技术摘要：
本发明提供一种电子熔丝电路，适用于存储器装置，电子熔丝电路包括多个电子熔丝组与控制电路。多个电子熔丝组的每一个具有多个电子熔丝。当电源开启时，控制电路检测多个电子熔丝组的每一个以产生检测信号，并依据检测信号判断多个电子熔丝组的每一个的多个电子熔丝是  全部
背景技术：
对于存储器装置的制程缺陷问题，电子熔丝(eFuse)被广泛被使用。通过对电子熔 丝通入大电流而烧断电子熔丝，以替换具有缺陷的存储单元。 现有技术通过经使用比特(use  bit)以确认电子熔丝所属的电子熔丝组(eFuse  set)是否具有已烧断电子熔丝，但经使用比特使得芯片总面积增加。另一方面，为了等待烧 断电压回复(recovery)至足够的电压值，现有技术加长了烧断时脉信号的等待时间(wait  time)，但造成多个电子熔丝的处理速度(throughput)劣化。 并且，在现有技术中暂存数据只在电源开启与关闭时更新，因此在电源开启与关 闭之间会对具有已烧断电子熔丝的电子熔丝组进行覆写操作，导致对电子熔丝进行烧断操 作的可靠性劣化。此外，当短时间有多个电子熔丝将被烧断而其中一个电子熔丝先被烧断 时，大电流将流入先被烧断的电子熔丝，使得其他电子熔丝的烧断电压被拉低，导致对其他 电子熔丝的烧断操作的可靠性劣化。
技术实现要素：
本发明提供一种电子熔丝电路及其操作方法，用以判断电子熔丝是否烧断而无须 经使用比特，从而减少芯片面积，并提高烧断操作的处理速度与可靠性。 本发明的实施例提供一种电子熔丝电路，适用于存储器装置，电子熔丝电路包括 多个电子熔丝组与控制电路，每个电子熔丝组具有多个电子熔丝。当电源开启时，控制电路 检测每个电子熔丝组以产生检测信号，并依据检测信号判断每个电子熔丝组的多个电子熔 丝是否已烧断，以决定是否对多个电子熔丝进行烧断操作。当依据检测信号判断多个电子 熔丝中至少一个电子熔丝是已烧断电子熔丝时，控制电路禁能对至少一个已烧断电子熔丝 所属电子熔丝组的覆写操作。另外，当闩锁电子熔丝的写入数据且当电源开启期间有再度 烧断要求时，依据各电子熔丝组的写入数据更新检测信号，并依据检测信号判断多个电子 熔丝组的多个电子熔丝中的每一个是否已烧断，决定是否对多个电子熔丝进行烧断操作。 本发明的实施例提供一种电子熔丝电路的操作方法，电子熔丝电路适用于存储器 装置，电子熔丝包括多个电子熔丝组与控制电路，每个电子熔丝组具有多个电子熔丝，操作 方法包括但不限于当电源开启时，检测每个电子熔丝组以产生检测信号。依据检测信号判 断每个电子熔丝组的多个电子熔丝是否已烧断。决定是否对多个电子熔丝进行烧断操作。 当依据检测信号判断多个电子熔丝中至少一个电子熔丝是已烧断电子熔丝时，禁能对至少 一个已烧断电子熔丝所属电子熔丝组的覆写操作。 基于上述，在本发明一些实施例中，所述电子熔丝电路及其操作方法判断多个电 子熔丝是否已烧断而无须经使用比特。当控制电路判断多个电子熔丝中至少一个电子熔丝 5 CN 111583985 A 说　明　书 2/11 页 是已烧断电子熔丝时，禁能至少一个已烧断电子熔丝所属电子熔丝组的覆写操作，以减少 芯片面积，并提高烧断操作的处理速度与可靠性。 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详 细说明如下。 附图说明 图1是本发明一实施例的电子熔丝电路的示意图； 图2是本发明一实施例的电子熔丝电路的电路方块图； 图3是本发明一实施例的包括烧断电路内部电路的电子熔丝电路的电路方块图； 图4是本发明一实施例的传感器的电路图； 图5A是本发明一实施例的判断电路的电路图； 图5B是本发明一实施例的判断电路接收感测数据为1111111的时序图； 图5C是本发明一实施例的判断电路接收感测数据为1010110的时序图； 图6是本发明一实施例的电子熔丝相关数值的转态图； 图7是本发明另一实施例的电子熔丝电路的示意图； 图8是本发明另一实施例的电子熔丝相关数值的转态图； 图9是本发明另一实施例的电子熔丝烧断操作的时序图； 图10是本发明再一实施例的电子熔丝烧断操作的时序图； 图11是本发明又一实施例的电子熔丝烧断操作的时序图； 图12是本发明一实施例的电子熔丝电路的操作方法的流程图。 附图标记说明 10：电子熔丝电路 110：控制电路 120[m]：电子熔丝组 120[m][n]：电子熔丝 210：控制器 220：传感器 230：数据闩锁器 240：判断电路 250：烧断电路 260：准备判断电路 310：烧断电压产生器 320：烧断时脉产生器 330：烧断选择器 410：第一开关电路 420：感测放大闩锁电路 430：第二开关电路 440：逻辑电路 510：逻辑判断电路 6 CN 111583985 A 说　明　书 3/11 页 520：缓冲电路 530：闩锁器 610、620、630、810、820、830：时序 710：控制电路 INV1～INV9：反相闸 NAND1～NAND6：反及闸 NOR1：反或闸 P1-P2、N1-N4：晶体管 ADDOUT[n]_t、MIRWRDY_t：信号 BD[m]：反相判断信号 BFADD[m]：反相电子熔丝写入地址 BURNEN：烧断致能信号 BWD[m][n]：反相写入数据BWD[m][n] CM1：第一控制信号 CD：控制数据 CLKD[m]：时脉数据 CLK[m]：时脉信号 CLK[m][n]：脉冲信号 D[m]：判断信号 DB[m]：经缓冲判断信号 DT[m]：检测信号 EFWRTACT_t：第一写入致能信号 EN[m][n]：致能信号 FADD[n]：电子熔丝地址数据 FUSEREF1：第一开关信号 INPUT：输入信号 LD[m][n]：闩锁数据 READY[m]：准备判断 READY_PAD：焊垫输出准备判断信号 SD[m][n]：感测数据 SEN_c：第一致能信号 SEN_t：第二致能信号 SENSE3_t：第三致能信号 SENSE1LOW：第二开关信号 SNAND1～SNAND3：反及信号 T1、T2、T3：时点 VBURN：烧断电压 VL1、VL2：闩锁电压 VINT、VPP：电源电压 7 CN 111583985 A 说　明　书 4/11 页 VP[m][n]：熔丝电压 VSS：接地电压 WD[m][n]：写入数据 WE：写入致能信号 WRADD[m]：第二控制信号 S1210-S1230：步骤