技术摘要：
本发明提供一种蚀刻方法。该蚀刻方法包括：将包含氧化硅膜的基片置于载置台上的步骤；将上述基片的表面温度控制为﹣70℃以下的温度的步骤；在上述进行控制的步骤后，供给等离子体生成用的高频电功率从含氟和氢的气体生成等离子体来蚀刻上述氧化硅膜的步骤；和使上述基  全部
背景技术：
一直以来，提出有对被处理体一边进行冷却一边进行蚀刻来实现  高蚀刻速率的 蚀刻处理方法。例如，专利文献1提出有将被处理体的  温度控制在﹣50℃以下来实现高蚀刻 速率的技术。 现有技术文献 专利文献 专利文献1：日本特开平7-147273号公报
技术实现要素：
发明要解决的技术问题 本发明提供一种提高蚀刻速率的技术。 用于解决技术问题的技术方案 依照本发明的一个方式，提供一种蚀刻方法，其包括：将包含氧  化硅膜的基片置 于载置台上的步骤；将上述基片的表面温度控制为﹣  70℃以下的温度的步骤；在上述进行 控制的步骤后，供给等离子体生  成用的高频电功率从含氟和氢的气体生成等离子体来蚀 刻上述氧化硅  膜的步骤；和使上述基片的表面温度上升，使通过上述蚀刻生成的副  生成 物挥发的步骤。 发明效果 依照一个方面，能够提高蚀刻速率。 附图说明 图1是表示一实施方式的蚀刻方法的图。 图2是表示氧化硅膜的蚀刻速率的基片温度相关性的图。 图3是表示气相中的HF蚀刻剂的量的图。 图4是表示氧化硅膜蚀刻中的基片温度上升的偏置功率相关性的 图。 图5是表示一实施方式的等离子体处理装置的一例的图。 附图标记说明 1          腔室 2         等离子体 3         上部电极 4         下部电极 5         静电吸盘 6、7        RF源 3 CN 111584360 A 说　明　书 2/7 页 8          气体源 9         排气装置 10        等离子体处理装置 80         控制部 100        掩模 110       氧化硅膜 120        氮化硅膜 W          基片 ST        载置台。