技术摘要：
本发明提供一种单晶体气相生长用保护气体补充装置，涉及单晶体气相生长领域。该单晶体气相生长用保护气体补充装置，包括缓冲室，所述缓冲室的前端连接并贯通有导流管，缓冲室的后面固定安装有密封板，密封板的内部转动连接有连接机构，密封板的中部固定安装有支撑机构  全部
背景技术：
单晶体气相生长是使用一种或数种物质的气体，或使用载流气体通过液态源冒泡 并携带源蒸汽，进入反应腔，以某种方式激活后，在衬底表面发生化学反应，并淀积出所需 薄膜晶体的生长技术。 单晶体生长的过程中需要持续的充入保护气体，且需要保护气体持续不间断的通 入，现有的解决方式是在保护气体即将使用完毕后快速的更换气瓶，但是更换气瓶的过程 存在间隙时间。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，本发明提供了一种单晶体气相生长用保护气体补充装置， 解决了