技术摘要：
本发明为研磨垫，其被供给研磨料浆且能够边旋转边对被研磨物进行研磨，该研磨垫具有研磨层，所述研磨层具有能够对所述被研磨物进行研磨的研磨面，所述研磨面具有非接触部，所述非接触部具有凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至少一方，所述凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔  全部
背景技术：
作为对半导体晶片等被研磨物进行研磨的方法，已知利用研磨垫的方法(专利文 献1)。例如，记载了一种研磨方法，该方法如图13所示，将安装在研磨台104的表面的研磨垫 101向被保持在托架103上的被研磨物102推压，并使托架103及研磨台104旋转，同时边向研 磨垫101的中央部供给研磨料浆边对被研磨物102的表面进行研磨。 在被研磨物的中央部，与包围该中央部的周缘部相比难以散热。因此，在该研磨方 法中，在对被研磨物进行研磨时，被研磨物的中央部的温度容易升高。另外，在被研磨物的 温度较高的区域，由于被研磨物容易与研磨料浆发生化学反应，因此，被研磨物的中央部的 研磨量会变大。因此，在该研磨方法中，可能会导致被研磨物的被研磨的面变得不平坦。 现有技术文献 专利文献1：日本特开平11-347935号公报。
技术实现要素：
发明欲解决的课题 因此，本发明鉴于上述现有的问题，其目的在于提供一种研磨垫，该研磨垫用于被 研磨物的研磨，并且能够提高被研磨的面的平坦性。 用于解决课题的手段 本发明的研磨垫，是被供给研磨料浆且能够边旋转边对被研磨物进行研磨的研磨 垫，该研磨垫具有研磨层，所述研磨层具有能够对所述被研磨物进行研磨的研磨面，所述研 磨面具有非接触部，所述非接触部具有凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至少一方，所述 凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔被配置在以对所述被研磨物进行研磨时旋转的旋转中心 作为中心、且具有所希望的长度的半径的同心圆上。 在所述研磨垫中，还可以构成为，所述凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至少一 方以相互分离的状态在所述同心圆上配置多个。 在所述研磨垫中，还可以构成为，所述研磨面为圆形或大致圆形，所述凹部及贯穿 所述研磨层的贯穿孔的至少一方，在使所述所希望的长度为R1、且使所述研磨垫的半径的 长度为r时包含第一非接触部位，该第一非接触部位是配置在以满足以下的数学公式的R1 作为半径的同心圆上的所述凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至少一方： 0＜R1≤r/2。 3 CN 111601681 A 说　明　书 2/9 页 在所述研磨垫中，还可以构成为，所述凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至少一 方，在使所述所希望的长度为R2时包含第二非接触部位，该第二非接触部位是配置在以满 足以下的数学公式的R2作为半径的同心圆上的所述凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至 少一方： R1＜R2≤3*r/4。 附图说明 图1是本发明的一个实施方式的研磨垫的俯视图。 图2是同一实施方式的重叠本实施方式的研磨垫与被研磨物后的状态的示意图。 图3是同一实施方式的研磨垫及被研磨物的示意图。 图4是用于说明同一实施方式的研磨垫所起的效果的图表。 图5是用于说明同一实施方式的研磨垫所起的效果的图表。 图6是本发明的其他实施方式的研磨垫的俯视图。 图7是本发明的其他实施方式的研磨垫的俯视图。 图8是本发明的其他实施方式的研磨垫的俯视图。 图9是本发明的其他实施方式的研磨垫的俯视图。 图10是本发明的其他实施方式的研磨垫的俯视图。 图11是本发明的其他实施方式的研磨垫的俯视图。 图12是本发明的其他实施方式的研磨垫的俯视图。 图13是重叠现有的研磨垫和被研磨物后的状态的示意剖视图。