技术摘要：
本发明公开一种RRAM器件及形成RRAM器件的方法。RRAM器件包括：下金属互联层，被超低介电常数材料围绕；底部电极，设置在所述下金属互联层上方并被PEOX层围绕；金属蓄氧层，覆盖所述底部电极；绝缘层，设置在所述金属蓄氧层上方，其中，所述金属蓄氧层的两侧与所述绝缘  全部
背景技术：
现代的许多电子器件包括被配置为存储数据的电子存储器。电子存储器可以是易 失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器仅当对其供电时才存储数据，而非易失性存 储器当其掉电时仍能保持数据。阻变式存储器(RRAM)由于其简单的结构以及包括CMOS逻辑 兼容工艺技术，所以会成为下一代非易失性存储技术的颇具前景的候选对象。RRAM单元包 括具有可变电阻的电子数据存储层，该电子数据存储层置于设置在互连金属化层内的两个 电极之间。 传统的RRAM结构是在采用薄膜工艺沉积完后，对电极层和具有可变电阻的电子数 据存储层等多种材料层进行刻蚀才形成的，这会对具有可变电阻的电子数据存储层的边缘 造成损伤，导致RRAM结构在其边缘处更容易形成细丝，进而影响RRAM结构的电学性能。另 外，现有的RRAM结构通常为1T1R结构(一个晶体管、一个阻变单元)，和1TnR结构(一个晶体 管，多个阻变单元)相比，1T1R结构不利于高密度集成，其在先进制造工程中优势不足。
技术实现要素：
本发明实施例为了解决以上问题中的至少一个，创造性地提供一种RRAM器件及形 成RRAM器件的方法。 根据本发明实施例第一方面，提供一种RRAM器件，其特征在于，包括：下金属互联 层，被超低介电常数材料围绕；底部电极，设置在所述下金属互联层上方并被PEOX层围绕； 金属蓄氧层，覆盖所述底部电极；绝缘层，设置在所述金属蓄氧层上方，其中，所述金属蓄氧 层的两侧与所述绝缘层的两侧对齐；阻变层，设置在所述金属蓄氧层的侧边并覆盖所述金 属蓄氧层的侧边，所述阻变层具有可变电阻；顶部电极，覆盖所述阻变层；上通孔，设置在所 述顶部电极上方。 优选地，所述金属蓄氧层的材料为铝、钽、氮化钽、钛、氮化钛中的至少一种，所述 绝缘层的材料为氧化硅(SiOx)、氮化硅、氮氧化硅或超低介电常数材料中的至少一种。 优选地，所述阻变层的材料为氧化铪(HfOx)、氧化铝(AlOx)、氧化铝铪(HfAlO)和 氧化钽(TaOx)中的至少一种。 根据本发明实施例第二方面，提供一种形成RRAM器件的方法，包括：在半导体衬底 上形成下金属互联层，其中，所述下金属互联层被超低介电常数材料围绕；在所述下金属互 联层的上方形成底部电极，其中，所述底部电极设置在所述下金属互联层上方并被PEOX层 围绕；在所述底部电极上方形成金属蓄氧层和绝缘层，其中，所述绝缘层设置在所述金属蓄 氧层上方，所述金属蓄氧层的两侧与所述绝缘层的两侧对齐；在所述金属蓄氧层的侧边形 成阻变层，其中，所述阻变层覆盖所述金属蓄氧层的侧边，所述阻变层具有可变电阻；形成 顶部电极，其中，所述顶部电极覆盖所述阻变层；在所述顶部电极的上方形成上通孔。 4 CN 111584711 A 说　明　书 2/6 页 优选地，形成金属蓄氧层和绝缘层的步骤包括：采用薄膜沉积工艺在所述底部电 极上方沉积金属蓄氧层材料和绝缘层材料；通过光刻和蚀刻工艺定义金属蓄氧层和绝缘层 的大小和形状。 优选地，形成顶部电极的步骤包括：采用薄膜工艺沉积顶部电极材料；采用光刻和 蚀刻工艺隔断RRAM单元之间的所述顶部电极材料。 优选地，形成顶部电极的步骤包括：采用薄膜工艺沉积顶部电极材料；采用光刻和 蚀刻工艺隔断RRAM单元上方的所述顶部电极材料并形成1TnR结构。 优选地，形成顶部电极的步骤包括：采用薄膜工艺沉积顶部电极材料；采用蚀刻工 艺刻蚀掉所述绝缘层顶部及所述金属蓄氧层两边的顶部电极材料。 优选地，形成顶部电极的步骤包括：采用薄膜工艺沉积顶部电极材料；采用CMP工 艺抛光磨平所述顶部电极材料；采用光刻和蚀刻工艺隔断RRAM单元之间的所述顶部电极材 料。 优选地，形成上通孔的步骤包括：采用光刻和蚀刻工艺打开顶部电极上方的两个 以上窗口以形成1TnR结构。 与现有技术相比，本发明方案提供的RRAM器件的阻变材料(即过渡金属氧化物层 TMO)未经过刻蚀工艺，RRAM器件的电学性能更好。另外，本发明方案提供的RRAM器件还可以 采用1TnR结构，提高了存储密度，该结构在先进制程中更具有优势。 附图说明 通过参考附图阅读下文的详细描述，本发明示例性实施方式的上述以及其他目 的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本发明的若 干实施方式，其中： 在附图中，相同或对应的标号表示相同或对应的部分。 图1示出了现有技术的RRAM器件的边缘； 图2示出了本发明提供的RRAM器件的一个实施例的截面图； 图3示出了本发明提供的RRAM器件的另一个实施例的截面图； 图4示出了本发明提供的RRAM器件的再一个实施例的截面图； 图5示出了本发明提供的RRAM器件的又一个实施例的截面图； 图6示出了本发明提供的RRAM器件的再一个实施例的截面图； 图7示出了本发明提供的RRAM器件的又一个实施例的截面图； 图8示出了本发明实施例形成RRAM器件的方法的流程示意图。