技术摘要：
本发明的课题为，在使用了聚酰亚胺基板的显示装置中，抑制由基板带电引起的TFT的特性变动。本发明的概要为一种显示装置，在由树脂形成的基板(100)的一面，存在由氧化物半导体(107)形成的第一TFT与由第一多晶硅(102)形成的第二TFT，其特征在于，所述第一TFT与所述第二TF  全部
背景技术：
有机EL显示装置、液晶显示装置能够通过使显示装置减薄从而使其柔性地弯曲而 使用。在该情况下，由薄的玻璃或者薄的树脂形成用于形成元件的基板。 在有机EL显示装置中，通过由TFT(Thin  Film  Transistor，薄膜晶体管)构成的驱 动晶体管来驱动有机发光层。当噪声侵入驱动晶体管时，驱动晶体管的阈值发生变化，不再 能够再现准确的亮度。 在引用文献1中，记载了在使用顶栅型的TFT形成了驱动晶体管的有机EL显示装置 中，为了抑制由来自外部的噪声引起的驱动晶体管的阈值的变动，在比TFT靠下层处使用屏 蔽用的金属薄膜。 现有技术文献 专利文献 专利文献1：日本特开2017－505457号公报
技术实现要素：
发明要解决的课题 若由聚酰亚胺等树脂形成有机EL显示装置的基板，则能够形成柔性的有机EL显示 装置。但是，可知在使用了树脂的基板中，与玻璃基板的情况相比，在使有机EL显示装置长 时间动作的情况下，产生亮度变动。认为该亮度变动是由于长时间动作而在树脂基板内产 生电荷的分布，且驱动晶体管附近的树脂的带电对驱动晶体管的特性产生影响的结果。 由氧化物半导体构成的TFT具有漏电流较小的特征。因而，能够进行低频驱动，能 够实现消耗电力的降低。但是，由氧化物半导体构成的TFT还存在容易受到基板等上有机的 固定电荷所带来的影响的问题。 另外，在将使用了氧化物半导体的TFT用于液晶显示装置那样的情况下，容易受到 来自背光灯的影响。因而，需要设置遮光层。 由低温多晶硅(以后称作LTPS(Low  Temperature  Poly－Silicon)构成的TFT具有 漏电流相对较大，但迁移率较高的特性。因而，将使用了LTPS的TFT用于扫描线驱动电路等 周边驱动电路、将使用了氧化物半导体的TFT用作像素区域的驱动晶体管或者开关晶体管 是合理的。将这种结构称为混合构造。在本说明书中，作为多晶硅以低温多晶硅的情况进行 说明，但对于其他多晶硅的情况也相同。 在混合构造中，使用了LTPS的TFT与使用了氧化物半导体的TFT由连续的工序制 造。在该情况下，对于两种TFT，需要采用考虑了减轻带电的影响、来自背光灯的遮光等的结 构。 本发明的课题在于，实现在使用了树脂基板的情况下的、抑制基板的带电所带来 4 CN 111587453 A 说　明　书 2/10 页 的影响的结构、抑制外部光对TFT的影响的结构、以及在混合构造中能够合理地解决这些问 题的结构。 用来解决课题的手段 本发明克服了上述课题，代表性的手段如下。 (1)一种显示装置，在由树脂形成的基板上，具有由氧化物半导体形成的第一TFT 与由第一多晶硅形成的第二TFT，其特征在于，所述第一TFT与所述第二TFT形成于在俯视观 察时不重叠的部位，所述第二TFT与所述第一TFT相比，形成为在剖视观察时更靠近所述基 板，在所述氧化物半导体与所述基板之间存在第二多晶硅，该第二多晶硅由与所述第一多 晶硅相同的材料形成，并形成在与形成有所述第一多晶硅的层相同的层之上。 (2)一种显示装置，在由树脂形成的基板的一面存在由氧化物半导体形成的第一 TFT，其特征在于，在俯视观察时，在与所述氧化物半导体重复的区域，与所述基板接触而形 成第一导电膜，在所述第一导电膜之上形成由无机材料构成的基底膜，所述氧化物半导体 具有沟道长度与沟道宽度，所述第一导电膜的所述沟道长度方向的长度比所述氧化物半导 体的所述沟道方向的长度大。 (3)如(2)所述的显示装置，其特征在于，在所述基板上，在俯视时与所述第一TFT 不同的部位形成由多晶硅构成的第二TFT，所述第二TFT与所述第一TFT相比，形成为在剖视 观察时更靠近所述基板。 附图说明 图1是有机EL显示装置的俯视图。 图2是有机EL显示装置的显示区域的剖面图。 图3是有机EL显示装置的像素部的等效电路。 图4是对基板的带电进行说明的剖面图。 图5是对基板的带电的影响进行说明的剖面图。 图6是比较例的TFT附近的剖面图。 图7是本发明的TFT附近的剖面图。 图8是表示本发明的制造工序的一部分的剖面图。 图9是本发明的TFT附近的俯视图。 图10是实施例2的TFT附近的剖面图。 图11是实施例2的第2方式的TFT附近的剖面图。 图12是实施例2的第3方式的TFT附近的剖面图。 图13是实施例2的第4方式的TFT附近的剖面图。 图14是液晶显示装置的俯视图。 图15是液晶显示装置的显示区域的剖面图。 图16是对扫描线施加的电压的例子。