技术摘要：
本发明提供一种光刻回馈系统和方法，所述光刻回馈方法包括，提供基底历史数据，至少包括预处理批次基底的前层机台状态；提供光刻机台历史数据，至少包括与所述预处理批次基底的前层机台状态相对应当层曝光显影后的历史量测数据；对所述预处理批次基底的当层进行曝光显 全部
背景技术：
光刻是半导体制造工艺中最为重要的步骤之一，它决定了整个集成电路工艺的技 术水平。光刻机台的状态并不是一成不变的，例如会随着光刻机台的运行时间而导致光刻 机台关键部件的老化而引起机台状态的动态改变，或者由于光刻机台当机或者停机维护而 引起机台状态的动态改变，这些都会导致光刻机台的状态发生动态的偏移，这会导致前层 光刻过程中出现不同的工艺制程问题，而针对前层光刻过程中出现的不同工艺制程问题， 在对当层光刻参数进行补偿时，所需要的回馈补偿值并不完全一致，如果仍然采用现有技 术中完全相同的回馈补偿值(不区别前层机台状态)，就会导致当层的光刻参数偏离最优的 光刻参数所允许的范围，从而导致产品产出率低下、成品率较低等问题，尤其随着半导体组 件尺寸日趋微缩，各层的临界尺寸(Critical dimension，CD)也随之不断的缩小，这种影响 更显著。
技术实现要素：
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光刻回馈系统和方 法，用于解决现有技术中的曝光回馈工艺中不区分前层机台状态而导致的的返工率高、产 出率低下及成品率低等问题。 为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光刻回馈方法，所述光刻回馈 方法包括如下步骤： 提供基底历史数据，至少包括预处理批次基底的前层机台状态，所述前层机台状 态指所述预处理批次基底的前层在曝光显影时前层光刻机台所处的机台状态； 提供光刻机台历史数据，至少包括与所述预处理批次基底的前层机台状态相对应 当层曝光显影后的历史量测数据； 对所述预处理批次基底的当层进行曝光显影时，从所述基底历史数据中获取所述 预处理批次基底的前层机台状态，从所述光刻机台历史数据中调取与所述预处理批次基底 的前层机台状态相对应的当层曝光显影后的历史量测数据来校正光刻参数，以校正后的光 刻参数对所述预处理批次基底的所述当层进行曝光显影。 可选地，所述从所述光刻机台历史数据中调取与所述预处理批次基底的前层机台 状态相对应的当层曝光显影后的历史量测数据来校正光刻参数的步骤包括： 从所述光刻机台历史数据中调取与所述预处理批次基底的前层机台状态相对应 的当层曝光显影后的历史量测数据； 依据与所述预处理批次基底的前层机台状态相对应的当层曝光显影后的历史量 测数据，计算出曝光显影补偿值； 根据所述曝光显影补偿值来校正光刻参数。 4 CN 111580345 A 说 明 书 2/10 页 可选地，所述历史量测数据包括历史对准量测数据和历史线宽量测数据中的至少 一个。 可选地，所述以校正后的光刻参数对所述预处理批次基底的所述当层进行曝光显 影的步骤之后，还包括步骤： 对所述预处理批次基底曝光显影后的所述当层进行量测，以获得所述预处理批次 基底的所述当层曝光显影后的量测数据； 将所述预处理批次基底的所述当层曝光显影后的量测数据反馈并存储在所述光 刻机台历史数据中，作为所述预处理批次基底之后批次基底的当层曝光显影后的历史量测 数据。 为实现上述目的及其他相关目的，本发明还提供另一种光刻回馈方法，所述光刻 回馈方法包括如下步骤： 提供基底历史数据，至少包括预处理批次基底的前层特征以及前层机台状态，所 述前层机台状态指所述预处理批次基底的前层在曝光显影时前层光刻机台所处的机台状 态； 提供光刻机台历史数据，至少与所述预处理批次基底的前层特征及前层机台状态 相对应的当层曝光显影后的历史量测数据； 对所述预处理批次基底的当层进行曝光显影时，从所述基底历史数据中获取所述 预处理批次基底的前层特征及前层机台状态，从所述光刻机台历史数据中调取与所述预处 理批次基底的前层特征及前层机台状态相对应的当层曝光显影后的历史量测数据来校正 光刻参数，以校正后的光刻参数对所述预处理批次基底的所述当层进行曝光显影。 