技术摘要：
本发明提供了一种容性、感性交叉耦合结构及介质波导滤波器，其中的容性交叉耦合结构包括介质本体，介质本体设有四个呈矩阵分布且设有谐振盲孔的谐振部，还包括四个位于矩阵的边上的相邻谐振部之间的调节结构，一位于矩阵中间且长度方向与两个非相邻谐振部连线方向一致  全部
背景技术：
】 5G时代，受限于大规模天线技术对大规模天线集成化的要求，滤波器需要更加小 型化、集成化和轻量化。介质波导滤波器由于电磁波谐振发生在介质材料内部，没有金属腔 体，且其本身材料介电常数一般在20-50，因此体积较小。同时陶瓷介质波导滤波器具有Q值 高、选频特性好、工作频率稳定性好、插入损耗小等优点。 尽管介质波导滤波器具有上述的优点，但是目前大部分介质波导滤波器都是一体 干压成型，因此对于介质波导滤波器的实际结构要求较高，一些在金属腔体中可以轻易实 现的结构，在介质波导滤波器中却难以实现。 基于此，有必要对上述的介质波导滤波器进行改进。 【
技术实现要素：
】 本发明的目的在于提供一种容性交叉耦合结构、感性交叉耦合结构及介质波导滤 波器，使该介质波导滤波器具有良好的选频特性和带外抑制性。 本发明的技术方案如下：一种容性交叉耦合结构，容性交叉耦合结构包括介质本 体，介质本体设有四个呈矩阵分布且设有谐振盲孔的谐振部，还包括设置在所述介质本体 上且位于任意相邻谐振部之间的调节结构，一位于所述矩阵中间且长度方向与两个非相邻 所述谐振部连线方向一致的耦合盲槽，耦合盲槽的深度大于介质本体厚度的二分之一。 可选地，所述耦合盲槽将位于所述矩阵的对角线上的两个所述谐振部连通。 进一步地，所述谐振盲孔和耦合盲孔为圆形或多边形。 进一步地，所述调节结构为耦合通槽、通孔或耦合盲孔。 本发明还提供了一种感性交叉耦合结构，所述感性交叉耦合结构包括介质本体， 所述介质本体设有四个呈矩阵分布且设有谐振盲孔的谐振部，还包括设置在所述介质本体 上且位于任意相邻谐振部之间的调节结构，一位于所述矩阵的中间、且长度方向与两个非 相邻所述谐振部连线方向一致的耦合盲槽，所述耦合盲槽的深度小于或等于所述介质本体 厚度的二分之一。 进一步地，所述介质本体包括设置了所述谐振部及所述调节结构的第一表面及与 所述第一表面相对设置的第二表面，所述耦合盲槽有两个，两个所述耦合盲槽分别设置于 所述第一表面及所述第二表面。 本发明还提供了一种介质波导滤波器，包括感性交叉耦合结构以及与所述感性交 叉耦合结构连接的容性交叉耦合结构。 本发明的有益效果在于：通过在介质本体设置谐振盲孔及调节结构，调节谐振部 的谐振频率。耦合盲槽的深度大于介质本体厚度的二分之一，使得该结构为容性交叉耦合 3 CN 111600100 A 说　明　书 2/3 页 结构。而应用矩阵的方式来放置谐振盲孔，并保证耦合盲槽与非相邻的谐振部连线方向一 致，可以产生一对零点，从而提供良好的选频特性和带外抑制性能，保证产品的生产质量。 【附图说明】 图1为本发明第一实施例中容性交叉耦合结构的俯视图； 图2为图1中的容性交叉耦合结构沿A-A方向的剖视图； 图3为本发明第二实施例中感性交叉耦合结构的俯视图； 图4为图3中的感性交叉耦合结构沿B-B方向的剖视图； 图5为本发明第三实施例中的介质波导滤波器的俯视图； 图6为本发明第三实施例中的介质波导滤波器的正视图； 图7为图5中的介质波导滤波器沿C-C方向的剖视图； 图8为图5中的介质波导滤波器沿D-D方向的剖视图； 图9为图6中的介质波导滤波器沿E-E方向的剖视图； 图10为图7中的介质波导滤波器沿F-F方向的剖视图； 图11为本发明第三实施例中的介质波导滤波器的立体图； 图12为本发明第三实施例中的介质波导滤波器的滤波效果图； 图13为本发明第三实施例中的介质波导滤波器的拓扑结构示意图。 【