技术摘要：
提供了一种显示装置。所述显示装置包括基底和在基底上的发光层。显示装置还包括在发光层上的密封部分。密封部分包括第一无机层。第一无机层包括包含硅、氧、氮和氢的至少一个层。第一无机层的所述至少一个层包括约30‑40at％的硅含量、约15‑35at％的氧含量、约10‑20a  全部
背景技术：
与阴极射线管(“CRT”)相比，平板显示(“FPD”)装置具有减小的重量和体积的优 点。这样的FPD装置的示例可以包括液晶显示(“LCD”)装置、场发射显示(“FED”)装置、等离 子体显示面板(“PDP”)装置和有机发光二极管(“OLED”)显示装置。 在这样的显示装置中，OLED显示装置使用通过电子和空穴的复合而产生光的OLED 来显示图像。OLED显示装置可以被用作车辆中的显示器。然而，车辆中的OLED显示器往往长 时间暴露在日光下。因此，在密封部分中因日光的波长导致的透光率变化的偏差增大。透光 率的偏差导致显示装置中的颜色不均。因此，显示装置的图像质量会劣化。
技术实现要素：
示例性实施例可以涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法，所述显示装置能 够使密封部分中的根据日光的波长的透光率变化的偏差基本最小化。 根据示例性实施例，显示装置包括基底和在基底上的发光层。显示装置还包括在 发光层上的密封部分。密封部分包括第一无机层。第一无机层包括包含硅、氧、氮和氢的至 少一个层。第一无机层的所述至少一个层包括约30-40at％的硅含量、约15-35at％的氧含 量、约10-20at％的氮含量、约20-30at％的氢含量。 硅含量可以为约35at％，氧含量可以为约25at％，氮含量可以为约15at％，氢含量 可以为约25at％。 第一无机层可以包括SiON:H。 密封部分还可以包括第二无机层，并且第二无机层可以设置在第一无机层与发光 层之间。 密封部分还可以包括至少一个有机层。 至少一个有机层可以设置在第一无机层与第二无机层之间。 第一无机层可以具有基本等于或小于约1.70的折射率。 第一无机层可以包括至少两个子无机层。 至少两个子无机层可以包括在发光层上的第一子无机层，并且还可以包括在第一 子无机层上的第二子无机层和在第一子无机层下方的第三子无机层中的至少一个。 4 CN 111584735 A 说　明　书 2/24 页 包括在第一子无机层中的硅含量、氧含量、氮含量和氢含量可以分别为约30- 40at％、约15-35at％、约10-20at％和约20-30at％。 第二子无机层和第三子无机层中的至少一个可以包括硅、氮和氢，并且包括在第 二子无机层和第三子无机层的至少一个中的硅含量、氮含量和氢含量可以分别为约30- 50at％、约30-50at％、约20-30at％。 包括在第二子无机层和第三子无机层的至少一个中的硅含量、氮含量和氢含量可 以分别为约40at％、约40at％、约20at％。 包括在第二子无机层和第三子无机层的至少一个中的硅含量、氮含量和氢含量可 以分别为约30at％、约50at％、约20at％。 第一子无机层可以包括SiON:H，并且第二子无机层和第三子无机层中的至少一个 可以包括SiNx:H。 第一子无机层、第二子无机层和第三子无机层可以具有彼此不同的折射率。 第一子无机层可以具有在从约1.47至约1.70的范围内的折射率，并且第二子无机 层和第三子无机层可以具有比第一子无机层的折射率高的折射率。 根据另一示例性实施例，显示装置包括基底和在基底上的发光层。密封部分在发 光层上。密封部分包括第一无机层。第一无机层包括彼此相邻设置的多个子无机层。多个子 无机层中的一个包括约30-40at％的硅含量、约15-35at％的氧含量、约10-20at％的氮含量 和约20-30at％的氢含量。 根据另一示例性实施例，制造显示装置的方法包括：在基底上形成发光层。将包括 基底和发光层的结构设置在腔室中。将下列各项供应到腔室中：来自第一供应管的SiH4、来 自第二供应管的将NH3、来自第三供应管的N2O、来自第四供应管的N2和来自第五供应管的 H2，以在发光层上形成密封部分的无机层。进入到腔室的N2O的流速是进入到腔室的NH3流速 的约5倍或更多倍。 N2O的流速可以在从约1330标准立方厘米每分钟(sccm)至约3990sccm的范围内； 并且NH3的流速可以在从约250sccm至约750sccm的范围内。 SiH4的流速可以在从约495sccm至约1485sccm的范围内。 N2的流速可以在从约4930sccm至约14790sccm的范围内。 H2的流速可以在从约5635sccm至约16905sccm的范围内。 可以将来自第一供应管的SiH4、来自第二供应管的NH3、来自第三供应管的N2O、来 自第四供应管的N2和来自第五供应管的H2在腔室中的混合单元处混合，并且通过腔室中的 注入单元朝向所述结构注入。 无机层可以包括硅、氧、氮和氢，并且包括在无机层中的硅含量、氧含量、氮含量和 氢含量可以分别为约30-40at％、约15-35at％、约10-20at％和约20-30at％。 包括在无机层中的硅含量、氧含量、氮含量和氢含量可以分别为约35at％、约 25at％、约15at％和约25at％。 无机层可以包括SiON:H。 无机层可以具有基本等于或小于约1.70的折射率。 所述方法还可以包括：在形成无机层之前，将SiH4从第一供应管供应到腔室中，将 NH3从第二供应管供应到腔室中，将N2从第四供应管供应到腔室中，将H2从第五供应管供应 5 CN 111584735 A 说　明　书 3/24 页 到腔室中，以在发光层上形成密封部分的子无机层。 所述方法还可以包括：将SiH4从第一供应管供应到腔室中，将NH3从第二供应管供 应到腔室中，将N2从第四供应管供应到腔室中，将H2从第五供应管供应到腔室中，以在无机 层上形成密封部分的第二子无机层。 在另一示例性实施例中，显示装置包括基底和在基底上的发光层。密封部分在发 光层上。密封部分包括第一无机层。第一无机层包括包含硅、氧、氮和氢的至少一个层。已被 日光照射1-6小时的至少一个层的在蓝光波长区域、绿光波长区域和红光波长区域中的透 光率与未被日光照射的所述至少一个层的在蓝光波长区域、绿光波长区域和红光波长区域 中的透光率相比的差异小于或等于约0.4％。 前述内容仅是说明性的，并且不意图以任何方式进行限制。除了上述说明性方面、 实施例和特征之外，通过参照附图和下面的详细描述，进一步的方面、实施例和特征将变得 清楚。 附图说明 通过参照附图详细描述其实施例，根据实施例的更完整的理解将变得更加明显， 其中： 图1是示出根据实施例的显示装置的框图； 图2是示出图1中所示的像素中的一个像素的等效电路图； 图3是示出包括图1中所示的像素中的一个像素和连接到所述像素的线的显示装 置的平面图； 图4A至图4G是示出图3的元件的仅一部分的视图； 图5是沿图3的线I-I'截取的剖视图； 图6是示出图5中的部分A的放大图； 图7是示出根据光的波长的上无机层的透光率的变化的曲线图； 图8是示出用于执行制造根据示例性实施例的显示装置的方法的设备的正视图； 图9是示出根据另一示例性实施例的图5中的部分A的放大图； 图10是示出根据另一示例性实施例的图5中的部分A的放大图；以及 图11A至图11C是示出用于执行制造根据示例性实施例的显示装置的方法的设备 的视图。