可选地，所述从所述光刻机台历史数据中调取与所述预处理批次基底的前层特征 及前层机台状态相对应的当层曝光显影后的历史量测数据来校正光刻参数的步骤之后还 包括： 从所述光刻机台历史数据中调取与所述预处理批次基底的前层特征及前层机台 状态相对应的当层曝光显影后的历史量测数据； 依据与所述预处理批次基底的前层特征及前层机台状态相对应的当层曝光显影 后的历史量测数据，计算出曝光显影补偿值； 根据所述曝光显影补偿值来校正光刻参数，以校正后的光刻参数对预处理批次基 底的所述当层进行曝光显影。 可选地，所述前层包括单层结构或者多层结构。 可选地，所述历史量测数据包括历史对准量测数据和历史线宽量测数据中的至少 一种。 可选地，所述以校正后的光刻参数对预处理批次基底的所述当层进行曝光显影的 步骤之后，还包括： 对所述预处理批次基底曝光显影后的所述当层进行量测，以获得所述预处理批次 基底的所述当层曝光显影后的量测数据； 将所述预处理批次基底的所述当层曝光显影后的量测数据反馈并存储在所述光 刻机台历史数据中，作为所述预处理批次基底之后批次基底的当层曝光显影后的历史量测 数据。 5 CN 111580345 A 说 明 书 3/10 页 为实现上述目的及其他相关目的，本发明还提供一种光刻回馈系统，所述光刻回 馈系统包括： 数据库，包括： 基底历史数据，至少包括预处理批次基底的前层特征及前层机台状态，所述前层 机台状态指所述预处理批次基底的前层在曝光显影时前层光刻机台所处的机台状态；以及 光刻机台历史数据，至少包括预处理批次基底的当层曝光显影后的历史量测数 据； 量测装置，所述量测装置用于对曝光显影后的所述预处理批次基底的当层进行量 测，以获得所述预处理批次基底的所述当层曝光显影后的量测数据，并上传存储于所述数 据库中； 光刻机台，与所述数据库相连，所述光刻机台用于依据光刻参数进行曝光显影，所 述数据库用于获取所述光刻机台的机台状态； 补偿校正装置，分别与所述数据库和所述光刻机台连接，所述补偿校正装置从所 述数据库中基底历史数据中获取所述预处理批次基底的前层特征及前层机台状态，从所述 光刻机台历史数据中调取与所述预处理批次基底的前层特征及前层机台状态相对应的当 层曝光显影后的历史量测数据来校正所述光刻机台的光刻参数。 可选地，所述量测装置包括线宽量测装置和对准量测装置。 利用本发明，对预处理批次基底当层进行曝光显影时，可针对预处理批次基底的 前层光刻机台状态不同而造成的工艺制程问题对光刻参数进行不同的回馈补偿，实现自动 分流，以对预处理批次基底的当层进行曝光显影，不仅可以提高预处理批次基底曝光显影 后当层与前层的套准精度，而且可以有效改善预处理批次基底曝光显影后当层的线宽精 度，降低返工率，提高产品良率； 进一步地，对预处理批次基底的当层进行曝光显影时，可针对预处理批次基底的 前层特征不同以及前层光刻机台状态不同造成的工艺制程问题来对光刻参数进行不同的 补偿，实现自动分流，以对预处理批次基底的当层进行曝光显影，不仅可以提高预处理批次 基底曝光显影后当层与前层的套准精度，而且可有效改善预处理批次基底曝光显影后当层 的线宽精度，降低返工率，提高产品良率。 附图说明 图1显示为本发明一种光刻回馈方法的流程示意图。 图2显示为图1所示光刻回馈方法的工作原理图。 图3显示为本发明又一种光刻回馈方法的流程示意图。 图4显示为图3所示光刻回馈方法的工作原理图。 图5显示为本发明的一种光刻回馈系统的结构框图。 元件标号说明 1 光刻机台 21 对准量测装置 22 线宽量测装置 3 数据库 6 CN 111580345 A 说 明 书 4/10 页 4 补偿校正装置 S11-S14，S21-S24 步骤
