技术摘要：
本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，显示基板包括：位于衬底基板上的第一导电图形；位于所述第一导电图形远离所述衬底基板一侧的保护结构；覆盖所述第一导电图形和所述保护结构的绝缘层，其中，所述保护结构的干法刻蚀速率大于  全部
背景技术：
OLED(Organic  Light-Emitting  Diode，有机发光二极管)显示装置由于具有薄、 轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作 温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下 一代显示技术。 现有OLED显示基板一般采用SiO制作层间绝缘层，因为SiN中含氢会对沟道造成负 漂影响，SiO的键能大，所需轰击能量高，并且层间绝缘层的厚度一般为550nm以上，故而在 对层间绝缘层进行构图形成过孔时，需要较长的时间对层间绝缘层进行干刻，较长时间的 干刻会造成层间绝缘层上的光刻胶硬化，后续无法完全剥离掉光刻胶，导致显示基板上残 留光刻胶颗粒，影响显示基板的良率；并且在干刻过程中由于过孔内副产物堆积会导致刻 蚀停止，另外还会使得干刻设备工作时间过长，缩短了干刻设备的使用周期。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够保 证显示基板的良率。 为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下： 一方面，提供一种显示基板，包括： 位于衬底基板上的第一导电图形； 位于所述第一导电图形远离所述衬底基板一侧的保护结构； 覆盖所述第一导电图形和所述保护结构的绝缘层，其中，所述保护结构的干法刻 蚀速率大于所述绝缘层的干法刻蚀速率； 位于所述绝缘层远离所述衬底基板一侧的第二导电图形，所述第二导电图形通过 贯穿所述绝缘层和所述保护结构的过孔结构与所述第一导电图形连接。 一些实施例中，所述保护结构采用硬化后的光阻材料。 一些实施例中，所述第一导电图形为经过导体化处理的有源层，所述第二导电图 形为薄膜晶体管的源极和漏极；和/或 所述第二导电图形为数据线，所述第二导电图形为与所述数据线并联的导电走 线。 一些实施例中，所述保护结构为柱状，所述保护结构的直径比所述过孔结构的直 径大3～5um。 一些实施例中，所述绝缘层的厚度为0.55～0.7um，所述保护结构的厚度为0.5～ 0.7um。 本发明的实施例提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。 3 CN 111584526 A 说　明　书 2/8 页 本发明的实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括： 在衬底基板上形成第一导电图形； 在所述第一导电图形远离所述衬底基板的一侧形成保护结构； 形成覆盖所述第一导电图形和所述保护结构的绝缘层，其中，所述保护结构的干 法刻蚀速率大于所述绝缘层的干法刻蚀速率； 对所述绝缘层进行湿法刻蚀，形成暴露出所述保护结构的第一子过孔； 对所述保护结构进行干法刻蚀，形成暴露出所述第一导电图形的第二子过孔，所 述第一子过孔与所述第二子过孔组成过孔结构； 在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二导电图形，所述第二导电图形通 过所述过孔结构与所述第一导电图形连接。 一些实施例中，形成所述保护结构包括： 利用光阻材料形成保护结构过渡图形； 采用离子注入对所述保护结构过渡图形进行硬化，形成所述保护结构。 一些实施例中，所述对所述绝缘层进行湿法刻蚀包括： 采用氟化氨和氢氟酸组成的混合溶液对所述绝缘层进行湿法刻蚀。 一些实施例中，所述对所述保护结构进行干法刻蚀包括： 采用CF4 O2的混合气体对所述保护结构进行干法刻蚀，所述CF4的流量为100～ 500sccm，所述O2的流量为10000～11000sccm。 本发明的实施例具有以下有益效果： 上述方案中，在第一导电图形远离衬底基板一侧设置有保护结构，在形成贯穿绝 缘层和保护结构的过孔结构时，由于部分过孔结构是通过刻蚀保护结构得到，而保护结构 的干法刻蚀速率大于绝缘层的干法刻蚀速率，因此可以缩短干法刻蚀得到过孔结构的时 间，避免绝缘层上的光刻胶硬化，有利于后续剥离绝缘层上的光刻胶，保证显示基板的良 率；另外，能够降低干刻设备的工艺时间，延长干刻设备的使用周期。 附图说明 图1-图5为本发明实施例制作显示基板的流程示意图。 附图标记 1  衬底基板 2  遮光金属层 3 缓冲层 41  有源层 42  源漏极接触区 5 栅绝缘层 61 栅极 62 导电走线 7 保护结构 8  层间绝缘层 9 光刻胶 4 CN 111584526 A 说　明　书 3/8 页 101  源极 102  漏极 103 数据线 11 钝化层