例所提供的包含位置传感器的真空蒸镀系统的一种结构 6 CN 111549319 A 说　明　书 3/12 页 示意图； 图12所示为本申请实施例所提供的角度限制单元调节蒸镀范围的一种示意图； 图13所示为本申请实施例所提供的掩膜板的一种结构示意图； 图14所示为本申请实施例所提供的包含支撑机构的真空蒸镀系统的一种结构示 意图； 图15所示为本申请实施例所提供的支撑机构的一种结构示意图； 图16所示为本申请实施例所提供的真空蒸镀系统的另一种结构示意图； 图17所示为本申请实施例所提供的包含反射挡板的真空蒸镀系统的一种结构示 意图； 图18所示为本申请实施例所提供的真空蒸镀方法的一种流程图； 图19所示为本申请实施例所提供的真空蒸镀方法的另一种流程图； 图20所示为本申请实施例所提供的真空蒸镀方法的又一种流程图。