技术摘要：
本申请实施例提供一种晶体管，包括衬底、网状栅极、源极以及漏极，网状栅极位于所述衬底上，所述网状栅极包括沿第一方向间隔分布的第一部分和沿第二方向间隔分布的第二部分，多个所述第一部分和多个所述第二部分交错分布将所述衬底分隔成多个分隔区域，其中，第一方向  全部
背景技术：
在很多电路中需要用到能够驱动较大输出电流的金属氧化物半导体场效应晶体 管，现有的金属氧化物半导体场效应晶体管为了达到合适的输出电流驱动能力，金属氧化 物半导体场效应晶体管尺寸通常较大。
技术实现要素：
有鉴于此，本申请实施例期望提供一种晶体管以及集成电路，晶体管具有较小尺 寸。为实现上述效果，本申请实施例的技术方案是这样实现的： 本申请实施例一方面提供一种晶体管，包括： 衬底； 网状栅极，位于所述衬底上，所述网状栅极包括沿第一方向间隔分布的第一部分 和沿第二方向间隔分布的第二部分，多个所述第一部分和多个所述第二部分交错分布将所 述衬底分隔成多个分隔区域，其中，第一方向与第二方向垂直； 源极；以及 漏极，所述源极和所述漏极沿第一方向交替分布于所述分隔区域中，且所述源极 和所述漏极沿第二方向交替分布于所述分隔区域中。 进一步地，相邻的所述源极的面积与所述漏极的面积不相等。 进一步地，所述晶体管包括位于所述分隔区域内的接触孔，至少一个所述分隔区 域内的所述接触孔的数量为多个。 进一步地，所述晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述漏极的总面积 大于所述源极的总面积。 进一步地，至少一个所述漏极内的所述接触孔的数量为多个，所述漏极内的多个 所述接触孔沿第一方向和第二方向分布。 进一步地，所述漏极内的所述接触孔的总数量大于所述源极内的所述接触孔的总 数量。 进一步地，所述晶体管为P型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述源极的总面积 大于所述漏极的总面积。 进一步地，至少一个所述源极内的所述接触孔的数量为多个，所述源极内的多个 所述接触孔沿第一方向和第二方向分布。 进一步地，所述源极内的所述接触孔的总数量大于所述漏极内的所述接触孔的总 数量。 进一步地，所述第一部分的总数量与第二部分的总数量不相等。 本申请实施例另一方面还提供一种集成电路，包括上述任一项所述的晶体管。 3 CN 111599862 A 说　明　书 2/7 页 本申请实施例提供的晶体管不仅能够驱动较大的输出电流，还具有较小的面积， 如此，可以有效减小晶体管的寄生电阻和寄生电容。本实施例提供的集成电路包括上述晶 体管，由于本申请实施例提供的晶体管面积较小，因此，能避免占据集成电路过多的面积， 使得集成电路布局更加紧凑，集成度更高，集成电路占据的面积更小。 附图说明 图1为现有技术的第一个实施例中的金属氧化物半导体场效应晶体管的平面示意 图； 图2为现有技术的第二个实施例中的金属氧化物半导体场效应晶体管的平面示意 图； 图3为本申请的第一个实施例中的晶体管的平面示意图； 图4为图3中晶体管的最小单元的平面示意图； 图5为本申请的第二个实施例中的晶体管的平面示意图； 图6为图4中晶体管的最小单元的平面示意图。 附图标记说明 晶体管100；N型金属氧化物半导体场效应晶体管100’、100”；网状栅极10；第一部 分11；第二部分12；源极20；漏极30；接触孔40。