技术摘要：
本发明公开一种高纯石墨烯膜的生产设备及其制备方法，其中，所述生产设备包括密封腔体，设置在所述密封腔体内的承载平台以及等离子加热器，所述承载平台用于承载初始石墨烯膜，所述等离子加热器位于所述承载平台的上方并用于对所述初始石墨烯膜进行加热制得高纯石墨烯  全部
背景技术：
石墨烯(Graphene)是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维 碳纳米材料。石墨烯是从石墨材料中分离出来的，石墨烯膜具有高导热性、高导电性和超柔 性的性能，对柔软电子器件的发展意义重大，是被工业界寄予厚望的新一代材料。但现有石 墨烯膜的实际表现却差强人意，在工业界普及的速度也不够理想。这是因为，现有石墨烯膜 中的杂质污染程度很高，这对石墨烯膜的性能表现有很大影响。比如，受杂质污染的石墨烯 膜作为电极的性能比理论预期值低50％。 因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现要素：
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种高纯石墨烯膜的生产设备 及其制备方法，旨在解决现有石墨烯膜中的杂质污染程度较高，严重影响其性能的问题。 本发明的技术方案如下： 一种高纯石墨烯膜的生产设备，其中，包括密封腔体，设置在所述密封腔体内的承 载平台以及等离子加热器，所述承载平台用于承载初始石墨烯膜，所述等离子加热器位于 所述承载平台的上方并用于对所述初始石墨烯膜进行加热制得高纯石墨烯。 所述高纯石墨烯膜的生产设备，其中，所述承载平台的两端均设置有卷轴，所述卷 轴与驱动电机连接，所述驱动电机用于驱动所述卷轴旋转。 所述高纯石墨烯膜的生产设备，其中，所述初始石墨烯膜粘附在所述承载平台表 面。 所述高纯石墨烯膜的生产设备，其中，所述等离子加热器的加热区宽度大于等于 所述初始石墨烯膜的宽度。 所述生产设备的高纯石墨烯膜制备方法，其中，包括步骤： 将初始石墨烯膜粘附在所述密封腔体内的承载平台上，并向所述密封腔体内通入 惰性气体； 采用所述等离子加热器对所述初始石墨烯膜进行加热，使所述初始石墨烯膜内的 杂质气化，得到纯化的高纯石墨烯膜。 所述的高纯石墨烯膜制备方法，其中，所述采用所述等离子加热器对所述初始石 墨烯膜进行加热的步骤还包括： 启动驱动电机，使所述卷轴带动所述承载平台以及初始石墨烯膜匀速旋转。 所述的高纯石墨烯膜的制备方法，其中，所述惰性气体为氮气、氩气、氖气和氦气 中的一种或多种。 3 CN 111547713 A 说　明　书 2/4 页 所述的高纯石墨烯膜的制备方法，其中，所述密封腔体为耐高温密封坩埚。 有益效果：本发明提供了一种高纯石墨烯膜的制备方法，通过将初始石墨烯膜粘 附在所述密封腔体内的承载平台上，并向所述密封腔体内通入惰性气体；采用等离子加热 器对所述初始石墨烯膜进行加热，使所述初始石墨烯膜内的杂质气化，得到纯化的高纯石 墨烯膜。本发明采用等离子加热器直接对初始石墨烯膜进行加热，可以高效利用加热能源， 制备成本低，且其加工速度快，可以连续生产。由于本发明采用等离子加热器对初始石墨烯 膜中的每一寸膜都是进行同样的加热，能够均匀地去除初始石墨烯膜中的杂质，因此制得 的高纯石墨烯产品一致性好。 附图说明 图1为本发明一种高纯石墨烯膜的生产设备较佳实施例的结构示意图。 图2为本发明一种高纯石墨烯膜的制备方法较佳实施例的流程图。