技术摘要：
本申请实施例提供一种阵列基板制备方法和半透光光罩，该阵列基板制备方法通过曝光第一光阻层时，采用半透光光罩曝光第一光阻层，可以在有源层的沟道区和导体区残留第一光阻图案，然后对有源层进行刻蚀，可以继续在有源层的沟道区残留第二光阻图案，从而使得在后续膜层  全部
背景技术：
现有LCD(Liquid  Crystal  Display，液晶显示器)中，薄膜晶体管的电性稳定性会 决定液晶显示面板的显示品质，在薄膜晶体管中，现有的制备方法是采用背沟道刻蚀或者 刻蚀阻挡层技术形成薄膜晶体管，但背沟道刻蚀技术中，在有源层形成后，后续对其他膜层 的制备时，会导致有源层的沟道区被蚀刻，从而导致有源层不完整，影响薄膜晶体管的稳定 性，进而导致液晶显示面板显示效果较差或者无法显示。 所以，现有液晶显示面板的制备方法存在损伤有源层的技术问题。
技术实现要素：
本申请实施例提供一种阵列基板制备方法和半透光光罩，用以缓解现有液晶显示 面板的制备方法存在损伤有源层的技术问题。 本申请实施例提供一种阵列基板制备方法，该阵列基板制备方法包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成有源层； 在所述有源层上涂布第一光阻层； 采用光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案；所 述半透光光罩包括不透光区域、半透光区域和全透光区域，所述不透光区域的透光率小于 所述半透光区域的透光率，所述半透光区域的透光率小于所述全透光区域的透光率；所述 有源层包括沟道区和导体区，所述不透光区域与所述沟道区对应，所述半透光区域与所述 导体区对应；所述第一光阻图案包括与所述不透光区域对应的第一光阻区域、以及与所述 半透光区域对应的第二光阻区域，所述第一光阻区域的厚度大于所述第二光阻区域的厚 度； 对所述有源层和所述第一光阻图案进行刻蚀，得到第二光阻图案和有源层图案； 所述第二光阻图案对应设置于所述沟道区； 在所述有源层图案以及所述第二光阻图案上形成源漏极层； 在所述源漏极层上涂布第二光阻层； 采用光透过光罩对所述第二光阻层进行光刻处理，得到第三光阻图案；所述第三 光阻图案对应所述源漏极层的源漏极图案； 对所述源漏极层进行刻蚀，得到源漏极层图案。 在一些实施例中，所述采用光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理， 得到第一光阻图案的步骤，包括： 对位所述半透光光罩和阵列基板，以使得所述不透光区域与所述沟道区对应，所 述半透光区域与所述导体区对应； 4 CN 111613577 A 说　明　书 2/9 页 采用光照对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案。 在一些实施例中，所述第一光阻区域的厚度与所述第二光阻区域的厚度的比值范 围为四分之一至二分之一。 在一些实施例中，所述采用光透过半透光光罩对第一光阻层进行照射，得到第一 光阻图案的步骤，包括：采用紫外光透过半透光光罩对第一光阻层进行照射。 在一些实施例中，所述在所述衬底上形成有源层的步骤之前，还包括： 在所述衬底上形成栅极层，并刻蚀所述栅极层得到栅极层图案； 在所述栅极层图案上形成栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上沉积非晶硅，形成有源层。 在一些实施例中，所述在所述衬底上形成有源层的步骤之前，还包括： 在所述衬底上形成栅极层，并刻蚀所述栅极层得到栅极层图案； 在所述栅极层图案上形成栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上沉积氧化铟锌，形成有源层。 在一些实施例中，所述在所述源漏极层上涂布第二光阻层的步骤，包括： 提供与所述第一光阻层相同的材料； 在所述源漏极层上涂布所述材料，得到第二光阻层。 在一些实施例中，所述采用光透过光罩对第二光阻层进行照射，得到第三光阻图 案的步骤，包括： 设置所述光罩的中间区域为全透光区域； 设置所述全透光区域的两侧为不透光区域；所述全透光区域的透光率大于所述不 透光区域的透光率； 设置所述不透光区域的两侧为全透光区域，得到所述光罩； 采用光照透过所述光罩照射第二光阻层，得到第三光阻图案。 同时，本申请实施例提供一种半透光光罩，该半透光光罩用于制备上述实施例中 任一所述的阵列基板制备方法制备的有源层，所述半透光光罩包括： 不透光区域，与所述有源层的沟道区对应； 半透光区域，设置于所述不透光区域两侧，所述半透光区域与所述有源层的导体 区对应； 全透光区域，设置于所述半透光区域两侧； 其中，所述不透光区域的透光率小于所述半透光区域的透光率，所述半透光区域 的透光率小于所述全透光区域的透光率。 在一种实施例中，所述不透光区域的透光率范围为0至5％，所述半透光区域的透 光率范围为50％至80％，所述全透光区域的透光率范围为90％至100％。 有益效果：本申请实施例提供一种阵列基板制备方法和半透光光罩，该阵列基板 制备方法包括提供衬底；在所述衬底上形成有源层；在所述有源层上涂布第一光阻层；采用 光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案；所述半透光光罩 包括不透光区域、半透光区域和全透光区域，所述不透光区域的透光率小于所述半透光区 域的透光率，所述半透光区域的透光率小于所述全透光区域的透光率；所述有源层包括沟 道区和导体区，所述不透光区域与所述沟道区对应，所述半透光区域与所述导体区对应；所 5 CN 111613577 A 说　明　书 3/9 页 述第一光阻图案包括与所述不透光区域对应的第一光阻区域、以及与所述半透光区域对应 的第二光阻区域，所述第一光阻区域的厚度大于所述第二光阻区域的厚度；对所述有源层 和所述第一光阻图案进行刻蚀，得到第二光阻图案和有源层图案；在所述有源层图案以及 所述第二光阻图案上形成源漏极层；在所述源漏极层上涂布第二光阻层；采用光透过光罩 对所述第二光阻层进行光刻处理，得到第三光阻图案；所述第三光阻图案对应所述源漏极 层的源漏极图案；对所述源漏极层进行刻蚀，得到源漏极层图案；通过曝光第一光阻层时， 采用半透光光罩曝光第一光阻层，可以在有源层的沟道区和导体区残留第一光阻图案，然 后对有源层进行刻蚀，可以继续在有源层的沟道区残留第二光阻图案，从而使得在后续膜 层制备时，第二光阻图案可以对有源层的沟道区进行保护，从而使得有源层的沟道区不被 损伤，从而提高薄膜晶体管的稳定性，缓解了现有液晶显示面板的制备方法存在损伤有源 层的技术问题。 附图说明 下面结合附图，通过对本申请的