技术摘要：
本发明涉及一种提高半导体探测器中子测量效率的结构及其制作方法，结构为，半导体探测器的灵敏区设置有均匀分布的孔洞；所述孔洞中设置有6LiF柱。制作方法包括：根据预设的尺寸和位置在半导体探测器蚀刻出孔洞，将6LiF粉末灌入所述孔洞。本发明的有益效果如下：本发明  全部
背景技术：
半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器灵敏体积内产生电子-  空 穴对，并在外电场的作用下漂移而输出信号。半导体探测器体积小、重量轻、功耗低，在辐射 测量领域有广泛应用。 半导体探测器本身对中子的响应极低，一般不能直接用于中子测量，若将其用于 中子测量，在半导体探测器的灵敏区涂覆一层6LiF膜，利用6Li(n，α)3H  反应生成的α粒子， 通过测量α粒子来间接测量中子，但由于反应生成的α粒子只有2π方向可以被探测，加之有 效面积小、自吸收等原因，采用这种半导体探测器测量中子的仪表的中子探测效率也较低， 表现在探测下限高，本底或低强度中子辐射仪表响应慢、统计涨落大、测量结果的不确定度 大，这大大限制了半导体探测器的进一步推广应用。 有鉴于此，特提出本发明。
技术实现要素：
针对现有技术中存在的缺陷，本发明的目的是提供一种提高半导体探测器中子测 量效率的结构及其制作方法，能够大幅度增加有效面积，从而提升中子测量的效率，提升半 导体探测器的性能。 本发明的技术方案如下： 一种提高半导体探测器中子测量效率的结构，半导体探测器的灵敏区设置有均匀 分布的孔洞；所述孔洞中设置有6LiF柱。 进一步地，上述的提高半导体探测器中子测量效率的结构，所述6LiF柱的直径不 大于20μm。 进一步地，上述的提高半导体探测器中子测量效率的结构，所述6LiF柱的直径为 20μm。 进一步地，上述的提高半导体探测器中子测量效率的结构，所述6LiF柱的长度比 灵敏区厚度少20μm。 进一步地，上述的提高半导体探测器中子测量效率的结构，所述6LiF柱的长度为 280μm。 进一步地，上述的提高半导体探测器中子测量效率的结构，所述相邻的两个孔洞 之间的间距为40μm。 进一步地，上述的提高半导体探测器中子测量效率的结构，所述相邻的两个孔洞 之间的间距为40μm。 进一步地，上述的提高半导体探测器中子测量效率的结构，所述孔洞成“井”型均 3 CN 111596344 A 说　明　书 2/2 页 匀分布。 相应地，本发明还提供了上述提高半导体探测器中子测量效率的结构的制作方 法，包括：根据预设的尺寸和位置在半导体探测器蚀刻出孔洞，将6LiF  粉末灌入所述孔洞。 本发明的有益效果如下： 本发明能够大幅度增加有效面积，从而提升中子测量的效率，提升半导体探测器 的性能。本发明工艺简单、成本低有很强的实用性。 附图说明 图1为本发明一个实施例的提高半导体探测器中子测量效率的结构的示意图。 上述附图中，1、半导体探测器；2、孔洞。